电压等于基准电压，此时再次处于临界状态，比较器的输出可能为高电平也可能为低电平。
[0096]当Vott继续升高到小于6V时，使得输入比较器负输入端的分压电压小于2V，此时比较器输出高电平，则可以重新执行上述过程，最终使得输出电压Vtot稳定在6V。
[0097]本发明实施例中，可以将输出电压升高至目标电压，并稳定在该目标电压，从而可以满足非易失性存储器的电压需求；本发明实施例中的电感采用绑定线电感，从而避免了在芯片内芯片集成电感，节省了芯片面积，节省成本；本发明实施例取代了现有技术中采用电荷泵的升压电路，从而提高了升压效率。
[0098]本发明实施例中还提供了一种非易失性存储器，该非易失性存储器中可以包括上述实施例一或实施例二所述的升压电路，其可以通过所述升压电路提供的输出电压进行数据的读取、写入或删除操作。所述非易失性存储器可以为Flash Memory或EEPROM等，本发明实施例对此并不加以限制。
[0099]本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
[0100]最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0101]以上对本发明所提供的一种升压电路和非易失性存储器，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在【具体实施方式】及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
【主权项】
1.一种升压电路，其特征在于，包括:依次连接的电源、能量转换单元、输出单元和控制单元，并且所述控制单元和所述能量转换单元连接； 其中，所述控制单元包括连接的分压支路和比较器，所述分压支路对所述输出单元的输出电压进行分压得到分压电压，并将所述分压电压输入所述比较器的负输入端，所述比较器的正输入端输入预设的基准电压；所述控制单元的输出接入所述能量转换单元； 当所述输出电压小于预设的目标电压时，所述分压电压小于所述基准电压，所述比较器的输出端输出高电平，致使所述控制单元输出第一时钟信号，控制所述能量转换单元按照所述第一时钟信号的周期储存能量、以及向所述输出单元输出能量，所述输出电压升闻; 当所述输出电压大于预设的目标电压时，所述分压电压大于所述基准电压，所述比较器的输出端输出低电平，致使所述控制单元输出低电平，控制所述能量转换单元仅向所述输出单兀输出能量，所述输出电压降低。
2.根据权利要求1所述的升压电路，其特征在于，所述能量转换单元包括电感、二极管、电容和MOS管； 其中，所述电感的第一端与所述电源的正极连接，所述电感的第二端与所述二极管的正极连接，所述二极管的负极与所述电容的第一端连接，所述电容的第二端与所述MOS管的源极连接；所述MOS管的漏极与所述电感的第二端连接，所述MOS管的源极还与所述电源的负极连接，所述MOS管的栅极与所述控制单元的输出连接。
3.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于， 所述控制单元在控制所述能量转换单元按照所述第一时钟信号的周期储存能量、以及将向所述输出单元输出能量时，具体为: 在所述第一时钟信号的一个的周期内，当所述控制单元输出的第一时钟信号为高电平时，控制所述MOS管导通，电流从所述电源的正极经所述电感流向所述电源的负极，将能量储存在所述电感上； 当所述控制单元输出的第一时钟信号为低电平时，控制所述MOS管截止，所述电感释放储存的能量，并将所述能量储存到所述电容上，所述电容将储存的能量输出至所述输出单元。
4.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于， 所述控制单元在控制所述能量转换单元仅向所述输出单元输出能量时，具体为:当所述控制单元输出低电平时，控制所述MOS管截止，仅通过所述电容将储存的能量输出至所述输出单元。
5.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于， 所述输出单元包括负载电阻，所述负载电阻的第一端与所述电容的第一端连接，所述负载电阻的第二端与所述电容的第二端连接； 所述分压支路包括第一电阻和第二电阻，所述第一电阻的第一端与所述负载电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第二电阻的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述负载电阻的第二端连接；所述第一电阻的第二端或所述第二电阻的第一端与所述比较器的负输入端连接。
6.根据权利要求5所述的升压电路，其特征在于，所述目标电压、所述基准电压、所述第一电阻的阻值和所述第二电阻的阻值之间存在以下关系: V=VeefX (1+VR2) 其中，V为所述目标电压，Veef为所述基准电压，R1为所述第一电阻的阻值，R2为所述第二电阻的阻值。
7.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于，所述控制单元还包括第一反相器、第二反相器、第三反相器、第四反相器、第五反相器、第一与非门、第二与非门和第三与非门； 其中，所述第一反相器的输入端与所述比较器的输出端连接；所述第一与非门的第一输入端与所述第一反相器的输出端连接，所述第一与非门的第二输入端与所述第二与非门的输出端连接； 所述第二与非门的第一输入端与所述第一与非门的输出端连接，所述第二与非门的第二输入端与所述第二反相器的输出端连接，所述第二与非门的输出端还与所述第三反相器的输入端连接； 所述第三反相器的输出端与所述第三与非门的第一输入端连接，所述第四反相器的输出端与所述第三与非门的第二输入端连接，所述第三与非门的输出端与所述第五反相器的输入端连接，所述第五反相器的输出端与所述MOS管的栅极连接； 所述第二反相器的输入端和所述第四反相器的输入端分别输入第二时钟信号，所述第一时钟信号为所述第二时钟信号的反相时钟信号。
8.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于，所述电感为绑定线电感。
9.根据权利要求2所述的升压电路，其特征在于，所述MOS管为N沟道MOS管。
10.一种非易失性存储器，其特征在于，包括如权利要求1至9中的任意一项所述的升压电路，通过所述升压电路提供的输出电压进行数据的读取、写入或删除操作。
【专利摘要】本发明提供了一种升压电路和非易失性存储器，以解决目前采用电荷泵的升压电路的升压效率较低的问题。升压电路包括：依次连接的电源、能量转换单元、输出单元和控制单元，控制单元和能量转换单元连接；控制单元包括连接的分压支路和比较器，分压支路对输出单元的输出电压进行分压得到分压电压，将分压电压输入比较器的负输入端，比较器的正输入端输入预设的基准电压；控制单元的输出接入能量转换单元。本发明提供的升压电路可以将电源提供的电压升高至所需要的电压，相对于采用电荷泵的升压电路来说，只需通过分压支路对输出电压进行检测，并根据不同的情况通过控制单元对能量转换单元进行控制，电荷传输的级数较少，升压效率较高。
【IPC分类】H02M3-02, H02M3-156
【公开号】CN104682693
【申请号】CN201310638313
【发明人】胡龙山, 刘铭, 陈晓璐
【申请人】北京兆易创新科技股份有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2013年12月2日