一种基于主动式MTPA策略的类磁阻式反凸极容错电机及其驱动、设计方法

文档序号:36805228发布日期:2024-01-23 12:33阅读:42来源:国知局
一种基于主动式MTPA策略的类磁阻式反凸极容错电机及其驱动、设计方法

本发明属于电机及其智能化控制,涉及一种基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机及其驱动、设计方法。


背景技术:

1、现代机械制造、交通运输、航空航天、农业生产及家用电器等领域对高可靠强容错电机有着迫切的需求。反凸极永磁容错电机,具有高转矩输出、高效率、宽调速范围和较强的容错运行能力。该类电机通过特殊的定转子结构实现了容错能力与反凸极特性(直轴电感大于交轴电感,即ld>lq),使得电机获得了较强的无传感器运行能力。对于永磁同步电机,高凸极率能带来高功率密度以及较高的磁阻转矩分量,而提高磁阻转矩利用率能够进一步增加电机的输出转矩,减少电机对永磁体的依赖。然而,反凸极永磁容错电机由于采用集中绕组,凸极率往往较低,导致电机磁阻转矩分量低,交叉耦合及饱和效应明显,调速范围窄。同时,电机的转子通常采用对称结构,磁阻转矩利用率很低,导致输出转矩受限。这大大限制了该类电机的应用场合。

2、为克服电机凸极率较低的问题,相关研究采用如设置分布绕组与多层磁障的方式。其中,中国发明专利cn111654124b提出了一种改进的槽极配合关系,实现了较高的凸极率。然而,这些方式皆应用于传统正凸极(lq>ld)电机,对于反凸极容错电机,容错特性限制了电机的绕组形式,反凸极特性对于转子结构也有不同要求,因此无法直接沿用现有提高凸极率的方式。此外,为克服磁阻转矩利用率低的问题,相关研究提出采用如设置不对称磁障与聚磁结构的方式。其中,中国发明专利cn115395691a提出了一种永磁体偏置的转子结构,提升了磁阻转矩的利用率。但是,对于反凸极容错电机,反凸极特性的实现限制了永磁体与磁障的位置,现有应用于正凸极(lq>ld)电机中提高磁阻转矩利用率的方式仍需进一步探索和改进。

3、另一方面,从控制角度,为充分利用电机的磁阻转矩,提高电机的转矩输出性能,一般采用基于虚拟信号注入的mtpa(vsi-mtpa)控制策略。然而,传统vsi-mtpa控制策略应用于正凸极电机中,未考虑电机交叉耦合及饱和效应的影响,导致mtpa控制精度受运行工况影响较大。并且,反凸极电机具有的反凸极特性使其与传统正凸极电机在vsi-mtpa控制上运行轨迹所在象限以及d轴电流的正负均不同。亟待提出一种适用于反凸极电机的高精度vsi-mtpa控制策略。

4、因此,亟待从电机设计与控制两方面,克服反凸极永磁容错电机反凸极率与磁阻转矩利用率低的问题,以降低交叉耦合及饱和效应的影响,提高电机的转矩输出能力。


技术实现思路

1、发明目的:本发明针对现有技术中存在的问题,提出一种基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机及其驱动、设计方法,将vsi-mtpa控制精度提前考虑到设计阶段,从电机设计与控制两方面,克服反凸极永磁容错电机反凸极率与磁阻转矩利用率低的问题,以降低交叉耦合及饱和效应的影响,提高电机的转矩输出能力。

2、技术方案:为实现上述发明目的,本发明提供了一种基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机驱动系统。包括:五相类磁阻式反凸极容错电机(1)、park变换模块(2)、基于补偿因子的高精度vsi-mtpa控制模块(3)、pi控制器(4)、反park变换模块(5)、svpwm模块(6)及逆变器模块(7)。具体包括以下步骤:

3、步骤1),设计一种基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机,通过在设计阶段统筹考虑vsi-mtpa控制精度,以获取良好的mtpa控制精度及容错性能;

4、步骤2),为充分发挥所述步骤1)中类磁阻式反凸极容错电机优越的mtpa控制精度,提出相应的最优电流矢量角与基于补偿因子的高精度vsi-mtpa控制策略,进一步提升mtpa控制驱动系统的动稳态性能;

