充电线圈模组及其相关产品、充电线圈模组的制备方法与流程

本技术涉及无线充电领域，特别涉及一种充电线圈模组及其相关产品、充电线圈模组的制备方法。

背景技术：

1、目前，随着智能机功能的增多，智能机内部的功能器件也随之增多，从而导致整机中的可利用空间也逐步减少。如何通过缩小充电线圈模组的尺寸，从而释放智能机内部更多的可利用空间成为研究方向。

技术实现思路

1、本技术实施例提供一种充电线圈模组、包括所述充电线圈模组的相关产品以及包括所述充电线圈模组的制备方法，旨在获得一种尺寸较小的充电线圈模组，以及包括该充电线圈模组的相关产品。

2、第一方面，提供了一种充电线圈模组。充电线圈模组包括基材以及第一线圈。基材包括第一面。第一线圈设置于第一面上。第一线圈的匝数大于或者等于2。第一线圈中的相邻两匝之间的距离在40微米至100微米的范围内。

3、可以理解的是，本技术的充电线圈模组的第一线圈中的相邻两匝之间的距离在40微米至100微米范围之间，第一线圈可以实现窄间距设置，也即充电线圈模组可以实现窄间距设置。在尺寸相同的条件下，相较于没有实现窄间距设置的充电线圈模组，本技术的充电线圈模组的单位面积内的金属含量更高，从而有效减小充电损耗，有利于延长充电线圈模组在充电过程中维持50w峰值的时间，提高充电效率。

4、此外，在充电线圈模组的外径相同的条件下，相较于没有实现窄间距设置的充电线圈模组，本技术的充电线圈模组可以在不减小第一线圈中走线的体积的情况下，减小相邻两匝之间的距离，从而减薄第一线圈的厚度，以减薄整个充电线圈模组的厚度。换言之，本技术的充电线圈模组可以通过缩小第一线圈中的相邻两匝之间的距离，实现充电线圈模组的小型化设置。

5、一种可能的实现方式中，第一线圈中的每一匝包括第一导电部以及第二导电部。第一导电部设置于第一面上。第二导电部覆盖在第一导电部上。这样，第二导电部覆盖在第一导电部上，可以缩小第一线圈中相邻的两匝之间的距离，有利于实现充电线圈模组的窄间距设置。

6、一种可能的实现方式中，通过电镀工艺在第一导电部上形成第二导电部。其中，电镀工艺为引线电镀。

7、一种可能的实现方式中，第一导电部的厚度在10微米至60微米的范围内。这样，第一导电部的厚度较薄。第一线圈中的相邻两匝之间的距离容易做得更窄，有利于实现充电线圈模组的窄间距设置。

8、一种可能的实现方式中，第一线圈的厚度大于50微米。可以理解的是，当第一线圈的厚度大于50微米时，第一线圈的厚度较厚。此时，相较于传统的充电线圈模组直接形成厚度较厚的第一导电部，以形成第一线圈，本技术通过在第一导电部上覆盖第二导电部，使得第一线圈中的相邻两匝之间的距离可以做得更小，有利于实现充电线圈模组的窄间距设置。

9、一种可能的实现方式中，基材包括第二面。第二面与第一面相背设置。充电线圈模组还包括第二线圈。第二线圈设于第二面。第二线圈的匝数大于或者等于2。第二线圈中的相邻两匝之间的距离在40微米至100微米的范围内。

10、可以理解的是，通过设置第二线圈可以增大充电线圈模组中的金属体积，从而提高充电线圈模组的充电效率。同时，第二线圈也为窄间距设置。这样，第一线圈与第二线圈均为窄间距设置，也即充电线圈模组为窄间距设置。在尺寸相同的条件下，相较于没有实现窄间距设置的充电线圈模组，本技术的充电线圈模组的单位面积内的金属含量更高，从而有效减小充电损耗，有利于延长充电线圈模组在充电过程中维持50w峰值的时间，提高充电效率。

