技术特征：
1.一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路，其特征在于，包括：电源子电路、变压器子电路、单片机控制子电路及正负脉冲控制子电路；所述电源子电路分别与所述单片机控制子电路、所述正负脉冲控制子电路及所述变压器子电路电连接，所述单片机控制子电路与所述正负脉冲控制子电路电连接；所述变压器子电路与所述正负脉冲控制子电路电连接，所述正负脉冲控制子电路与蓄电池电连接；所述正负脉冲控制子电路包括整流滤波单元、正脉冲控制单元及负脉冲控制单元；所述整流滤波单元分别与所述正脉冲控制单元及所述负脉冲控制单元电连接，所述正脉冲控制单元分别与所述单片机控制子电路及所述负脉冲控制单元电连接，所述负脉冲控制单元与所述单片机控制子电路电连接。2.根据权利要求1所述的一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路，其特征在于，所述单片机控制子电路包括控制单元、强制浮充单元及蓄电池电压采样单元；所述强制浮充单元及所述蓄电池电压采样单元分别与所述控制单元电连接；所述强制浮充单元与所述蓄电池电连接，所述蓄电池电压采样单元与所述蓄电池电连接。3.根据权利要求2所述的一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路，其特征在于，所述单片机控制子电路还包括涓流充电指示单元；所述涓流充电指示单元与所述控制单元电连接。4.根据权利要求1所述的一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路，其特征在于，所述正脉冲控制单元包括第一npn三极管、pmos管、第一电阻及第二电阻；所述第一npn三极管的基极与所述单片机控制子电路电连接，所述第一npn三极管的发射极接地，所述第一npn三极管的集电极与所述第一电阻的第一端电连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端及所述pmos管的栅极电连接，所述第二电阻的第二端分别与所述整流滤波单元及所述pmos管的源极电连接，所述pmos管的漏极分别与所述负脉冲控制单元及正脉冲输出端电连接。5.根据权利要求4所述的一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路，其特征在于，所述负脉冲控制单元包括第二npn三极管、pnp三极管、nmos管、第三电阻及第四电阻；所述第二npn三极管的基极及所述pnp三极管的基极分别与所述单片机控制子电路电连接，所述第二npn三极管的集电极与所述电源子电路电连接，所述第二npn三极管的发射极及所述pnp三极管的发射极分别与所述第三电阻的第一端电连接，所述pnp三极管的集电极接地，所述第三电阻的第二端与所述nmos管的栅极电连接，所述nmos管的漏极与所述pmos管的漏极电连接，所述nmos管的源极与所述第四电阻的第一端及地电连接，所述第四电阻的第二端与负脉冲输出端电连接。6.根据权利要求4所述的一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路，其特征在于，所述正脉冲控制单元还包括第一电容；所述第一电容的第一端分别与所述第一电阻的第二端及所述pmos管的栅极电连接，所述第一电容的第二端分别与所述第二电阻的第二端及所述pmos管的源极电连接。7.根据权利要求5所述的一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路，其特征在于，所述负脉冲控制单元还包括第二电容及第一电感；所述第一电感的第一端与所述nmos管的漏极及所述pmos管的漏极电连接，所述第一电感的第二端分别与所述正脉冲输出端及所述第二电容的第一端电连接，所述第二电容的第二端分别与所述第二电阻的第二端及所述负脉冲输出端电连接。
8.根据权利要求2所述的一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路，其特征在于，所述强制浮充单元包括第五电阻及第一二极管；所述第五电阻的第一端与所述电源子电路电连接，所述第五电阻的第二端分别与所述控制单元及所述第一二极管的第一端电连接，所述第一二极管的第二端与所述蓄电池电连接。9.根据权利要求2所述的一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路，其特征在于，所述蓄电池电压采样单元包括第六电阻及第七电阻；所述第六电阻的第一端及所述第七电阻的第一端与所述控制单元电连接，所述第六电阻的第二端与所述蓄电池电连接，所述第七电阻的第二端接地。10.一种充电器，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路。
技术总结
本实用新型公开了一种带有欠压涓流充电功能的电池充电器电路及充电器，包括：电源子电路、变压器子电路、单片机控制子电路及正负脉冲控制子电路；电源子电路与单片机控制子电路、正负脉冲控制子电路及变压器子电路电连接，单片机控制子电路与正负脉冲控制子电路电连接；变压器子电路与正负脉冲控制子电路电连接，正负脉冲控制子电路与蓄电池电连接；正负脉冲控制子电路包括整流滤波单元、正脉冲控制单元及负脉冲控制单元；整流滤波单元与正脉冲控制单元及负脉冲控制单元电连接，正脉冲控制单元分别与单片机控制子电路及负脉冲控制单元电连接，负脉冲控制单元与单片机控制子电路电连接。本实用新型能够提高充电效率、延长电池寿命且修复损伤电池。池寿命且修复损伤电池。池寿命且修复损伤电池。
技术研发人员：郑子龙 丁兰 崔永明 陈然 钟瑞
受保护的技术使用者：深圳市雅晶源科技有限公司
技术研发日：2021.05.08
技术公布日：2022/2/25