技术特征：
1.一种半桥驱动集成电路，其特征在于，所述半桥驱动集成电路包括：逻辑控制单元、高侧驱动单元、低侧驱动单元、第一mos管和第二mos管；所述逻辑控制单元的输入端分别与外部mcu、高侧驱动单元、低侧驱动单元相连，用于接收外部mcu发出的第一控制信号和第二控制信号，还用于根据所述第一控制信号向所述高侧驱动单元发出第一逻辑信号，还用于根据所述第二控制信号向所述低侧驱动单元发出第二逻辑信号；所述高侧驱动单元与所述第一mos管的栅极相连，用于根据所述第一逻辑信号向所述第一mos管发出高侧驱动信号控制所述第一mos管导通或截止；所述第一mos管的源极与第一电源端相连，所述第一mos管的漏极与电机相连；所述低侧驱动单元与所述第二mos管的栅极相连，用于根据所述第二逻辑信号向所述第二mos管发出低侧驱动信号控制所述第二mos管导通或截止；所述第二mos管的漏极与所述第一mos管的漏极相连，所述第二mos管的源极接地。2.如权利要求1所述的一种半桥驱动集成电路，其特征在于，所述半桥驱动集成电路还包括：内部电源电路单元；所述内部电源电路单元分别与所述第一电源端和所述逻辑控制单元相连，用于控制所述第一电源端是否向所述逻辑控制单元提供电能。3.如权利要求2所述的一种半桥驱动集成电路，其特征在于，所述半桥驱动集成电路还包括：零待机单元；所述零待机单元分别与所述逻辑控制单元的输入端、内部电源电路单元相连，用于当检测到所述逻辑控制的单元的输入端在预设时间内未接收到所述第一控制信号和第二控制信号时向所述内部电源电路单元发出待机信号，使所述内部电源电路单元与所述第一电源端断开。4.如权利要求1所述的一种半桥驱动集成电路，其特征在于，所述半桥驱动集成电路还包括：死区调节单元；所述死区调节单元分别与所述逻辑控制单元、所述第一mos管的栅极和所述第二mos管的栅极相连，用于采集所述第一mos管的栅极的第一工作电压，还用于采集所述第二mos管的栅极的第二工作电压，还用于根据所述第一工作电压和所述第二工作电压向所述逻辑控制单元发出死区调节信号；所述逻辑控制单元还用于根据所述死区调节信号分别向所述高侧驱动单元和所述低侧驱动单元发出第一调节逻辑信号和第二调节逻辑信号；所述高侧驱动单元还用于根据所述第一调节逻辑信号调节所述第一mos管的功率；所述低侧驱动单元还用于根据所述第二调节逻辑信号调节所述第二mos管的功率。5.如权利要求4所述的一种半桥驱动集成电路，其特征在于，所述死区调节单元包括：第一比较器和第二比较器；所述逻辑控制单元包括第一与门和第二与门；所述第一比较器的第一输入端与内部电源电路单元相连，用于采集所述内部电源电路单元输出的第一参考电压；所述第一比较器的第二输入端与所述第一mos管的栅极相连，用于采集所述第一mos管的栅极的第一工作电压；所述第一比较器的输出端与所述第一与门的第二输入端相连，用于根据第一参考电压和所述第一工作电压向所述第一与门发出第一死区调节信号；
所述第一与门的第一输入端与所述外部mcu相连，用于接收所述第一控制信号，所述第一与门的输出端与所述高侧驱动单元相连，用于根据接收到的所述第一控制信号和所述第一死区调节信号向所述高侧驱动单元发出第一调节逻辑信号，使所述高侧驱动单元根据所述第一调节逻辑信号调节所述第一mos管的功率；所述第二比较器的第一输入端与内部电源电路单元相连，用于采集所述内部电源电路单元输出的第二参考电压；所述第二比较器的第二输入端与所述第二mos管的栅极相连，用于采集所述第二mos管的栅极的第二工作电压；所述第二比较器的输出端与所述第二与门的第二输入端相连，用于根据第二参考电压和所述第二工作电压向所述第二与门发出第二死区调节信号；所述第二与门的第一输入端与所述外部mcu相连，用于接收所述第二控制信号，所述第二与门的输出端与所述低侧驱动单元相连，用于根据接收到的所述第二控制信号和所述第二死区调节信号向所述低侧驱动单元发出第二调节逻辑信号，使所述低侧驱动单元根据所述第二调节逻辑信号调节所述第二mos管的功率。