考虑寄生参数的多有源桥变换器暂态振荡抑制方法及电路

1.本发明涉及有源桥变换器暂态振荡抑制技术领域，尤其涉及一种考虑寄生参数的多有源桥变换器暂态振荡抑制方法及电路。


背景技术：

2.本部分的陈述仅仅是提供了与本发明相关的背景技术信息，不必然构成在先技术。
3.随着可再生能源发电渗透率的日益增加，电动汽车等不确定性负载及轨道交通、高铁等负荷的大规模接入，使得直流微网和交直流混合微网等新型供用电主体得到了广泛关注。为实现直流微网和交直流混合微网中可再生能源、储能环节、交直流负荷以及并网等环节的主动调控，电力电子变压器和电能路由器的应用随着发展要求应运而生。
4.基于双有源桥（double active bridge，dab）变换器提出的多有源桥变换器（multipleactivebridge，mab）在电能路由器、电动汽车、储能以及直流微网等领域扮演着重要的角色，mab通过高频变压器（high frequency transformer, hft）的副边绕组并联形成交流公共母线，保证端口之间电气隔离的同时实现功率多向流动，端口模块化的实现提高了变换器的可拓展性。为提高变换器的传输效率，变换器采用了更快开关速度、更高耐压耐温等级、更加优越的功率密度特性、更小的导通损耗和关断损耗的碳化硅-金属-氧化物半导体场效应晶体管（sicmetal-oxide-semiconductor field-effect transistor, sic mosfet）。但是，由于sic mosfet开通关断仅有几十纳秒，高速的开关动作具有极高的电压变化率（dv/dt），上下管死区和器件开关过程上升、下降时间等非理想因素，会造成dab变换器高频方波电压脉冲含有大量的高次谐波，种种行为对寄生参数十分敏感。高频变压器分布电容在高频脉冲激励下可能会出现极高的电压过冲，与电路中其他感性元件构成谐振网络，在功率开关器件的开通和关断过程中，可能会引起电压过冲和远高于开关频率的超高频振荡现象。
5.超高频振荡问题不仅增加了变换器额外的应力，甚至会加速器件老化，而且会产生额外损耗和电磁干扰，影响变换器的稳定运行。


