一种电源缓启动电路的制作方法

1.本发明涉及电源技术领域，特别涉及一种电源缓启动电路。


背景技术：

2.随着电子产品向社会生活各个领域的普及，电源技术也随之获得了越来越多的关注度。以通信设备为例，目前主要采用直流或交流供电。基于目前大多数通信产品的特点，使用较多的一类为直流供电，特别是服务器产品，大多数采用机架式的结构，所以要求通信设备单盘支持热插拔，在设备电源不断电的情况下，都要能正常的插入拔出，设备不能损坏且能正常工作，也不能影响其他模块正常的工作；同时，在设备插拔时能够快速的进行配置及内容保存等。通常通信设备的单盘功率都较大，特别是服务器产品，要想支持做到热插拔，除了信号端口需要热插拔外，电源端口更加需要做好防护，增加缓启动，延迟上电时间，减少上电时带来的冲击电流损坏设备。需要能够更好的保护设备模块。
3.而在现有的方案中，电源缓启动电路主要是采用串接电阻或者电感来控制电路，采用电阻则是利用电阻的直流分压后给电容充电，当电容充电达到场效应管的栅极及源极的电压门限后则会导通，输入电源则开始供电；使用串联电感同理，电感隔交流通直流，使得电流缓慢上升实现缓启动，如图1所示。以这种方式设计的缓启动电路在一定程度上可以起到缓启动、减少冲击电流的作用，但是缓启动的时间较短，作用甚微；针对串接电感的方式，需要电感有足够大的通流量，导致电感体积较大在空间上不利于布板；串接电阻则会导致在电阻上功耗较大，发热量增多，而且以热量的形式消耗，造成资源的浪费以及功率较高占用空间。因此，亟需一种电源缓启动电路，能够通过元器件选择，使缓启动过程达到一定时间，以减少冲击电流对电路元器件的损伤，并且电路设计灵活，占用面积可控。


技术实现要素：

4.为了解决现有技术中，简单采用感性元件设计的电源缓启动电路缓启动的时间较短，作用甚微；并且元件占用较大的电路板面积，热损耗大等问题，本发明实施例提供一种电源缓启动电路，通过元器件选择，可以使缓启动过程达到一定时间，以减少冲击电流对电路元器件的损伤，并且电路设计灵活，占用面积可控。
5.为了解决上述的一个或多个技术问题，本发明采用的技术方案如下：
6.提供一种电源缓启动电路，电路包括：缓启动开关模块，第一阻容网络，第二阻容网络，第三电阻，第四电阻；
7.缓启动开关模块包括：开关第一端口，开关第二端口，开关第三端口，开关第四端口，第一阻容网络包括：第一阻容端口，第二阻容端口，第二阻容网络包括：第三阻容端口，第四阻容端口；
8.开关第一端口串联第四电阻后接电源，开关第一端口与第一阻容端口电性连接，第二阻容端口与开关第二端口电性连接，开关第一端口与第三阻容端口电性连接，第四阻容端口与开关第三端口电性连接，开关第四端口串联第三电阻后接地。
9.进一步地，缓启动开关模块包括：第一晶体管，第二晶体管；
10.第一晶体管包括：第一晶体管第一电极，第一晶体管第二电极，第一晶体管第三电极，第二晶体管包括：第二晶体管第一电极，第二晶体管第二电极，第二晶体管第三电极；
11.第一晶体管第二电极与第二晶体管第一电极电性连接，第一晶体管第一电极作为开关第一端口，第二晶体管第二电极作为开关第二端口，第二晶体管第三电极作为开关第三端口，第一晶体管第三电极作为开关第四端口。
12.进一步地，第一阻容网络包括：第一电容，第一电阻；
13.第一电阻的一端与第一电容的一端电性连接；
14.第一电容的另一端作为第一阻容端口，第一电阻的另一端作为第二阻容端口。
15.进一步地，第二阻容网络包括：第二电容，第二电阻；
16.第二电阻的一端与第二电容的一端电性连接，第二电阻与第二电容的连接处接地；
17.第二电容的另一端作为第三阻容端口，第二电阻的另一端作为第四阻容端口。
18.进一步地，电路还包括：负载电容，开关电源模块；
19.负载电容并联于电源与开关第二端口之间；
20.开关电源模块包括：电源第一端口和电源第二端口；
21.电源第一端口和电源第二端口分别连接于负载电容的两端，其中，电源第一端口与电源连接。
22.进一步地，电路还包括第一二极管；
23.第一二极管的阴极与开关第一端口电性连接，
24.第一二极管的阳极接地。
25.进一步地，电路还包括：第五电阻，第三电容，第二二极管；
26.电源依次串联第五电阻，第三电容后接地；
27.第五电阻与第三电容连接处与第二二极管的阴极电性连接，第二二极管的阳极与开关第一端口电性连接。
28.进一步地，第一晶体管为npn三极管。
29.进一步地，第二晶体管为n沟道mosfet。
30.进一步地，第一二极管为稳压二极管。
31.本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
32.1.利用mosfet开启过程中的弥勒效应，漏极-源极电压缓慢下降的特性，通过延长mosfet的开启时间，使输出电容两端压降，藉由弥勒效应缓慢升高至直流电源电压，实现开关电源模块的缓启动；
