技术特征：1.一种用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路，其特征在于，所述电路包括：依次连接的自举钳位稳压电路和hs负偏压能力提升电路；
2.根据权利要求1所述的用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路，其特征在于，所述自举钳位稳压电路，具体包括：
3.根据权利要求1所述的用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路，其特征在于，所述hs负偏压能力提升电路，具体包括：
4.根据权利要求3所述的用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路，其特征在于，所述三极管q1，采用双极型晶体管实现。
5.根据权利要求3所述的用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路，其特征在于，所述高压电平位移电路，具体包括：
6.一种用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电方法，其特征在于，所述方法基于如权利要求1至5任一项所述的用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路实施，所述方法包括：
技术总结本发明属于集成电路领域，具体涉及了一种用于半桥型氮化镓栅极驱动器的高侧供电电路和供电方法，旨在解决现有的供电电路稳定性不足的问题。本发明包括：依次连接的自举钳位稳压电路和HS负偏压能力提升电路；自举钳位稳压电路包括：低压电平位移电路、驱动电路、开关PMOS管、高压自举二极管D<subgt;BST1</subgt;和线性稳压器；HS负偏压能力提升电路包括：自举电容C<subgt;BST</subgt;、三通道集成自举子电路、高压电平位移电路、RS触发器和高侧输出驱动电路。本发明使高侧电源HB与高侧地HS之间的压差保持为恒定的5V，实现对GaN器件栅极的钳位保护，通过三通道集成电路避免电平位移电路的电源随HS变负而下降，提升电平位移电路的抗HS负偏压能力。
技术研发人员：胡一凡,王勇,王瑛,彭领,孔瀛
受保护的技术使用者：北京微电子技术研究所
技术研发日：技术公布日：2024/1/15