一种双管反激的单级PFC的LED电路的制作方法

本发明属于LED电源技术领域，尤其涉及一种双管反激的单级PFC的LED电路，具体应用到较高的交流输入电压，较高的PF且低THD要求的LED电源。

背景技术：

现有的LED电源技术应用要么是输入电压在305V以下，要么是通过双级PFC电路实现较高输入电压，从整机的成本，以及器件的应用选型，到整机的效率，产品的功率密度等都是一个比较传统的技术，造成整机的成本高，以及器件的应用选型差及到整机的效率低。现用双管单级PFC电路能较好的解决现有技术的不足。

技术实现要素：

本发明目的是提供一种电路结构简单、器件耐压通用，器件易选型，器件余量足，配合现有的单级PFC电路，实现高PFC低THD的一种LED电源电路实现产品成本低，产品竞争能力强。

为了实现以上目的以及解决现有技术的不足之处，本发明通过以下技术方案得以实现。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路、MOS管Q3和芯片IC1，所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3，所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3，所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联，所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联，所述电容C17和二极管D10并联，所述二极管D4与电容C17的输出端连接，且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所述二极管DS7和二极管DS6并联，且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路，所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路。

优选的，所述初级侧N1上串联有电阻R23。

优选的，所述图腾电路包括NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2。

本发明还提供了一种双管反激的单级PFC的LED电路的保护方法，该方法是是把双管反激电路与PSR的单级PFC电路结合在一起，能较好的处理较高的交流电压输入时MOS耐压问题，把本应用约1KV以上耐压的MOS，用两个常用耐压的650V或700V的MOS串联使用，可以较好的解决单颗MOS的高耐压问题，同时相对单颗高压MOS比较，两颗低压MOSRDS较小，损耗较小，提高了整机效率，具体工作过程如下：

S1、PWM信号由IC1的脚输到NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2组成的图腾，放大IC的驱动电流能力，把PWM信号经电容C2输到变压器T2的初级侧N1；

S2、变压器T2的初级侧N1是变压器T2的输入信号端，当初级侧N1有PWM信号时，变压器T2的两个次级侧N2和次级侧N3依据同名端原理同时感应到对应相位的PWM信号；

S3、当变压器T2的初级侧N1是PWM高电平输入时，变压器T2的两个次级侧N2和次级侧N3依同名端原理，会同时感应上正下负的高电平信号各自加到MOS管Q3和MOS管Q4Vgs；MOS管Q3和MOS管Q4同时导通，变压器的电感电流将会线性增加并将能量储存于变压器中；

S4、当变压器T2的初级侧N1是PWM低电平输入时，变压器T2的两个次级侧N2和次级侧N3依同名端原理，会同时感应上负下正的信号各自加到MOS管Q3和MOS管Q4Vgs，则MOS管Q3和MOS管Q4截止变压器把能量经输出二极管DS7和二极管DS6传输到二次侧；因为漏感所形成的电压会导致2个回收二极体导通，二极管D4和二极管D10导通，把磁芯激磁复位，以免磁饱和；

S5、变压器T2的PWM信号不断输出高低电平的PWM信号，就是不断重复S3和S4的功能，这样通过MOS管Q3和MOS管Q4的开与关，变压器的通与断就把能量从一次输到二次侧；

S6、S5的PWM信号形成后会在变压器T1的VCC引脚T 1-5Pin，输出对应的方波，经芯片IC1ZCS检测到，进入判定识别，在谷底时实现开通与关断，实现PSR的功能，形成高PFC，低THD。

本发明提供的一种双管反激的单级PFC的LED电路，与传统的LED电路相比，本发明使用两个MOS(双管)串联，较好的解决因为交流输入电压高，而造成MOS耐压更高，选型难，供货难，调货难的困扰,因为可选用通用MOS，降低成本；本发明的电路应用在单级PFC电路里，还可解决高PF低THD的LED应用要求，达到电路简单，成本低，功率密度高；本发明因为电路结构简单，MOS耐压低自然RDS小，损耗低，效率高，节省能源，延长产品寿命，同时成本也低，降低了成本，一个高耐压的MOS，远远高于两个低压的MOS。