6.如权利要求1所述的一种半桥驱动集成电路，其特征在于，所述半桥驱动集成电路还包括：欠压保护单元；所述欠压保护单元分别与第一电源端和所述逻辑控制单元相连，用于根据采集所述第一电源电源端的第一输入电压，还用于根据所述第一输入电压的大小控制是否输出第一逻辑信号和第二逻辑信号。7.如权利要求1所述的一种半桥驱动集成电路，其特征在于，所述半桥驱动集成电路还包括：过温保护单元；所述过温保护单元分别与所述第一mos管、第二mos管和逻辑控制单元相连，用于采集所述第一mos管的pn节电压和所述第二mos管的pn节电压并将所述第一mos管的pn节电压和所述第二mos管的pn节电压与预设过温保护电压进行比较得到过温保护比较结果，使所述逻辑控制单元根据所述过温比较结果是否输出第一逻辑信号和第二逻辑信号。8.如权利要求7所述的一种半桥驱动集成电路，其特征在于，所述半桥驱动集成电路还包括：短路保护单元；所述过温保护单元分别与外部mcu和所述第二mos管的源极相连，用于分别监测所述外部mcu发出的第一控制信号和第二控制信号，还用于采集所述第二mos管的源极的电压，还用于根据第一控制信号、第二控制信号和所述第二mos管的源极的电压向所述逻辑控制单元发出短路保护信号，使所述逻辑控制单元根据短路保护信号输出第一逻辑信号和第二逻辑信号，从而使所述高侧驱动单元输出高侧驱动信号控制所述第一mos管截止，使所述低侧驱动单元输出低侧驱动信号控制所述第二mos管截止。9.如权利要求1-8任一项所述一种半桥驱动集成电路，其特征在于，所述集成电路的封装采用：sop8/esop8封装、dfn3*3-8l封装或to252-4封装。10.一种电机驱动电路，其特征在于，所述电机驱动电路包括：mcu、第一半桥驱动集成电路、第二半桥驱动集成电路和第三半桥驱动集成电路，所述每个半桥驱动集成电路包括权利要求1-8任一项所述的一种半桥驱动集成电路；所述第一半桥驱动集成电路的输入端分别与所述mcu的第一输出端相连，用于接收所述mcu发出的第一控制信号和第二控制信号；所述第一半桥驱动集成电路的输出端与电机
的第一相相连，用于向所述电机发出第一驱动信号；所述第二半桥驱动集成电路的输入端分别与所述mcu的第二输出端相连，用于接收所述mcu发出的第一控制信号和第二控制信号；所述第二半桥驱动集成电路的输出端与电机的第二相相连，用于向所述电机发出第二驱动信号；所述第三半桥驱动集成电路的输入端分别与所述mcu的第三输出端相连，用于接收所述mcu发出的第一控制信号和第二控制信号；所述第三半桥驱动集成电路的输出端与电机的第三相相连，用于向所述电机发出第三驱动信号；其中，所述每个驱动信号通过每个半桥驱动集成电路的第一mos管的漏极输出。
技术总结
本实用新型提供了一种半桥驱动集成电路及电机驱动电路，所述半桥驱动集成电路包括：逻辑控制单元、高侧驱动单元、低侧驱动单元、第一MOS管和第二MOS管；将逻辑控制单元、高侧驱动单元、低侧驱动单元、第一MOS管和第二MOS管集成于一体，避免了现有技术中采用PN驱动芯片与6个分立的MOS管组成的驱动电路需要大量走线导致EMI特性差的情况，且仅仅将两个MOS管和高侧驱动单元、低侧驱动单元、逻辑控制单元集成在一起作为单相桥臂驱动电路，在使用时采用三个半桥驱动集成电路分别与电机的三相电机相连实现对电机的驱动，可在根据实际需要在PCB上灵活布置每个半桥驱动集成电路的位置，2个功率管产生的热量较低，具有良好的散热性。具有良好的散热性。具有良好的散热性。
技术研发人员：彭晓燕
受保护的技术使用者：中微渝芯（重庆）电子科技有限公司
技术研发日：2022.10.09
技术公布日：2023/2/27