电源控制电路、电源装置以及电子设备的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种电源控制电路、电源装置以及电子设备，尤其涉及一种应用利用线圈进行的准谐振动作之电源控制电路、电源装置以及电子设备。
【背景技术】
[0002]业界提出了进行准谐振(QR =Quasi Resonance)动作的开关电源装置(例如，参照专利文献I?5)。
[0003]在进行QR动作的电路构成中，例如，必须监视流通于DC(Direct Current,直流电)/DC转换器的一次侧线圈中的电流，而进行线圈放电时序中的零交叉(Zero Cross)点或共振动作中的底部检测。
[0004][【背景技术】文献]
[0005][专利文献]
[0006][专利文献I]日本专利特开2010-45939号公报
[0007][专利文献2]日本专利特开2007-110878号公报
[0008][专利文献3]日本专利特开2007-104759号公报
[0009][专利文献4]日本专利特表2009-527215号公报
[0010][专利文献5]国际公开第W02011/122314号
【发明内容】
[0011][发明所要解决的问题]
[0012]本发明的目的在于提供一种电源控制电路、应用了该电源控制电路的电源装置以及电子设备，该电源控制电路利用线圈进行准谐振，并且能以简易的构成监视流通于线圈中的电流，而进行零交叉点或共振动作中的底部检测。
[0013][解决问题的技术手段]
[0014]根据本发明的一态样，可提供一种电源控制电路，包括:高通滤波器，连接于MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金氧半场效晶体管)的漏极，该MOSFET在连接于交流线的电感与连接于接地电位的电流感应电阻之间串列连接；以及准谐振控制电路，连接于所述高通滤波器及所述M0SFET，可基于所述高通滤波器的输出，在导通所述电感的电感电流的放电时序中的零交叉点或底部时点进行所述电感电流的准谐振控制。
[0015]根据本发明的另一态样，可提供一种电源装置，包括:电感，连接于交流线；电流感应电阻，连接于接地电位；M0SFET，串列连接于所述电感与所述电流感应电阻之间；高通滤波器，连接于所述MOSFET的漏极；以及准谐振控制电路，连接于所述高通滤波器及所述M0SFET，可基于所述高通滤波器的输出，在导通所述电感的电感电流的放电时序中的零交叉点或底部时点进行所述电感电流的准谐振控制。
[0016]根据本发明的又一态样，可提供一种搭载了所述电源装置的电子设备。
[0017][发明的效果]
[0018]根据本发明，可提供电源控制电路、应用了该电源控制电路的电源装置以及电子设备，该电源控制电路利用线圈进行准谐振，并且能以简易的构成监视流通于线圈中的电流，而进行零交叉点或共振动作中的底部检测。
【附图说明】
[0019]图1是比较例的电源装置的示意性电路构成图。
[0020]图2是比较例的电源装置的详细电路构成图。
[0021]图3是实施方式的电源装置的示意性电路构成图。
[0022]图4是实施方式的电源装置的详细电路构成图。
[0023]图5(a)是比较例的电源装置的变压器的辅助绕线及电感部分的电路构成图，(b)是实施方式的电源装置的电感部分的电路构成图。
[0024]图6是不应用QR频率控制而进行PWM(Pulse-Width Modulat1n，脉宽调制)频率固定控制的动作说明图，(a)是栅极电压Ve波形例，(b)是电流感应电压Vffi波形例，(C)是电感电流込波形例，⑷是漏极电压Vd波形例，(e)是稳压端子电压Vzt波形例。
[0025]图7是利用QR频率控制的比较例的电源装置的动作说明图，(a)是栅极电压Ve波形例，(b)是电流感应电压Vcs波形例，(c)是电感电流込波形例，(d)是漏极电压Vd波形例，(e)是稳压端子电压Vzt波形例。
[0026]图8是利用QR频率控制的实施方式的电源装置的动作说明图，(a)是栅极电压Ve波形例，(b)是电流感应电压Vcs波形例，(c)是电感电流込波形例，(d)是漏极电压Vd波形例，(e)是HPF(High Pass Filter，高通滤波器)端子电压Vhp波形例。
[0027]图9是利用QR频率控制的实施方式的电源装置的详细动作说明图，(a)是电感电流込波形例，(b)是栅极电压Ve波形例，(C)是漏极电压Vd波形例，(d)是HPF端子电压Vhp波形例，(e)是设定电压Vset波形例，(f)是重置电压Vkeset波形例。