5、步骤3),基于所述步骤1)中新型基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机和步骤2)中mtpa控制方法,构建五相类磁阻式反凸极容错电机mtpa驱动控制系统。

6、进一步,所述步骤1)中,一种基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机,其特征在于:所述电机由内向外依次包括转轴(8)、转子(9)、定子(10);所述定子由定子轭(20)、电枢齿(12)、定子槽(18)、容错齿(13)组成;沿定子(10)内圆周方向间隔均匀分布电枢齿(12)和容错齿(13),所述电枢齿(12)上绕有电枢绕组(11),电枢绕组(11)不完全充满定子槽(18),两相邻的电枢绕组(11)之间由容错齿(13)进行隔离;沿转子(9)外圆周方向间隔分布主永磁体(14),所述主永磁体(14)采用内嵌式矩形永磁体;两相邻主永磁体(14)之间靠近气隙侧存在q轴磁障(16),所述q轴磁障(16)与定子(10)内圆形成非均匀气隙;两相邻主永磁体(14)之间靠近转轴(8)侧存在不对称u型磁障(17),所述不对称u型磁障(17)与q轴磁障(16)之间形成导磁桥(19);,所述不对称u型磁障(17)的长端存在矩形辅助永磁体(15),辅助永磁体(15)与相邻主永磁体(14)之间形成串联,构成一个磁极。

7、进一步,所述定子(10)和转子(9)均采用导磁材料硅钢片叠压而成,叠压系数为0.96;电枢绕组(11)采用漆包铜导体材料,转轴(8)由不导磁材料组成;

8、进一步,所述电枢绕组(11)为单层集中绕组。

9、进一步,所述定子齿的齿数是2m的倍数,且定子齿的数量与转子极数之差为4,其中m为电机的相数。

10、设计q轴磁障(16)位于两相邻主永磁体(14)之间靠近气隙侧,沿转子(9)圆周方向分布,不对称u型磁障(17)位于两相邻主永磁体(14)之间靠近转轴(8)侧。

11、进一步,所述q轴磁障(16)关于定义的电机q轴对称,不对称u型磁障(17)的轴线与定义的电机q轴之间存在偏移距离l1。

12、进一步,所述主永磁体(14)与辅助永磁体(15)为钕铁硼永磁磁钢,充磁方向为平行于永磁体厚度方向,两个相邻的主永磁体(14)充磁方向相反,其中一个为背离圆心,另一个为指向圆心;辅助永磁体(15)充磁方向沿圆周方向,相邻两个辅助永磁体(15)充磁方向相反使得辅助磁场与主磁场形成磁路串联。

13、进一步,所述主永磁体(14)的轴线与定义的电机d轴之间存在偏移距离l2。

14、进一步,所述电机由永磁体产生单一励磁源,满足电机主磁通=漏磁通+有效主磁通。

15、进一步,q轴磁障(16)轴线的位置为定义的电机q轴,与其相差90度电角度的位置,为定义的电机d轴。

16、本发明提供的一种基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机,其具体设计方法如下:

17、步骤1.1)利用容错电机的改进槽极配合设计方法,初步确定定子(10)齿数和转子(9)极对数,基于基波合成矢量最大原则,确定槽矢量分配,增加了电机的反凸极率与磁阻转矩利用率;

18、步骤1.2)在相邻主永磁体(14)之间设置q轴磁障(16)与不对称u型磁障(17),增加交轴磁阻,从而进一步提高电机的反凸极特性;

19、步骤1.3)将不对称u型磁障(17)进行偏置,不对称u型磁障(17)的轴线与定义的电机q轴之间的偏移距离为l1,有利于提高电机的磁阻转矩利用率;

20、步骤1.4)将主永磁体(14)进行偏置,主永磁体(14)的轴线与定义的电机d轴之间存在偏移距离l2,从而进一步提高电机的磁阻转矩利用率;

21、步骤1.5)在不对称u型磁障(17)的长端设置沿圆周方向充磁的辅助永磁体(15),使其在不影响d轴磁阻的情况下,提供辅助磁场,提升电机的转矩输出能力;

