浪涌保护电路及反激式功率因数校正电源的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型属于保护电路技术领域，具体涉及一种浪涌保护电路及反激式功率因数校正电源。
【背景技术】
[0002]近年来，LED作为一种绿色照明电源得到越来越广泛的应用.反激式功率因数校正电路具有高性价比，在业界得到广泛的应用，由于需满足GB17625.1-2003电子产品谐波电流发射限制要求，未使用高压大容量电解电容对整流后的电压进行滤波，否则大大影响功率因数校正效果甚至无法达到有关谐波电流限制值得强制要求，因此该校正电源的交流输入端的抗浪涌性能比较差。
[0003]为达到相关要求，现在做法是在交流整流后母线电压正负之间并联使用由二极管，小容量高压电解电容，电阻组成的吸收电路进行浪涌能量的吸收释放和电源初级使用高电流等级高电压功率场效应管，高电流等级高电压功率场效应管增加了成本和产品的体积，难于满足对产品的高性价比和紧凑型要求。
【实用新型内容】
[0004]有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种浪涌保护电路及反激式功率因数校正电源。
[0005]为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的:
[0006]本实用新型实施例提供一种浪涌保护电路，该电路包括若干个采样电阻、稳压管ZDS1、三极管Ql，所述若干个采样电阻为第一采样电阻R1、第二采样电阻R2、第三采样电阻R3、第四采样电阻R4、第五采样电阻R5、第六电阻R6，所述第一采样电阻R1、第二采样电阻R2、第三采样电阻R3、第四采样电阻R4、第五采样电阻R5串联，所述稳压管ZDSl的一端连接在第四采样电阻R4、第五采样电阻R5之间，所述稳压管ZDSl的另一端与第六电阻R6的一端连接，所述第六电阻R6的另一端与三极管Ql连接。
[0007]本实用新型实施例还提供一种反激式功率因数校正电源，该电源包括整流桥BD1、滤波电容C、浪涌保护电路、变压器Tl、功率因数校正集成电路U1、电源初级高压金属氧化层半导体场效晶体管Q2，所述整流桥BDl正端与滤波电容C的第一端连接，所述滤波电容C的第二端与整流桥BDl的负端初级地连接，所述滤波电容C的第一端与浪涌保护电路的第一端连接，所述浪涌保护电路的第二端、第三端与功率因数校正集成电路Ul连接，所述功率因数校正集成电路Ul经电源初级高压金属氧化层半导体场效晶体管Q2与变压器Tl连接，所述变压器Tl与滤波电容C的第一端连接；所述浪涌保护电路的第二端经补偿电容Cl与功率因数校正集成电路Ul连接，所述浪涌保护电路的第三端与功率因数校正集成电路Ul连接，补偿电阻R连接在所述浪涌保护电路的第二端与整流桥BDl的负端之间。
[0008]上述方案中，所述浪涌保护电路包括若干个采样电阻、稳压管ZDS1、三极管Q1，所述若干个采样电阻为第一采样电阻R1、第二采样电阻R2、第三采样电阻R3、第四采样电阻R4、第五采样电阻R5、第六电阻R6，所述第一采样电阻R1、第二采样电阻R2、第三采样电阻R3、第四采样电阻R4、第五采样电阻R5串联，所述稳压管ZDSl的一端连接在第四采样电阻R4、第五采样电阻R5之间，所述稳压管ZDSl的另一端与第六电阻R6的一端连接，所述第六电阻R6的另一端与三极管Ql连接。
[0009]上述方案中，所述浪涌保护电路的正端接变压器Tl初级输入端，所述浪涌保护电路的负端接补偿电阻R的R-1端，所述浪涌保护电路的接地端与整流桥BDl的负端初级地连接，所述浪涌保护电路信号端与功率因数校正集成电路Ul阻容补偿引脚COMP连接；所述第五采样电阻R5的R5-2端和补偿电阻R的R-1端连接，所述第五采样电阻R5的R5-1端和第四采样电阻R4的R4-2端连接，所述第四采样电阻R4的R4-1端和第三采样电阻R3的R3-2端连接，所述第三采样电阻R3的R3-1端和第二采样电阻R2的R2-2端连接，所述第二采样电阻R2的R2-1端和所述第一采样电阻Rl的R1-2端连接；