[0028]图10是利用QR频率控制的实施方式的电源装置的详细动作说明图，(a)是HPF端子电压Vhp波形例，(b)是HPF端子电压Vhp波形的各种变化例。
[0029]图11是应用于实施方式的电源装置的动作实验的电路区块构成图。
[0030]图12是实施方式的电源装置的动作实验结果，并且是漏极电压Vd波形例、HPF端子电压Vhp波形例及电感电流込波形例。
[0031]图13是实施方式的电源装置的动作实验结果，并且是漏极电压Vd波形例、稳压端子电压Vzt波形例及电感电流込波形例。
[0032]图14是实施方式的电源装置,并且是升压型LED (Light Emitting D1de,发光二极管)照明装置的示意性电路构成图。
[0033]图15是实施方式的电源装置，并且是反激型LED照明装置的示意性电路构成图。
[0034]图16是实施方式的电源装置，并且是QR型DC/DC转换器的示意性电路构成图。
[0035]图17是实施方式的电源装置,并且是AC (Alternating Current,交流电)/DC转换器的示意性电路构成图。
【具体实施方式】
[0036]接下来，参照【附图说明】本发明的实施方式。在以下的附图记载中，对相同或类似的部分标注相同或类似的符号。但是，应留意附图为示意性附图，各构成零件的厚度与平面尺寸的关系等与实物不同。因此，具体的厚度或尺寸应参考以下的说明进行判断。而且，当然附图相互间还包含相互的尺寸的关系或比率不同的部分。
[0037]而且，以下所示的实施方式例示用以使本发明的技术思想具体化的装置或方法，本发明的实施方式并未将各构成零件的材质、形状、构造、配置等特定为下述情况。本发明的实施方式可在权利要求书中施加各种变更。
[0038](比较例)
[0039]比较例的电源装置4A的示意性电路构成如图1所示。而且，其详细的电路构成如图2所示。比较例的电源装置4A对应于降压型LED照明装置。
[0040]如图1所示，比较例的电源装置4A包括:二极管电桥(DB) 14，连接于AC输入；电解电容器Ce，连接于二极管电桥(DB) 14 ;电感Lp，经由负载(LED)连接于AC线侧；电流感应电阻Rs，连接于接地电位；M0SFETQs，串列连接于电感Lp与电流感应电阻Rs之间；以及电源控制电路2A，耦合于电感Lp、MOSFETQs,电流感应电阻Rs，可对流通于电感Lp中的电感电流込进行QR控制动作。
[0041]电源控制电路2A包括:流通于电感Lp中的电感电流込的检测电路32A ;以及QR控制电路30，连接于检测电路32A、M0SFETQs、电流感应电阻Rs，可基于检测电路32A的输出，在电感Lp的放电时序中的零交叉点或底部时点对电感电流L进行QR控制。
[0042]此处，检测电路32A包括:辅助绕线电感La，电磁耦合于电感Lp;以及第I电阻Rl及第2电阻R2，串列连接于辅助绕线电感La与接地电位之间。
[0043]更详细来说，如图2所示，比较例的电源装置4A包括:滤波电路12，连接于AC输入；二极管电桥(DB) 14，连接于滤波电路12 ；LC电路(Ll-Cl)，连接于二极管电桥(DB) 14，用以使整流波形平滑化；电感Lp，经由负载(LED)连接于AC输入侧；电流感应电阻Rs，连接于接地电位；M0SFETQs，串列连接于电感Lp与电流感应电阻民之间；以及电源控制电路2A，耦合于电感Lp、MOSFETQs、电流感应电阻Rs，可对流通于电感Lp中的电感电流L进行QR控制。
[0044]进而，如图2所示，比较例的电源装置4A包括:再生用电容器Cc，串列连接于电感Lp，并且并列连接于负载(LED);以及再生用二极管(缓冲二极管)?，并列连接于经串列连接的再生用电容器Cc、电感Lp。而且，在MOSFETQs的漏极-源极间，等效地连接电容器C2。
[0045]连接于QR控制电路30的稳压端子ZT的第I电阻Rl及第2电阻R2的连接点的稳压端子电压Vzt与连接于电感Ld^MOSFETQs的漏极电压Vd相比，衰减为例如1/100左右。而且，如图2所示，于稳压端子ZT连接着曾纳二极管ZD。
[0046]如图2所示，应用于比较例的电源装置4A的QR控制电路30包括:电流检测比较器34，连接于稳压端子ZT ;误差放大器40，连接于电流感应端子CS，并且与参照电压Vief比较；RS触发器36，连接于电流检测比较器34的输出及误差放大器40的输出，并且输出MOSFETQs的控制信号；以及缓冲器38，连接于RS触发器36的Q输出，并且驱动M0SFETQs。
[0047]此处，MOSFETQs是在RS触发器36的设置动作时点被导通控制，在RS触发器36的重置动作时点被非导通控制。
[004