技术特征：
1.一种全桥输出结构的电源反接保护电路，其特征在于，包括nmos管mn31、nmos管mn32、电感器、以及nmos管mn35，所述nmos管mn32一侧设有nmos管mn34，所述nmos管mn34一侧接地，所述nmos管mn32一侧设有电源vcc，所述电源vcc一侧设有nmos管mn31，所述nmos管mn31一侧设有nmos管mn33，所述nmos管mn33一端接地。2.根据权利要求1所述的一种全桥输出结构的电源反接保护电路，其特征在于，所述电感器一端安装在nmos管mn32与nmos管mn34之间，所述电感器远离安装在nmos管mn32与nmos管mn34之间的一端安装在nmos管mn31与nmos管mn33之间，所述电感器一侧设有寄生二极管d31，所述寄生二极管d31一端安装在nmos管mn31与nmos管mn32之间，所述电感器远离设有寄生二极管d31的一侧设有寄生二极管d32，所述寄生二极管d32一端安装在nmos管mn31与nmos管mn32之间，所述nmos管mn34与nmos管mn33之间连接，所述nmos管mn34与nmos管mn33之间设有寄生二极管d34，所述寄生二极管d34一端安装在电感器一侧，所述寄生二极管d34一侧设有寄生二极管d36，所述寄生二极管d36一端接地，所述寄生二极管d34一侧设有寄生二极管d33，所述寄生二极管d33安装在电感器一侧，所述寄生二极管d33一侧设有寄生二极管d35，所述寄生二极管d35一端接地。3.根据权利要求2所述的一种全桥输出结构的电源反接保护电路，其特征在于，所述nmos管mn35一端安装在nmos管mn31与nmos管mn32之间，所述nmos管mn35的一端接地，所述nmos管mn35一侧安装在nmos管mn34与nmos管mn33之间，所述nmos管mn35安装在nmos管mn34与nmos管mn33之间的线路上设有寄生二极管d37，所述寄生二极管d37一端接地。
技术总结
本实用新型提供了一种全桥输出结构的电源反接保护电路，包括NMOS管MN31、NMOS管MN32、电感器、以及NMOS管MN35，所述NMOS管MN32一侧设有NMOS管MN34，所述NMOS管MN34一侧接地，所述NMOS管MN32一侧设有电源VCC，所述电源VCC一侧设有NMOS管MN31，所述NMOS管MN31一侧设有NMOS管MN33，所述NMOS管MN33一端接地，通过内置MOSFET保护管控制输出驱动管的衬底电位，当电源极性正向接通时，不影响输出驱动管的工作状态，而当电源处于反向接通时，通过控制衬底电位使得输出驱动的寄生二极管处于反向偏置状态，截断了电源对地的电流通路，从而避免反接时出现大电流情况烧毁输出管。接时出现大电流情况烧毁输出管。接时出现大电流情况烧毁输出管。
技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：上海鑫雁微电子股份有限公司
技术研发日：2022.05.11
技术公布日：2022/11/14