22、步骤1.6)对主永磁体(14)、辅助永磁体(15)、q轴磁障(16)和不对称u型磁障(17)参数进行优化,获得良好的反凸极特性与磁阻转矩利用率;通过在电机设计阶段提前考虑vsi-mtpa控制精度,以实现基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机的设计。

23、通过基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机的设计,可以有效提高电机的反凸极率与磁阻转矩利用率,提升mtpa控制精度。为充分实现所述类磁阻式反凸极容错电机优越的mtpa控制精度,本发明还提供了相应的高精度vsi-mtpa控制策略。

24、进一步,所述步骤2)中,最优电流矢量角与基于补偿因子的高精度vsi-mtpa控制策略实现的具体步骤如下:

25、2.1)通过分析五相反凸极容错电机mtpa控制的电流轨迹曲线,得到适用于该类电机mtpa控制的最优电流矢量角。

26、对于五相类磁阻式反凸极容错电机,其同步旋转坐标系下的电磁转矩表达式为

27、

28、式中,te为电磁转矩;pn为极对数;ld、lq分别为基波空间下d、q轴的电感;ψf为基波永磁磁链幅值;is为电流矢量的幅值;θ为电流矢量与q轴的夹角,在0°~90°的范围内。

29、在只考虑铜损的情况下,可得稳态下机械功率的表达式为

30、

31、式中,pm、pe、pcu分别为电机的机械功率、输入功率、铜损;ud、uq、id、iq分别为基波空间下的电压和电流的直、交轴分量;rs为定子电阻。根据转矩与机械功率的关系,可得电磁转矩的表达式为

32、

33、式中,ωm为机械角速度;

34、五相类磁阻式反凸极容错电机的mtpa控制轨迹在第一象限,此时最优电流矢量角对应的d轴电流为正,电机不存在永磁体退磁的风险;其电磁转矩方程与式(3)相同,将θ代入后求偏导,且使之等于零,有

35、

36、求解式(4),得五相类磁阻式反凸极容错电机的最优电流矢量角θfi为

37、

38、由式(5)可得对应的d轴电流为

39、

40、由式(6)可以看出,由θfi计算出的d轴电流大于零,满足类磁阻式反凸极容错电机mtpa控制轨迹在第一象限的条件;因此,五相类磁阻式反凸极容错电机的理论最优电流矢量角可由式(6)得出。

41、2.2)在所述步骤2.1)的基础上,结合基于补偿因子的vsi-mtpa控制策略,进一步提升mtpa控制驱动系统的动稳态性能。

42、由于五相类磁阻式反凸极容错电机mtpa控制的d轴电流大于零,需重构其总输入功率pe表达式为

43、

44、进而得五相磁场增强型永磁容错同步电机的机械功率方程为

45、

46、由转矩与机械功率的关系pm/ωm=te可得

47、

48、将式(9)代入式(3),可得

49、

50、向电流矢量角中注入高频信号θh,需要注意的是,带高频信号的电流因mtpa控制轨迹不同,需进行重构,具体为

51、

52、式中,分别为电流包含高频信号的直轴和交轴分量;a为θh的幅值;ωh为注入信号频率。结合式(10)和(11),得五相类磁阻式反凸极容错电机的虚拟转矩表达式为

53、

54、然而,由于本质上均只基于功率方程,仍然存在mtpa点追踪精度不高的问题;为此,在此基础上,考虑五相类磁阻式反凸极容错电机的电压方程,在虚拟转矩公式中引入补偿因子ξ,以减小误差;根据该新型电机在同步旋转坐标系下的稳态电压方程,其中代入ξ后可得

55、

56、式中,ξ=pnld。将式(11)和式(13)代入式(3)中,得修正后补偿的虚拟转矩为

57、

58、为提取的相关信息,将式(13)泰勒级数展开,并通过带通滤波器bpf滤波有

59、

60、式中,k为bpf的增益。再经低通滤波器lpf滤波,得到正比于的常数项;最后,滤波后的结果通过纯积分器进行处理;若此时未达到mtpa点,信号处理模块输出结果与成正比,其输出用以积分器调整d轴参考电流大小;若达到mtpa点,信号处理模块输出结果为零,积分器将生成五相类磁阻式反凸极容错电机mtpa控制的给定d轴电流。