附图说明

图1为本发明的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

请参照图1，本发明采用了如下技术方案：

一种双管反激的单级PFC的LED电路，包括VCC供电电路、双管反激电路、MOS管Q3和芯片IC1，所述双管反激电路包括变压器T2、二极管D4、电容C8、二极管D10和电容C17，所述变压器T2包括初级侧N1和两个次级侧N2和次级侧N3，所述初级侧N1上串联有电阻R23，所述次级侧N2并联有稳压二极管Z2和MOS管Q3，所述MOS管Q3与VCC供电电路的输出端电性连接，所述二极管D4分别与MOS管Q3和电容C8并联，所述MOS管Q3通过电容C18与MOS管Q4串联，所述次级侧N3的右侧并联有稳压二极管Z3，所述稳压二极管Z3和MOS管Q4并联，所述MOS管Q4分别与电容C17和二极管D10并联，所述电容C17和二极管D10并联，所述二极管D4与电容C17的输出端连接，且所述二极管D4与电容C17连接于变压器T1的第一初级侧，所述电容C18也连接于变压器T1的第一初级侧，所述变压器T1的次级侧连接有二极管DS7、二极管DS6、电容CS11、电阻RS1和电阻RS2，所述二极管DS7和二极管DS6并联，且二极管DS7和二极管DS6串接于电阻RS26和电阻RS27并联电路，所述电阻RS26和电阻RS27并联电路和电阻RS1和电阻RS2并联电路串联，所述MOS管Q3的N沟道分别连接于电阻R22和电阻R6，所述芯片IC1的脚通过电阻R17输出到图腾电路，所述图腾电路包括NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2。

本发明还提供了一种双管反激的单级PFC的LED电路的保护方法，该方法是是把双管反激电路与PSR的单级PFC电路结合在一起，能较好的处理较高的交流电压输入时MOS耐压问题，把本应用约1KV以上耐压的MOS，用两个常用耐压的650V或700V的MOS串联使用，可以较好的解决单颗MOS的高耐压问题，同时相对单颗高压MOS比较，两颗低压MOSRDS较小，损耗较小，提高了整机效率，因为是常用的MOS选型也容易，供应商也容易备货，同时成本也低，降低了成本，一个高耐压的MOS，远远高于两个低压的MOS，具体工作过程如下：

S1、PWM信号由IC1的脚输到NPN型三极管Q1和PNP型三极管Q2组成的图腾，放大IC的驱动电流能力，把PWM信号经电容C2输到变压器T2的初级侧N1；

S2、变压器T2的初级侧N1是变压器T2的输入信号端，当初级侧N1有PWM信号时，变压器T2的两个次级侧N2和次级侧N3依据同名端原理同时感应到对应相位的PWM信号；

S3、当变压器T2的初级侧N1是PWM高电平输入时，变压器T2的两个次级侧N2和次级侧N3依同名端原理，会同时感应上正下负的高电平信号各自加到MOS管Q3和MOS管Q4Vgs；MOS管Q3和MOS管Q4同时导通，变压器的电感电流将会线性增加并将能量储存于变压器中；

S4、当变压器T2的初级侧N1是PWM低电平输入时，变压器T2的两个次级侧N2和次级侧N3依同名端原理，会同时感应上负下正的信号各自加到MOS管Q3和MOS管Q4Vgs，则MOS管Q3和MOS管Q4截止变压器把能量经输出二极管DS7和二极管DS6传输到二次侧；因为漏感所形成的电压会导致2个回收二极体导通，二极管D4和二极管D10导通，把磁芯激磁复位，以免磁饱和；

S5、变压器T2的PWM信号不断输出高低电平的PWM信号，就是不断重复S3和S4的功能，这样通过MOS管Q3和MOS管Q4的开与关，变压器的通与断就把能量从一次输到二次侧；

S6、S5的PWM信号形成后会在变压器T1的VCC引脚T 1-5Pin，输出对应的方波，经芯片IC1ZCS检测到，进入判定识别，在谷底时实现开通与关断，实现PSR的功能，形成高PFC，低THD。

综上所述：本发明使用两个MOS(双管)串联，较好的解决因为交流输入电压高，而造成MOS耐压更高，选型难，供货难，调货难的困扰,因为可选用通用MOS，降低成本；本发明的电路应用在单级PFC电路里，还可解决高PF低THD的LED应用要求，达到电路简单，成本低，功率密度高；本发明因为电路结构简单，MOS耐压低自然RDS小，损耗低，效率高，节省能源，延长产品寿命，同时成本也低，降低了成本，一个高耐压的MOS，远远高于两个低压的MOS。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。