11、此外，在充电线圈模组的外径相同的条件下，相较于没有实现窄间距设置的充电线圈模组，本技术的充电线圈模组可以在不减小第一线圈以及第二线圈中走线的体积的情况下，减小相邻两个第一子线圈之间的距离以及相邻两个第二子线圈之间的距离，从而减薄第一线圈以及第二线圈的厚度。换言之，本技术的充电线圈模组可以通过缩小第一线圈以及第二线圈中的相邻两匝之间的距离，实现充电线圈模组的小型化设置。

12、一种可能的实现方式中，充电线圈模组还包括第一覆盖膜、第一纳米晶层以及第一石墨层。第一覆盖膜设于第一线圈远离基材的一侧。第一纳米晶层与第一石墨层依次堆叠于第一覆盖膜。第一线圈具有第一容置空间。第一容置空间为凹槽或者通孔。第一覆盖膜的一部分设于第一容置空间。第一纳米晶层的一部分设于第一容置空间内。

13、可以理解的是，当充电线圈模组中的第一纳米晶层与第一石墨层的体积保持不变时，相较于第一线圈没有设置第一容置空间的充电线圈模组，本技术中的充电线圈模组可以通过第一容置空间填充一部分第一纳米晶层，从而减薄第一纳米晶层的厚度，实现充电线圈模组的整体厚度减薄，有利于充电线圈模组的实现小型化设置。

14、当充电线圈模组的体积保持不变时，相较于第一线圈没有设置第一容置空间的充电线圈模组，本技术的充电线圈模组可以利用第一容置空间的空间填充更多的纳米晶，增大第一纳米晶层的体积，从而减小充电线圈模组的磁损，有利于提升充电线圈模组的快充性能。或者，充电线圈模组可以通过第一容置空间填充更多的石墨片，增大第一石墨层的体积，有利于提升充电线圈模组的散热效率。

15、一种可能的实现方式中，第一纳米晶层设有第一凹陷区。第一石墨层的一部分设于第一凹陷区。这样，当充电线圈模组中的第一纳米晶层与第一石墨层的体积保持不变时，相较于第一线圈没有设置第一容置空间，第一纳米晶层没有设置第一凹陷区的充电线圈模组，本技术中的充电线圈模组可以通过第一容置空间填充一部分第一纳米晶层，同时在第一凹陷区填充一部分第一石墨层，从而减薄第一石墨层的厚度，实现充电线圈模组的整体厚度减薄，有利于充电线圈模组的实现小型化设置。

16、当充电线圈模组中的第一纳米晶层与第一石墨层的厚度不变时，相较于第一线圈没有设置第一容置空间，第一纳米晶层没有设置第一凹陷区的充电线圈模组，本技术的充电线圈模组可以利用第一容置空间的空间填充第一纳米晶层的一部分，同时利用第一凹陷区填充更多的石墨片，增大第一石墨层的体积，从而提高充电线圈模组的散热能力，有利于提升充电线圈模组的充电功率。

17、一种可能的实现方式中，第一石墨层设有第二凹陷区。第一纳米晶层的一部分设于第二凹陷区。这样，充电线圈模组内可以填充更多的纳米晶，充电线圈模组减小磁损的效率更高。

18、一种可能的实现方式中，第一线圈围出第一空心区域。第一容置空间与第一空心区域间隔设置。或者第一容置空间与第一空心区域连通。这样，当第一容置空间与第一空心区域连通时，第一容置空间还可以利用第一空心区域的空间以填充更多的纳米晶或者进一步减薄第一纳米晶层或者第一石墨层的厚度。

19、一种可能的实现方式中，第一线圈包括分开设置的第一部分和第二部分。第一容置空间位于第一部分与第二部分之间。或者，第一线圈包括第一部分。第一容置空间位于第一部分的一侧。

20、一种可能的实现方式中，第一线圈具有第一容置空间。第一容置空间为凹槽或者通孔。充电线圈模组包括磁性件。磁性件设置于第一容置空间内。这样，通过在第一容置空间内设置磁性件，使得充电线圈模组应用于电子设备中时，可以实现与充电器的准确定位，从而提高充电效率。