33.2.采用二极管和场效应管，对开关电源进行缓启动，能够获得稳定的缓启动效果，大幅降低冲击电流，减少了冲击电流对开关电源的电路元件造成的损伤；
34.3.电路占用面积少，设计灵活，可以根据输入电压上升沿的软度，设计元器件的数值大小，以改善单纯采用感性、容性元件构造缓启动电路的效果差、电路占用面积大等问题。
附图说明
35.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
36.图1是一种常规缓启动电路示意图；
37.图2是包含寄生电容的mosfet等效电路示意图；
38.图3是mosfet漏源电流与栅源电压关系示意图；
39.图4是mosfet开启过程栅源电压、漏源电压、漏极电流示意图；
40.图5是本发明实施例提供的一种电源缓启动电路示意图；
41.图6是本发明实施例提供的另一种电源缓启动电路示意图。
具体实施方式
42.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
43.除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。说明书附图中的编号，仅表示对各个功能部件或模块的区分，不表示部件或模块之间的逻辑关系。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
44.对于本技术说明书中涉及的元器件符号，在电路图中指代元器件的类型，并区分各个元器件，例如：r1，r2，c等；在相应的公式中表示元器件相应物理量的大小，以斜体加以区分，例如：电阻r1对应的电阻值为r1。
45.下面，将参照附图详细描述根据本公开的各个实施例。需要注意的是，在附图中，将相同的附图标记赋予基本上具有相同或类似结构和功能的组成部分，并且将省略关于它们的重复描述。
46.针对现有技术中，简单采用感性元件设计的电源缓启动电路缓启动的时间较短，作用甚微；并且元件占用较大的电路板面积，热损耗大等问题，本发明实施例提供一种电源缓启动电路，利用mosfet(metal-oxide-semiconductor field effect transistor，金属-氧化物半导体场效应晶体管)开启过程中固有的弥勒效应，通过元器件选择，可以使缓启动过程达到一定时间，以减少冲击电流对电路元器件的损伤，并且电路设计灵活，占用面积可控。
47.在mosfet制造工艺过程中，不可避免地在栅极和漏极之间形成寄生电容c
gd
，考虑寄生效应，mosfet的等效模型如图2所示。考虑到弥勒效应，mosfet在开启过程中的波形，将不同于图3所示的理想情况，及栅源电压v
gs
达到阈值电压，mosfet开启，漏源电流i
ds
，随栅源电压的增大而增大；v
gs
，v
ds
，i
ds
开启阶段的波形将更为复杂，如图4所示。以n沟道mosfet来说，在mosfet开启之前，漏极电压是大于栅极电压，随着输入电压的增大，v
gs
在增大，c
gd
存储的电荷同时需要和输入电压进行中和，因为mosfet完全导通时，栅极电压是大于漏极电压的。弥勒平台，是栅漏电容c
gd
充电的过程，这时候栅源电压v
gs
变化很小，当栅漏电容c
gd
和栅源电容c
gs
处在同等水平时，栅源电压v
gs
才开始继续上升。
48.结合图4，从t0时刻开始，栅极给栅源电容c
gs
充电，栅源电压v
gs
从0v上升到阈值电压vgs(th)时，mosfet都处于截止状态，漏源电压v
ds
保持不变，漏极电流id为零；经过t1后，栅源电压v
gs
大于mosfet的阈值电压vgs(th)，mosfet开始导通，漏极电流id电流上升，此时，在杂电感的影响下，v
ds
会有一个很小的下降；随着栅源电压v
gs
的上升，漏源电压vds开始下降，这时候栅极的驱动转移给栅漏电容c
gd
充电，栅源电压v
gs
出现米勒平台，v
gs
电压维持不变，v
ds
逐渐下降；当米勒电容c
gd
充满电时，v
gs
电压继续上升，直至mosfet完全导通。
49.利用mosfet固有的弥勒效应，可实现缓启动电路。
50.在一个实施例中，如图5所示，一种电源缓启动电路，电路包括：缓启动开关模块1，第一阻容网络2，第二阻容网络3，第三电阻r3，第四电阻r4；
51.缓启动开关模块1包括：开关第一端口101，开关第二端口102，开关第三端口103，开关第四端口104，第一阻容网络2包括：第一阻容端口201，第二阻容端口202，第二阻容网络3包括：第三阻容端口301，第四阻容端口302；
52.开关第一端口101串联第四电阻r4后接电源v
dd
，开关第一端口101与第一阻容端口201电性连接，第二阻容端口202与开关第二端口102电性连接，开关第一端口101与第三阻容端口301电性连接，第四阻容端口302与开关第三端口103电性连接，开关第四端口104串联第三电阻r3后接地。
53.缓启动开关模块1包括：第一晶体管t1，第二晶体管t2，如图6所示。