61、进一步,所述步骤3)中,基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机驱动系统,其特征在于:

62、五相类磁阻式反凸极容错电机(1)作为系统的驱动电机模块,输出电磁转矩te、五相电流iabcde、转子位置及转速信息;

63、五相电流iabcde通过所述park变换模块(2)获取反馈交直轴电流信号;

64、基于补偿因子的高精度vsi-mtpa控制模块(3),通过反馈机械角速度ωm,电流信号idq,电压信号udq与注入的高频虚拟信号θh获得虚拟转矩并使用补偿因子ξ对进行补偿,进而获取的相关信息,用以积分器调整d轴参考电流大小,从而获取最优直轴给定电流i*d;

65、pi控制器(4)用于调节给定电流i*d1q1d3q3与反馈电流id1q1d3q3的偏差,获取给定交直轴电压信号ud1q1d3q3;

66、反park变换模块(5)用于反变换给定交直轴电压信号ud1q1d3q3,获取静止坐标系下的电压信号uα1α3β1β3;

67、svpwm模块(6)用于将给定两相静止坐标系下的电压信号uα1α3β1β3调制成驱动电机所需的十路pwm脉冲信号;

68、逆变器模块(7)通过十路pwm脉冲信号输出五相电压信,给所述五相类磁阻式反凸极容错电机(1)提供电源。

69、本发明的有益效果:

70、(1)本发明首次从电机设计和控制的角度,统筹考虑电机驱动系统的mtpa控制精度,提出一种基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机驱动系统。将mtpa控制精度提前考虑到电机设计阶段,提出基于主动式mtpa策略的类磁阻式反凸极容错电机,以抑制电机交叉耦合及饱和效应。同时,针对此类反凸极容错电机,提出相应的基于补偿因子的vsi-mtpa控制策略,实现较高的动稳态性能,以应对复杂多变的运行工况。

71、(2)本发明通过相数冗余增加电机故障容错能力,同时采用分数槽集中绕组,使得电机不同相间可以通过容错齿实现相间磁隔离,降低不同相间磁路耦合,在很大程度上提高了电机的可靠性。与传统电机设计不同,本发明考虑电机交叉耦合及饱和效应对控制精度影响,采用改进的槽极配合设计方法,选择10槽/6极的槽极组合,并在转子上巧妙地设置“q轴磁障”与“不对称u型磁障”,增加了电机的磁阻转矩分量,减少了永磁体的用量,同时使得电机具有较好的反凸极特性,有效抑制了电机交叉耦合及饱和效应,创造性地从电机设计角度提高了mtpa控制精度。

72、(3)为进一步提高磁阻转矩利用率,本发明电机巧妙地将“主永磁体”与“不对称u型磁障”进行偏置,主永磁体的轴线与定义的电机d轴之间的偏移距离为l2,不对称u型磁障的轴线与定义的电机q轴之间的偏移距离为l1。这样的设置,能够实现磁轴的偏移,使磁阻转矩峰值对应的电流角向永磁转矩峰值对应的电流角靠近,提高了磁阻转矩利用率。

73、(4)为进一步提升电机的转矩输出能力,本发明巧妙地在“不对称u型磁障”的长端设置了“辅助永磁体”,在不影响d轴磁阻的情况下,提供辅助磁场,强化了磁轴偏移的效果,提升了电机的转矩输出能力。

74、(5)从电机驱动控制角度,针对五相类磁阻式反凸极容错电机的反凸极特性,充分考虑多工况运行下电机交叉耦合及饱和效应的影响,提出了基于补偿因子的高精度vsi-mtpa控制策略,有效抑制电机交叉耦合及饱和效应对mtpa控制精度的影响,提高了电机vsi-mtpa控制系统的mtpa点追踪精度和鲁棒性,具有较高的动稳态性能。

75、(6)本发明从电机设计和控制角度,综合提高了电机mtpa控制精度,为现代mtpa控制理论提供了新的思路,有利于促进反凸极容错电机mtpa控制理论的发展。

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