[0010]所述稳压管ZDSl的阴极2端与第三采样电阻R3的R3-2、第四采样电阻R4的R4-1端连接；所述稳压管ZDSl的阳极I端与第六电阻R6的R6-1端连接，第六电阻R6的R6-2端和所述三极管Ql的I端基极连接，所述三极管Ql的2端发射极和整流桥BDl负极初级地连接，所述三极管Ql的3端集电极和功率因数校正集成电路Ul阻容补偿引脚COMP连接。
[0011]与现有技术相比，本实用新型的有益效果:
[0012]本实用新型的保护效果好，并且结构简单，成本低廉，满足用户对高性价比的要求。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型的浪涌保护电路的电路图；
[0014]图2为本实用新型的反激式功率因数校正电源的连接框图；
[0015]图3为本实用新型的反激式功率因数校正电源的电路图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图和【具体实施方式】对本本实用新型进行详细说明。
[0017]本实用新型实施例提供一种浪涌保护电路，如图1所示，该电路包括若干个采样电阻、稳压管ZDS1、三极管Q1，所述若干个采样电阻为第一采样电阻R1、第二采样电阻R2、第三采样电阻R3、第四采样电阻R4、第五采样电阻R5、第六电阻R6，所述第一采样电阻R1、第二采样电阻R2、第三采样电阻R3、第四采样电阻R4、第五采样电阻R5串联，所述稳压管ZDSl的一端连接在第四采样电阻R4、第五采样电阻R5之间，所述稳压管ZDSl的另一端与第六电阻R6的一端连接，所述第六电阻R6的另一端与三极管Ql连接。
[0018]具体的，所述第五采样电阻R5的R5-2端和补偿电阻R的R-1端连接，所述第五采样电阻R5的R5-1端和采样电阻R4的R4-2端连接，所述第四采样电阻R4的R4-1端和第三采样电阻R3的R3-2端连接，所述第三采样电阻R3-1端和电阻R2-2端连接，所述第三采样电阻R2的R2-1端和第一采样电阻Rl的R1-2端连接。
[0019]本使用新型实施例还提供一种反激式功率因数校正电源，如图2、3所示，该电源包括整流桥BD1、滤波电容C、浪涌保护电路、变压器Tl、功率因数校正集成电路U1、电源初级高压金属氧化层半导体场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTranSiStOr，M0SFET)Q2，所述整流桥BDl正端与滤波电容C的第一端连接，所述滤波电容C的第二端与整流桥BDl的负端初级地连接，所述滤波电容C的第一端与浪涌保护电路的第一端连接，所述浪涌保护电路的第二端、第三端与功率因数校正集成电路Ul连接，所述功率因数校正集成电路Ul经电源初级高压金属氧化层半导体场效晶体管Q2与变压器Tl连接，所述变压器Tl与滤波电容C的第一端连接；所述浪涌保护电路的第二端经补偿电容Cl与功率因数校正集成电路Ul连接，所述浪涌保护电路的第三端与功率因数校正集成电路Ul连接，补偿电阻R连接在所述浪涌保护电路的第二端与整流桥BDl的负端之间。
[0020]所述浪涌保护电路包括若干个采样电阻、稳压管ZDS1、三极管Q1，所述若干个采样电阻为第一采样电阻R1、第二采样电阻R2、第三采样电阻R3、第四采样电阻R4、第五采样电阻R5、第六电阻R6，所述第一采样电阻R1、第二采样电阻R2、第三采样电阻R3、第四采样电阻R4、第五采样电阻R5串联，所述稳压管ZDSl的一端连接在第四采样电阻R4、第五采样电阻R5之间，所述稳压管ZDSl的另一端