技术实现要素：

6.为了解决上述问题，本发明提出了一种考虑寄生参数的多有源桥变换器暂态振荡抑制方法及电路，在多有源桥变换器交流端口并联含有吸收电阻的半桥不控整流电路，有效实现暂态振荡过程的抑制。
7.在一些实施方式中，采用如下技术方案：一种考虑寄生参数的多有源桥变换器暂态振荡抑制方法，包括：在多有源桥变换器交流端口并联含有吸收电阻的半桥不控整流电路；所述吸收电阻阻值的计算方法为：分别获取开关器件和高频变压器的寄生参数，基于所述寄生参数计算多有源桥变
换器交流端口暂态电压振荡阻尼系数，令暂态过程处于临界阻尼状态，进而计算得到保证暂态过程不发生超调的最小电阻，即为吸收电阻阻值。
8.作为可选的方案，所述开关器件的寄生参数包括：漏极寄生电感，源极寄生电感，栅极电感，栅极驱动电阻，栅源电容，栅漏电容和漏源电容。
9.作为可选的方案，所述高频变压器寄生参数包括高频变压器原边绕组的寄生电容，高频变压器副边绕组的寄生电容，高频变压器原副边绕组之间的等效寄生电容；高频变压器等效在原边绕组和副边绕组的漏感，高频变压器等效在原边绕组和副边绕组的电阻；高频变压器励磁电感和励磁电阻。
10.作为可选的方案，计算多有源桥变换器交流端口暂态电压振荡阻尼系数，具体为：其中，，为高频变压器原边绕组的寄生电容，是高频变压器副边绕组的寄生电容，是原副边绕组之间的等效寄生电容，是高频变压器变比；为等效移相电感，等效串联寄生电阻，为变压器励磁电阻。
11.作为可选的方案，暂态过程实现临界阻尼的条件为：。
12.作为可选的方案，计算得到保证暂态过程不发生超调的最小电阻，具体为：其中，是变压器励磁电阻，为变换器的移相电感。
13.在另一些实施方式中，采用如下技术方案：一种考虑寄生参数的多有源桥变换器暂态振荡抑制电路，其特征在于，包括：在多有源桥变换器交流端口并联含有吸收电阻的半桥不控整流电路；吸收电阻串联在半桥不控整流电路中。
14.作为可选的方案，所述吸收电阻的阻值计算过程为：分别获取开关器件和高频变压器的寄生参数，基于所述寄生参数计算多有源桥变换器交流端口暂态电压振荡阻尼系数，令暂态过程处于临界阻尼状态，进而计算得到保证暂态过程不发生超调的最小电阻，即为吸收电阻阻值。
15.作为可选的方案，所述吸收电阻的阻值具体为：
其中，是变压器励磁电阻，为变换器的移相电感。
16.与现有技术相比，本发明的有益效果是：（1）本发明在多有源桥变换器交流端口并联含有吸收电阻的半桥不控整流电路，结合开关器件和高频变压器的寄生参数，计算吸收电阻的阻值，能够降低暂态电压振荡幅值，减小交流方波电压畸变问题；减小高频暂态振荡引发的额外损耗，提高变换器的效率；降低振荡幅值引起的额外电压应力，降低高频变压器的绝缘损耗，延长高频变压器的使用寿命，对变换器的可靠稳定运行具有重要意义。
17.（2）本发明计算吸收电阻的方法，对寄生参数下有源桥交流端口暂态振荡电压问题得到了明显的抑制，减小交流方波电压畸变问题，减小高频暂态振荡引发的额外损耗，提高变换器的效率。
18.本发明的其他特征和附加方面的优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本方面的实践了解到。
附图说明
19.图1为高频变压器三电容等效模型；图2为多有源桥变换器拓扑示意图；图3为两端口有源桥变换器等效简化拓扑示意图；图4为本发明实施例中的考虑寄生参数的多有源桥变换器暂态振荡抑制电路结构示意图；图5为未进行振荡抑制的多有源桥变换器交流端口电压波形图；图6为采用本发明抑制方法后的多有源桥变换器交流端口电压波形图。
具体实施方式
20.应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本技术提供进一步的说明。除非另有指明，本发明使用的所有技术和科学术语具有与本技术所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
21.需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本技术的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
22.实施例一当有源桥变换器工作时，在高频开关下h桥输出极高的电压脉冲，引起移相电感与高频变压器寄生参数构成的网络发生超高频暂态振荡；下面对变换器暂态振荡过程进行分析。
23.高频变压器三电容分布参数模型如图1所示，是高频变压器原边绕组的寄生电容，是高频变压器f副边绕组的寄生电容，是原副边绕组之间的等效寄生电容，是变压器励磁电感，是变压器励磁电阻，l
p
是变压器等效在原边的漏感，为变压器等效在原边的绕组电阻，n是高频变压器变比。
24.通过仿真或阻抗扫描仪获得多有源桥变换器中高频变压器的寄生参数，包括：，，，，，，。
25.在单侧激励下，任意端口外的等效电路可等效为其他端口有源桥电路的并联形式；通过图2的多端口有源桥变换器，将端口1之外的3个端口等效并联，推导得到图3所示的等效两端口有源桥变换器的等效电路模型。
26.根据图3所示等效电路模型，可以推导得到暂态电压振荡表达式如公式（1）所示：（1）式中，（2）（2）（3）（4）其中，为暂态振荡过程的衰减系数，为在暂态振荡电压的振荡角频率，为有源桥变换器h桥输出电压的阶跃时间，u为有源桥变换器直流侧电压，为变换器的移相电感，为变压器等效在原边的绕组电阻，与为简化电路的等效电感与电阻。
27.交流端口暂态电压振荡频率满足：（5）可以看出，寄生参数下有源桥换器交流端口电压振荡表达式的振荡幅值和振荡频率由电路自身参数决定，反映了谐振电路的固有性质。
28.本实施例在原本的高频交流方波上叠加了兆赫兹级振荡波形，在多有源桥变换器交流端口通过并联含有吸收电阻的半桥不控整流电路，能够增大暂态振荡的阻尼过程，有效实现暂态振荡过程的抑制。
29.其中，吸收电阻阻值的计算方法为：分别获取开关器件和高频变压器的寄生参数，基于所述寄生参数计算多有源桥变换器交流端口暂态电压振荡阻尼系数，令暂态过程处于临界阻尼状态，进而计算得到保证暂态过程不发生超调的最小电阻，即为吸收电阻阻值。
30.具体地，如图4所示，根据等效电路暂态振荡计算交流端口并联吸收电阻r
snubber
。首先通过公式（2）计算多有源桥变换器交流端口暂态电压振荡阻尼系数：（6）则：（7）其中，，为等效移相电感，等效串联寄生电阻，为阻尼系数，分别为变压器等效电阻与励磁电阻，且满足。
31.步骤5：令暂态过程处于临界阻尼状态，本实施例中，暂态过程实现临界阻尼的条件为：。
32.进而根据公式（8）计算得到保证暂态过程不发生超调的最小电阻：
（8）由此得到能够实现多有源桥变换器交流端口的暂态振荡抑制的最佳吸收电阻阻值。
33.图5所示为现有技术下多有源桥变换器中交流端口暂态电压波形图；图6所示为采用本发明的暂态电压振荡抑制方法后，多有源桥变换器交流端口电压波形图。图5可以看出目前高频工作下多有源桥变换器交流端口电压振荡问题显著。图6可以看出电压的暂态振荡问题得到了明显的抑制，暂态振荡问题得到解决。
34.实施例二在一个或多个还是方式中，公开了一种考虑寄生参数的多有源桥变换器暂态振荡抑制电路，结合图4，具体包括：在多有源桥变换器交流端口并联含有吸收电阻的半桥不控整流电路；吸收电阻串联在半桥不控整流电路中。
35.与实施例一中相同，吸收电阻的阻值计算过程为：分别获取开关器件和高频变压器的寄生参数，基于所述寄生参数计算多有源桥变换器交流端口暂态电压振荡阻尼系数，令暂态过程处于临界阻尼状态，进而计算得到保证暂态过程不发生超调的最小电阻，即为吸收电阻阻值。
36.吸收电阻的阻值具体为：其中，是变压器励磁电阻，。
37.吸收电阻的具体计算过程已经在实施例一中进行了详细的说明，此处不再详述。
38.上述虽然结合附图对本发明的具体实施方式进行了描述，但并非对本发明保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本发明的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本发明的保护范围以内。