54.第一晶体管t1包括：第一晶体管第一电极t
101
，第一晶体管第二电极t
102
，第一晶体管第三电极t
103
，第二晶体管t2包括：第二晶体管第一电极t
201
，第二晶体管第二电极t
202
，第二晶体管第三电极t
203
。
55.在其中的一个实施方式中，第一晶体管t1为npn三极管，第二晶体管t2为n沟道mosfet。
56.第一晶体管第一电极t
101
为基极，第一晶体管第二电极t
102
为集电极，第一晶体管第三电极t
103
为发射极；
57.第二晶体管第一电极t
201
为栅极，第二晶体管第二电极t
202
为漏极，第二晶体管第三电极t
203
为源极。
58.第一晶体管第二电极t
102
与第二晶体管第一电极t
201
电性连接，第一晶体管第一电极t
101
作为开关第一端口101，第二晶体管第二电极t
202
作为开关第二端口102，第二晶体管第三电极t
203
作为开关第三端口103，第一晶体管第三电极t
103
作为开关第四端口104，如图6所示。
59.第一阻容网络2包括：第一电容c1，第一电阻r1；第一电阻r1的一端与第一电容c1的
一端电性连接；第一电容c1的另一端作为第一阻容端口201与开关第一端口101电性连接，第一电阻r1的另一端作为第二阻容端口202与开关第二端口102电性连接。
60.第二阻容网络3包括：第二电容c2，第二电阻r2；第二电阻r2的一端与第二电容c2的一端电性连接，第二电阻r2与第二电容c2的连接处接地；第二电容c2的另一端作为第三阻容端口301与开关第一端口101电性连接，第二电阻r2的另一端作为第四阻容端口302，与开关第三端口103电性连接。
61.上述电源缓启动电路还包括：负载电容cf，开关电源模块4。
62.负载电容cf并联于电源v
dd
与开关第二端口102之间。
63.开关电源模块4包括：电源第一端口401和电源第二端口402；电源第一端口401和电源第二端口402分别连接于负载电容cf的两端，其中，电源第一端口401与电源v
dd
连接。
64.电源缓启动电路还包括：第一二极管d1。
65.优选地，第一二极管d1为稳压二极管，用于限制栅源电压。
66.第一二极管d1的阴极与开关第一端口101电性连接，第一二极管d1的阳极接地。
67.电源缓启动电路还包括：第五电阻r5，第三电容c3，第二二极管d2；
68.电源v
dd
依次串联第五电阻r5，第三电容c3后接地；第五电阻r5与第三电容c3连接处与第二二极管d2的阴极电性连接，第二二极管d2的阳极与开关第一端口101电性连接。
69.对上述电路上电后，mosfet的栅极电压缓慢上升，当栅源电压v
gs
达到一定阈值后，第二二极管d2导通，第三电容c3充电，开关第一端口101处的电位随第三电容c3上升速率上升。在第三电容c3充电时，电压uv与时间t的关系由下式表示：
[0070][0071]
其中，τ为时间常数，τ的大小可以表示为：
[0072]
τ＝(r4||r5)c3[0073]
则，从上电至晶体管开启需要的时间为：
[0074][0075]
有电容充电电流公式：
[0076][0077]
可知，缓启动所需的时间为：
[0078][0079]
其中，i
rush
为冲击电流。
[0080]
产生冲击电流i
rush
时的栅极电压为：
[0081][0082]
其中，gs为跨导，具体gs值的大小可由mosfet的产品规格书中查询到。同时，栅源极电压稳定之后栅极电流，ig可由下式表示：
[0083][0084]
mosfet栅极电压vw时等于第一二极管d1的钳位电压，因此，栅极电流
[0085][0086]
当栅源电压保持一定时，栅源电压与漏源电压变化率相等，
[0087][0088]
由于漏源电压变化与c1，r4的乘积相关，冲击电流的上升速率可受到控制。
[0089]
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本发明的可选实施例，在此不再一一赘述。
[0090]
实施例一
[0091]
下面结合图5阐述本发明的一个实施例。
[0092]
利用mosfet固有的弥勒效应，可实现缓启动电路。一种电源缓启动电路，电路包括：缓启动开关模块1，第一阻容网络2，第二阻容网络3，第三电阻r3，第四电阻r4；
[0093]
缓启动开关模块1包括：开关第一端口101，开关第二端口102，开关第三端口103，开关第四端口104，第一阻容网络2包括：第一阻容端口201，第二阻容端口202，第二阻容网络3包括：第三阻容端口301，第四阻容端口302；
[0094]
开关第一端口101串联第四电阻r4后接电源v
dd
，开关第一端口101与第一阻容端口201电性连接，第二阻容端口202与开关第二端口102电性连接，开关第一端口101与第三阻容端口301电性连接，第四阻容端口302与开关第三端口103电性连接，开关第四端口104串联第三电阻r3后接地。
