最大输入电压选择输出电路、方法及应用其的芯片与流程

本发明涉及集成电路，具体涉及一种最大输入电压选择输出电路、方法及应用其的芯片。

背景技术：

1、在实际应用中，为了避免供电的异常，往往接入多个输入电源，再从多个输入电源中选择最大的电源为电路进行供电。因此，有必要设计一种选出压降较小，并实现不同输入电源之间相互隔离的最大输入电压选择输出电路。

技术实现思路

1、本发明提供了一种最大输入电压选择输出电路、方法及应用其的芯片。

2、根据本发明第一方面，提供了一种最大输入电压选择输出电路，包括n个输入端，n个输入端分别对应接收n个输入电压，n为大于1的正整数，其特征在于，所述最大输入电压选择输出电路还包括：

3、n个p型晶体管，所述n个p型晶体管的第一端分别一一对应接收所述n个输入电压；

4、n个低导通压降及隔离电路，所述n个p型晶体管的第二端分别与所述n个低导通压降及隔离电路的第一端一一对应连接，所述n个低导通压降及隔离电路的第二端与输出端连接；

5、偏置电压产生电路，所述偏置电压产生电路的第一端与所述输出端连接；所述n个p型晶体管的控制端与所述偏置电压产生电路的第二端连接；

6、偏置电流产生电路，所述偏置电流产生电路设置在所述偏置电压产生电路的第二端与接地端之间的支路上；

7、其中，所述n个输入电压中的最大输入电压经过与其对应的p型晶体管及低导通压降及隔离电路后在所述输出端产生输出电压；除最大输入电压之外的其余输入电压分别对应的p型晶体管为关断状态。

8、可选地，与其余输入电压分别对应的p型晶体管所在支路的低导通压降及隔离电路在其第二端到其第一端之间的压降为第一电压；

9、其中，基于偏置电压产生电路上的压降及所述第一电压的大小，使得与其余输入电压分别对应的p型晶体管的控制端与第二端之间的差值达不到其开启阈值电压，使其为关断状态；所述偏置电压产生电路上的压降为其第一端到第二端之间的压降。

10、可选地，每个低导通压降及隔离电路包括低开启阈值电压的n型晶体管，所述低开启阈值电压的n型晶体管的控制端与其第一端连接；所述低开启阈值电压的n型晶体管的第一端为所述低导通压降及隔离电路的第一端；所述低开启阈值电压的n型晶体管的第二端与所述输出端连接。

11、可选地，每个低导通压降及隔离电路包括齐纳二极管，所述齐纳二极管连接在所述低导通压降及隔离电路的第一端与第二端之间的支路上；其中，所述齐纳二极管的阳极靠近所述低导通压降及隔离电路的第一端设置。

12、可选地，所述偏置电压产生电路包括m个n型晶体管，所述m个n型晶体管依次串联连接，所述m个n型晶体管中的每个晶体管的控制端与其第一端连接；其中，所述偏置电压产生电路的压降为所述m个n型晶体管的开启阈值电压之和，m为大于等于1的正整数。

13、可选地，当所述n个输入电压为高压输入时，所述n个p型晶体管为高压晶体管，且在所述偏置电压产生电路和所述偏置电流产生电路之间还设置有高压晶体管。

14、可选地，在所述偏置电压产生电路的第一端和第二端之间还设置有电容。

15、本发明还提供了一种芯片，其特征在于，包括上文所述的最大输入电压选择输出电路。

16、本发明还提供了一种最大输入电压选择输出方法，设置有n个输入端，n个输入端分别对应接收n个输入电压，n为大于1的正整数，其特征在于，所述最大输入电压选择输出方法还包括：

17、n个p型晶体管分别一一对应接收所述n个输入电压；

18、所述n个输入电压分别经过所述n个p型晶体管后，再分别作用于n个低导通压降及隔离电路后在输出端产生输出电压；

19、所述输出电压经过偏置电压产生电路后作用于所述n个p型晶体管的控制端；

20、在所述偏置电压产生电路和接地端之间还设置有偏置电流产生电路；

21、其中，所述输出电压由所述n个输入电压中的最大输入电压经过与其对应的p型晶体管及低导通压降及隔离电路后产生；除最大输入电压之外的其余输入电压分别对应的p型晶体管为关断状态。

22、可选地，与其余输入电压分别对应的p型晶体管所在支路的低导通压降及隔离电路在其第二端到其第一端之间的压降为第一电压；

23、其中，基于偏置电压产生电路上的压降及所述第一电压的大小，使得与其余输入电压分别对应的p型晶体管的控制端与第二端之间的差值达不到其开启阈值电压，使其为关断状态；所述偏置电压产生电路上的压降为其第一端到第二端之间的压降。

24、可选地，每个低导通压降及隔离电路包括齐纳二极管，所述齐纳二极管连接在所述低导通压降及隔离电路的第一端与第二端之间的支路上；其中，所述齐纳二极管的阳极靠近所述低导通压降及隔离电路的第一端设置。

25、可选地，当所述n个输入电压为高压输入时，所述n个p型晶体管为高压晶体管，且在所述偏置电压产生电路和所述偏置电流产生电路之间还设置有高压晶体管。

26、可选地，在所述偏置电压产生电路的第一端和第二端之间还设置有电容。

27、本发明的有益效果至少包括：

28、综上，本发明提供的最大输入电压选择输出电路、方法及应用其的芯片，包括n个输入端，n个输入端分别对应接收n个输入电压，n为大于1的正整数，n个p型晶体管的第一端分别一一对应接收n个输入电压；n个p型晶体管的第二端分别与n个低导通压降及隔离电路的第一端一一对应连接，n个低导通压降及隔离电路的第二端与输出端连接；偏置电压产生电路的第一端与输出端连接；n个p型晶体管的控制端与偏置电压产生电路的第二端连接；偏置电流产生电路设置在偏置电压产生电路的第二端与接地端之间的支路上；其中，n个输入电压中的最大输入电压经过与其对应的p型晶体管及低导通压降及隔离电路后在输出端产生输出电压；除最大输入电压之外的其余输入电压分别对应的p型晶体管为关断状态。本发明通过上述设置可以实现与最大输入电压对应的p型晶体管的导通，并可以使得除最大输入电压之外的其余输入电压对应的p型晶体管关断，以防止不同输入电压之间的相互导通，导致器件损坏，保证输出电压的可靠性；并且通过低导通压降及隔离电路可以使得最大输入电压与输出电压之间的压降较小，降低功耗。

29、进一步地，在低导通压降及隔离电路的第一端和第二端之间还设置有齐纳二极管，防止p型晶体管的控制端与第二端之间的电压过大导致p型晶体管损坏，用于实现对p型晶体管的保护。

30、进一步地，在偏置电压产生电路的第一端和第二端之间还设置有电容，当存在输入电压快速变化时，将该变化快速地反馈到p型晶体管的控制端，以防止不同输入电压之间的相互导通。

31、进一步地，当n个输入电压为高压输入时，n个p型晶体管为高压晶体管，且在偏置电压产生电路和偏置电流产生电路之间还设置有高压晶体管用于承受高压，避免器件的损坏。

32、应当说明的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。