一种光伏光热一体化组件的制作方法_2

文档序号:10301264阅读:来源:国知局
型非晶硅321的盖板2上形成I型非晶硅322;把硅烷与磷烷(SiH4+PH3)的混合气体通入真空度保持在1Pa?100Pa的反应室中,射频电场产生辉光放电,硅烷与磷烷的混合气体被分解,在层积有I型非晶硅322的盖板2上形成N型非晶硅323,从而实现非晶硅层32的层积。
[0028]优选地,盖板2为钢化玻璃,且该盖板2的透过率大于91.6%。
[0029]进一步地,为了将盖板2、镀膜层3、导热件4、待加热部件5和保温层6更好地封装在边框I内,在边框I的一侧形成有限位部11,盖板2远离镀膜层3的一侧抵接在限位部11上,使得本实用新型实施例的光伏光热一体化组件结构紧凑,方便安装。
[0030]如图3所示,在本实用新型的光伏光热一体化组件中,其制备方法具体包括以下步骤:
[0031]S1、在盖板2上层积镀膜层3;
[0032]S2、将待加热部件5通过激光焊焊接在导热件4上,将镀膜盖板2与导热件4及待加热部件5封装在边框I内;
[0033]S3、在边框1、导热件4及待加热部件5之间填充保温材料。
[0034]具体地,在上述步骤SI中,盖板2为钢化玻璃,且该盖板2的透过率大于91.6%。
[0035]具体地,在上述步骤S2中,导热件4为铝板;待加热部件5由导热材料制成,且通过激光焊将多个待加热部件5焊接在导热件4的一侧;保温层6由保温材料制成,具有保温功會K。
[0036]进一步地,如图4所示,上述步骤SI中的在盖板2上层积镀膜层3具体包括以下步骤:
[0037]S11、将经过检测的盖板2投入到加热除杂腔室进行加热除杂,接着进入导电氧化物镀膜腔室并通过磁控派射方法在盖板2上镀制一层厚度为500nm-1000nm的透明导电氧化物;
[0038]S12、以镀有导电氧化物的盖板2为衬底,依次通过射频电场产生辉光放电分解气体在其表面形成P型非晶硅321、I型非晶硅322和N型非晶硅323;
[0039]S13、在层积好非晶硅薄膜的盖板2上通过磁控溅射镀制一层透明导电氧化物及一层二氧化硅绝缘材料,即镀制第二透明导电氧化物层33和绝缘层34。
[0040]具体地,在上述步骤Sll中,首先将经过检测的钢化玻璃投入到加热除杂腔室,经过加热腔以后,进入导电氧化物镀膜腔室,镀制第一透明导电氧化物层31。该第一透明导电氧化物层31优选为AZO膜层,镀膜过程中溅射靶选用2 %的AZO靶,溅射气体采用Ar气,工作压力为0.3Pa?0.5Pa,溅射电源采用DC电源,该AZO膜层的膜厚为500nm?lOOOnm,镀制完后,进入雾化腔、冷却处理腔,待温度冷却至室温后取出镀制好第一透明导电氧化物层31的钢化玻璃。
[0041]具体地,在上述步骤S12中,通过以镀制有第一透明导电氧化物层31的钢化玻璃为衬底,在其表面形成非晶硅薄膜材料,即形成非晶硅层32。首先将硅烷与硼烷气体通入真空度为1Pa?100Pa的反应室中,采用射频电场产生辉光放电使得通入的气体分解,在镀制有第一透明导电氧化物层31的钢化玻璃上形成P型非晶硅321。将层积好P型非晶硅321的衬底送至下一个腔室,该腔室通入硅烷气体,同样采用射频电场产生辉光放电使得通入的气体分解,在层积有P型非晶硅321的钢化玻璃上形成I型非晶硅322。将层积好I型非晶硅322的衬底送至下一个腔室,该腔室通入硅烷与硼烷气体,采用射频电场产生辉光放电使得通入的气体分解,在层积有I型非晶硅322的钢化玻璃上形成N型非晶硅323,从而实现非晶硅层32的层积。
[0042]具体地,在上述步骤S13中,第二透明导电氧化物层33可选用IT0、FT0、Zn0、AZ0导电氧化物中的一种;绝缘层34可起到绝缘的作用,该绝缘层34的膜层厚度为O?lOOnm。
[0043]本实用新型实施例提供的光伏光热一体化组件,其镀膜设备主要通过磁控溅射与射频电场产生辉光放电层积膜层,设备简单。
[0044]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换或改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种光伏光热一体化组件,其特征在于,包括边框(I)、封装在所述边框(I) 一侧的盖板(2)、镀制在所述盖板(2)内侧的镀膜层(3)、设置在所述镀膜层(3)表面的导热件(4)、焊接在所述导热件(4)远离所述镀膜层(3)的一侧的多个待加热部件(5),以及填充在所述边框(1)、导热件(4)和待加热部件(5)之间的保温层(6)。2.如权利要求1所述的光伏光热一体化组件,其特征在于,所述镀膜层(3)包括第一透明导电氧化物层(31)、形成在所述第一透明导电氧化物层(31)上的非晶硅层(32)、形成在所述非晶硅层(32)上的第二透明导电氧化物层(33),以及形成在所述第二透明导电氧化物层(33)上的绝缘层(34)。3.如权利要求2所述的光伏光热一体化组件,其特征在于,所述非晶硅层(32)包括依次通过射频电场产生辉光放电分解气体形成的P型非晶硅(321)、I型非晶硅(322)和N型非晶硅(323)。4.如权利要求2所述的光伏光热一体化组件,其特征在于,所述第一透明导电氧化物层(31)为ITO、FTO、ZnO及AZO中的一种;所述第二透明导电氧化物层(33)为ITO、FT0、ZnO及AZO中的一种。5.如权利要求2所述的光伏光热一体化组件,其特征在于,所述第一透明导电氧化物层(31)的厚度为 500nm-1000nmo6.如权利要求2所述的光伏光热一体化组件,其特征在于,所述绝缘层(34)为二氧化硅膜层,且所述绝缘层(34)的膜层厚度为0-100nm。7.如权利要求1所述的光伏光热一体化组件,其特征在于,所述盖板(2)为钢化玻璃,且所述盖板(2)的透过率大于91.6%。8.如权利要求1所述的光伏光热一体化组件,其特征在于,所述边框(I)的一侧形成有限位部(11),所述盖板(2)远离所述镀膜层(3)的一侧抵接在所述限位部(11)上。
【专利摘要】本实用新型适用于太阳能发电发热技术领域,公开了一种光伏光热一体化组件,所述光伏光热一体化组件包括边框、封装在所述边框一侧的盖板、镀制在所述盖板内侧的镀膜层、设置在所述镀膜层表面的导热件、焊接在所述导热件远离所述镀膜层的一侧的多个待加热部件,以及填充在所述边框、导热件和待加热部件之间的保温层。本实用新型通过设置盖板和镀膜层用于将吸收的太阳光转化为电能,而部分透过的太阳光转化为热量,由导热件传送给焊接在导热件下方的多个待加热部件,从而加热待加热部件中的物质,同时在边框、导热件和待加热部件之间填充保温层,进一步防止热量散失,使得太阳光的部分余热得到充分利用。
【IPC分类】H02S40/44
【公开号】CN205212780
【申请号】CN201520939672
【发明人】陈五奎, 刘强, 黄振华, 李洁凤, 苏孝亮
【申请人】深圳市拓日新能源科技股份有限公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年11月23日
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