一种石英晶体谐振器及其加工工艺的制作方法

本发明涉及电子元器件领域，尤其涉及一种石英晶体谐振器。

背景技术：

石英晶体谐振器是用压电石英(即水晶)制成的压电器件，它不仅具有高度稳定的物理化学性能，而且弹性振动损耗极小。与其它电子元器件相比，压电石英晶体还有着很高的频率稳定度和高Q值，使其成为稳定频率和选择频率的重要元器件。随着各种移动智能终端设备应用的快速增加，尤其是新型的集成度的智能卡片等领域，对石英晶体的小型化和超薄型方面要求越来越高，但同时目前的小型化方案又只能满足中高频24MHz以上产品的生产，且厚度方面不能达到客户应用需求。

现有技术采用带可伐环的的陶瓷基座，内部通过同一端的导电胶连接到石英晶片，石英晶片上镀有电极，电极引出端在晶片同一侧，通过导电胶与基座的焊盘连接导通，再通过金属上盖与基座的可伐环形成焊接密封。

现有技术的缺点主要在于受结构和工艺限制，3.2mm*2.5mm的产品只能做到0.6mm厚度，不能满足使用环节高稳定度超薄型产品的需求。

技术实现要素：

本发明旨在提供一种石英晶体谐振器，稳定度高，厚度小，适用于各种移动只能终端设备，尤其新型高集成度的卡片产品。

为达到上述目的，本发明是采用以下技术方案实现的：

本发明公开的石英晶体谐振器，包括无可伐环的陶瓷基座、石英晶片、上盖板、电极，所述石英晶片粘贴在陶瓷基座上，所述电极有两个，两个电极分别附着在石英晶片的两个表面，两个电极均设有电极引出端，两个电极引出端从石英晶片的两个对角引出并通过导电胶固定在陶瓷基座上，所述上盖板覆盖石英晶片并与陶瓷基座连接。

本发明的外形尺寸：长度*宽度*厚度为3.2mm*2.5mm*0.3mm。

优选的，所述上盖板为金属。

优选的，所述上盖板的两面均镀有金属。

优选的，所述上盖板的两面镀有不同的金属。

进一步的，所述导电胶与陶瓷基座上的焊盘连接。

本发明还公开了适用于生产所述石英晶体谐振器的加工工艺，包括：所述石英晶片与基座的连接方式采用底部对角两点导电胶连接固定的工艺。

进一步的，石英晶体谐振器经离子刻蚀频率微调以后，在真空状态下，将薄型双面不同镀层的上盖板通过专用的供料料仓结构，使其按统一的镀层方向，以较低的脉冲电流与基座形成高稳定的密封，产品内部保持真空状态。

本发明采用无可伐环的基座结构，简化基座生产流程、内部采用对角引附电极的晶片镀膜工艺。基座内部走线也通过对角直接与底部焊盘相连接，通过缩短连接线路距离、进一步在基座制造成本和效率方面得到降低。对应的与晶片和基座连接的连接方式从单侧四点胶的工艺，创新优化为底部对角两点导电胶连接固定的工艺。新的工艺组合采用更简单的结构，达到降低产品高度和提升晶片连接强度的效果。对于上述连接完成的产品，经离子刻蚀频率微调以后，在真空状态下，将薄型双面不同镀层的金属上盖通过专用的供料料仓结构，使其按统一的镀层方向，以较低的脉冲电流与基座形成高稳定的密封，产品内部保持真空状态。本产品的外形尺寸为3.2mm*2.5mm*0.3mm,频率可达到12MHz～150MHz。

本发明实现了石英晶体谐振器厚度的大幅降低，总体厚度只有原来技术方案的50％。

本发明采用新的工艺技术，尤其在点胶和晶片镀膜工艺的改进，通过更低的成本达到了超薄和更高可靠度的要求，目前以验证可满足2m高度跌落到水泥地板10次可正常工作的要求，远超出现有产品的性能指标。

附图说明

图1为本发明未装配上盖板时的俯视图；

图2为本发明的剖视图；

图中：1-陶瓷基座、2-石英晶片、3-电极、4-电极引出端、5-导电胶、6-上盖板。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图，对本发明进行进一步详细说明。

如图1、图2所示，本发明公开的石英晶体谐振器，包括无可伐环的陶瓷基座1、石英晶片2、上盖板6、电极3、电极引出端4，石英晶片2粘贴在陶瓷基座1上，电极2有两个，两个电极2分别附着在石英晶片2的两个表面，两个电极2均设有电极引出端4，两个电极引出端4分别从石英晶片的两个对角引出并通过导电胶5固定在陶瓷基座1上，导电胶5与陶瓷基座上的焊盘连接，上盖板6覆盖石英晶片2并与陶瓷基座1连接。

本发明的外形尺寸长度*宽度*厚度为3.2mm*2.5mm*0.3mm。

上盖板6采用金属制作或者在上盖板6的两面均镀金属，上盖板6的两面可采用两种不同的金属分别电镀。

本发明还公开了适用于生产所述石英晶体谐振器的加工工艺，包括：石英晶片与基座的连接方式采用底部对角两点导电胶连接固定的工艺。

石英晶体谐振器经离子刻蚀频率微调以后，在真空状态下，将薄型双面不同镀层的上盖板通过专用的供料料仓结构，使其按统一的镀层方向，以较低的脉冲电流与基座形成高稳定的密封，产品内部保持真空状态。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。