技术总结
本发明公开了一种可控二极管自举绝热电路及四级反相器/缓冲器，可控二极管自举绝热电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管和第六NMOS管；四级反相器/缓冲器包括四个可控二极管自举绝热电路；优点是采用较少数量的MOS管，电路结构简单，延时和功耗得到降低，第五NMOS管和第六NMOS管构成可控二极管自举绝热电路的输出端和时钟端之间的可控二极管反馈通路，使得能量得到充分回收，在不影响电路性能的基础上，延时、功耗和功耗延时积均较小。
技术研发人员：胡建平;余峰
受保护的技术使用者：宁波大学
文档号码：201610836642
技术研发日：2016.09.21
技术公布日：2017.03.08