[0095]
实施例二
[0096]
下面结合图5，6阐述本发明的另一个实施例。一种电源缓启动电路，电路包括：缓启动开关模块1，第一阻容网络2，第二阻容网络3，第三电阻r3，第四电阻r4；其中，r3＝1kω，r4＝10kω。
[0097]
缓启动开关模块1包括：开关第一端口101，开关第二端口102，开关第三端口103，开关第四端口104，第一阻容网络2包括：第一阻容端口201，第二阻容端口202，第二阻容网络3包括：第三阻容端口301，第四阻容端口302；
[0098]
开关第一端口101串联第四电阻r4后接电源v
dd
，开关第一端口101与第一阻容端口201电性连接，第二阻容端口202与开关第二端口102电性连接，开关第一端口101与第三阻容端口301电性连接，第四阻容端口302与开关第三端口103电性连接，开关第四端口104串
联第三电阻r3后接地。
[0099]
缓启动开关模块1包括：第一晶体管t1，第二晶体管t2，如图6所示。
[0100]
第一晶体管t1包括：第一晶体管第一电极t
101
，第一晶体管第二电极t
102
，第一晶体管第三电极t
103
，第二晶体管t2包括：第二晶体管第一电极t
201
，第二晶体管第二电极t
202
，第二晶体管第三电极t
203
。
[0101]
在其中的一个实施方式中，第一晶体管t1为npn三极管，第二晶体管t2为n沟道mosfet。
[0102]
第一晶体管第一电极t
101
为基极，第一晶体管第二电极t
102
为集电极，第一晶体管第三电极t
103
为发射极；
[0103]
第二晶体管第一电极t
201
为栅极，第二晶体管第二电极t
202
为漏极，第二晶体管第三电极t
203
为源极。
[0104]
第一晶体管第二电极t
102
与第二晶体管第一电极t
201
电性连接，第一晶体管第一电极t
101
作为开关第一端口101，第二晶体管第二电极t
202
作为开关第二端口102，第二晶体管第三电极t
203
作为开关第三端口103，第一晶体管第三电极t
103
作为开关第四端口104，如图6所示。
[0105]
第一阻容网络2包括：第一电容c1，第一电阻r1；其中，c1＝10nf，r1＝1kω。第一电阻r1的一端与第一电容c1的一端电性连接；第一电容c1的另一端作为第一阻容端口201与开关第一端口101电性连接，第一电阻r1的另一端作为第二阻容端口202与开关第二端口102电性连接。
[0106]
第二阻容网络3包括：第二电容c2，第二电阻r2；其中，c2＝100nf，r2＝1kω。第二电阻r2的一端与第二电容c2的一端电性连接，第二电阻r2与第二电容c2的连接处接地；第二电容c2的另一端作为第三阻容端口301与开关第一端口101电性连接，第二电阻r2的另一端作为第四阻容端口302，与开关第三端口103电性连接。
[0107]
上述电源缓启动电路还包括：负载电容cf，开关电源模块4；其中，cf＝100μf。
[0108]
负载电容cf并联于电源v
dd
与开关第二端口102之间。
[0109]
开关电源模块4包括：电源第一端口401和电源第二端口402；电源第一端口401和电源第二端口402分别连接于负载电容cf的两端，其中，电源第一端口401与电源v
dd
连接。
[0110]
电源缓启动电路还包括：第一二极管d1。
[0111]
第一二极管d1为稳压二极管，用于钳位开关第一端口101电压。
[0112]
第一二极管d1的阴极与开关第一端口101电性连接，第一二极管d1的阳极接地。
[0113]
电源缓启动电路还包括：第五电阻r5，第三电容c3，第二二极管d2；其中，r5＝1kω，c3＝1μf
[0114]
电源v
dd
依次串联第五电阻r5，第三电容c3后接地；第五电阻r5与第三电容c3连接处与第二二极管d2的阴极电性连接，第二二极管d2的阳极与开关第一端口101电性连接。
[0115]
对上述电路上电后，mosfet的栅极电压缓慢上升，当栅源电压v
gs
达到一定阈值后，第二二极管d2导通，第三电容c3充电，开关第一端口101处的电位随第三电容c3上升速率上升。在第三电容c3充电时，电压uv与时间t的关系由下式表示：
[0116][0117]
其中，τ为时间常数，τ的大小可以表示为：
[0118]
τ＝(r4||r5)c3[0119]
则，从上电至晶体管开启需要的时间为：
[0120][0121]
有电容充电电流公式：
[0122][0123]
可知，缓启动所需的时间为：
[0124][0125]
其中，i
rush
为冲击电流。
[0126]
产生冲击电流i
rush
时的栅极电压为：
[0127][0128]
其中，gs为跨导，具体gs值的大小可由mosfet的产品规格书中查询到。
[0129]
同时，栅源极电压稳定之后栅极电流，ig可由下式表示：