21、一种可能的实现方式中，充电线圈模组还包括第二覆盖膜、第二纳米晶层以及第二石墨层。第二覆盖膜设于第二线圈远离基材的一侧。第二纳米晶层与第二石墨层依次堆叠于第二覆盖膜。第二线圈具有第二容置空间。第二容置空间为凹槽或者通孔。第二覆盖膜的一部分设于第二容置空间。第二纳米晶层的一部分设于第二容置空间内。可以理解的是，通过设置第二覆盖膜可以避免第二线圈内的走线出现短路现象。同时，设置第二纳米晶层可以减小充电线圈模组的磁损，提高充电线圈模组的快充能力。另外，设置第二石墨层可以提高充电线圈模组的散热能力。

22、第二方面，提供了一种电子设备。电子设备包括电池以及上述的充电线圈模组。充电线圈模组用于对电池充电。可以理解的是，本技术的电子设备中的充电线圈模组为窄间距设置，在充电线圈模组的尺寸相同的条件下，本技术的充电线圈模组的单位面积内的金属含量更高，从而有效减小充电损耗，有利于延长充电线圈模组在充电过程中维持50w峰值的时间，提高充电效率。换言之，本技术的电子设备充电效率更高。此外，在充电线圈模组的外径相同的条件下，本技术的充电线圈模组的厚度可以更薄，从而更好地满足电子设备的薄型化需求。

23、第三方面，提供了一种充电器。充电器包括外壳上述的充电线圈模组。充电线圈模组设于外壳。可以理解的是，本技术的充电器中的充电线圈模组为窄间距设置，在充电线圈模组的尺寸相同的条件下，本技术的充电线圈模组的单位面积内的金属含量更高，从而有效减小充电损耗，有利于延长充电线圈模组在充电过程中维持50w峰值的时间，提高充电效率。换言之，本技术的充电器充电效率更高。此外，在充电线圈模组的外径相同的条件下，本技术的充电线圈模组的厚度可以更薄，从而更好地满足充电器的薄型化需求。

24、第四方面，提供了一种充电系统。充电系统包括电子设备以及充电器。电子设备与充电器中的至少一者包括上述的充电线圈模组。充电器用于对电子设备充电。这样，当充电系统中的电子设备与充电器中的至少一者具备窄间距设置的充电线圈模组时，充电系统的工作效率更高。

25、第五方面，提供了一种充电线圈模组的制备方法。充电线圈模组的制备方法包括：蚀刻基板的导电层，以形成第一初始线圈；对第一初始线圈上的每一匝电镀第二导电部，以形成第一线圈。其中，第一线圈中的相邻两匝之间的距离在40微米至100微米的范围内。

26、可以理解的是，通过本技术的制备方法制备的充电线圈模组能够实现窄间距设置，有利于提高充电线圈模组的充电效率，或者实现整个充电线圈模组的小型化设置。

27、一种可能的实现方式中，蚀刻基板的导电层的步骤之前，方法还包括：在基板的第一子导电层电镀第二子导电层，以形成导电层。这样，即可通过电镀形成具有一定厚度的导电层，以便于后续步骤的制备。

28、一种可能的实现方式中，蚀刻基板的导电层的步骤中，方法还包括：蚀刻基板的导电层，以形成第一初始线圈与蚀刻空间；

29、对第一初始线圈上的每一匝电镀第二导电部的步骤中，方法还包括：对第一初始线圈上的每一匝电镀第二导电部，以形成第一线圈。其中，位于蚀刻空间内的第二导电部围成第一容置空间；对第一初始线圈上的每一匝电镀第二导电部的步骤之后，方法还包括：在第一线圈的表面形成第一覆盖膜，第一覆盖膜的一部分设于第一容置空间；在第一覆盖膜的表面形成第一纳米晶层，第一纳米晶层的一部分设于第一容置空间内；在第一纳米晶层的表面形成第一石墨层。这样，通过在第一线圈中设置第一容置空间，使得充电线圈模组可以具有更多的可利用空间(即第一容置空间的空间)。