技术总结
本公开提供了一种IGBT驱动电路、IGBT过流保护电路及方法。该IGBT过流保护方法，应用于一包括驱动芯片的IGBT驱动电路；所述IGBT过流保护方法包括：响应一对应IGBT工作于放大区域的第一电学特性而将一安全电压作为采样电压传输至所述驱动芯片；以及，响应一对应IGBT工作于饱和区域的第二电学特性而将所述IGBT的管压降作为所述采样电压传输至所述驱动芯片；其中，所述安全电压位于所述预设范围。该IGBT过流保护电路中可以减少或者避免在IGBT正常的过渡过程发生过流保护的误动作。
技术研发人员：李哲
受保护的技术使用者：乐星产电（无锡）有限公司
文档号码：201510129228
技术研发日：2015.03.23
技术公布日：2016.11.23