[0130][0131]
mosfet栅极电压vw时等于第一二极管d1的钳位电压，因此，栅极电流
[0132][0133]
当栅源电压保持一定时，栅源电压与漏源电压变化率相等，
[0134][0135]
由于漏源电压变化与c1，r4的乘积相关，冲击电流的上升速率可受到控制。
[0136]
特别地，根据本技术的实施例，上文参考流程图描述的过程可以被实现为计算机软件程序。例如，本技术的实施例包括一种计算机程序产品，其包括装载在计算机可读介质上的计算机程序，该计算机程序包含用于执行流程图所示的方法的程序代码。在这样的实施例中，该计算机程序可以通过通信装置从网络上被下载和安装，或者从存储器被安装，或者从rom被安装。在该计算机程序被外部处理器执行时，执行本技术的实施例的方法中限定
的上述功能。
[0137]
需要说明的是，本技术的实施例的计算机可读介质可以是计算机可读信号介质或者计算机可读存储介质或者是上述两者的任意组合。计算机可读存储介质例如可以是——但不限于——电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。计算机可读存储介质的更具体的例子可以包括但不限于：具有一个或多个导线的电连接、便携式计算机磁盘、硬盘、随机访问存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑磁盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。在本技术的实施例中，计算机可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。而在本技术的实施例中，计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了计算机可读的程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。计算机可读信号介质还可以是计算机可读存储介质以外的任何计算机可读介质，该计算机可读信号介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。计算机可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于：电线、光缆、rf(radio frequency,射频)等等，或者上述的任意合适的组合。
[0138]
上述计算机可读介质可以是上述服务器中所包含的；也可以是单独存在，而未装配入该服务器中。上述计算机可读介质承载有一个或者多个程序，当上述一个或者多个程序被该服务器执行时，使得该服务器：响应于检测到终端的外设模式未激活时，获取终端上应用的帧率；在帧率满足息屏条件时，判断用户是否正在获取终端的屏幕信息；响应于判断结果为用户未获取终端的屏幕信息，控制屏幕进入立即暗淡模式。
[0139]
可以以一种或多种程序设计语言或其组合来编写用于执行本技术的实施例的操作的计算机程序代码，程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java,smalltalk,c++，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算机上执行、部分地在用户计算机上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算机上部分在远程计算机上执行、或者完全在远程计算机或服务器上执行。在涉及远程计算机的情形中，远程计算机可以通过任意种类的网络——包括局域网(lan)或广域网(wan)—连接到用户计算机，或者，可以连接到外部计算机(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
[0140]
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统或系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的系统及系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。
[0141]
以上对本技术所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的方法及其
核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本技术的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本技术的限制。
[0142]
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。