集成电路装置、电子器件、电子设备及基站的制作方法

本发明涉及集成电路装置、电子器件、电子设备及基站。

背景技术：

对于在通信设备或测量器等的基准频率信号源等中使用的石英振荡器，要求输出频率相对于温度变化稳定在高精度。一般来说，在石英振荡器中，作为能够获得非常高的频率稳定度的石英振荡器，已知恒温槽型石英振荡器(ocxo：ovencontrolledcrystaloscillator)。

ocxo是将石英振子收纳于被控制在恒定的温度的恒温槽内的石英振荡器。例如，在专利文献1中公开了将振动片、发热用ic和振荡用ic收纳于封装内的ocxo。

专利文献1的发热用ic构成为包括形成有扩散层的半导体基板、用于对扩散层施加电源电压的焊盘、以及用于对扩散层施加接地电压的焊盘。在扩散层上形成有绝缘层，在绝缘层上形成有表面保护膜。在表面保护膜上形成有开口部，在该开口部，在绝缘层的表面形成有矩形形状的片。

专利文献1：日本特开2015-122426号公报

可是，在专利文献1的发热用ic中，由于构成为在表面保护膜设置开口部并在该开口部内形成焊盘，因此，表面保护膜和焊盘之间形成台阶。存在这样的担忧：当对焊盘进行引线键合(wirebonding)时该台阶成为障碍。例如存在这样的担忧：在由于制造误差等而开口部的位置偏移开的情况下，在引线键合时所使用的劈刀(capillary)会与由表面保护膜和焊盘形成的台阶碰撞。

技术实现要素：

本发明的几个方式的一个目的在于提供能够提高引线键合的生产性的集成电路装置。此外，本发明的几个方式的一个目的在于提供包含上述集成电路装置的电子器件。此外，本发明的几个方式的一个目的在于提供包含上述集成电路装置或上述电子器件的电子设备和基站。

本发明是为了解决前述课题中的至少一部分而作出的，本发明通过以下的方式或应用例得以实现。

[应用例1]

本应用例的集成电路装置具有：基板；接合部，其设置于所述基板上，并与振子接合；以及多个键合焊盘，它们设置于所述基板上，在所述接合部设有覆盖所述基板的表面的一部分的绝缘性保护膜，在相邻的所述键合焊盘之间未设有所述绝缘性保护膜。

在这样的集成电路装置中，由于在相邻的键合焊盘之间未设有绝缘性保护膜，因此，在相邻的键合焊盘之间，绝缘性保护膜与键合焊盘之间未形成台阶。因此，根据这样的集成电路装置，能够避免在引线键合时使用的劈刀与由绝缘性保护膜和键合焊盘形成的台阶碰撞这样的问题，能够提高引线键合的生产性。

并且，在本发明的记述中，对于将“上”这一用语例如用于“在特定的部件(以下，称作“a”)的“上方”形成其他特定的部件(以下，称作“b”)”等的情况，在包含在a上直接形成b的情况以及在a上隔着其他部件形成b这样的情况在内时使用“上”这一用语。

[应用例2]

在上述应用例的集成电路装置中，也可以还具有：发热的发热部；和对周围温度进行检测的温度检测部。

在这样的集成电路装置中，由于能够将发热部和温度检测部配置在振子附近，因此，能够高效地加热振子，并能够高精度地检测出振子的温度。

[应用例3]

本应用例的电子器件具有：上述的任意一项的集成电路装置；和所述振子。

在这样的电子器件中，由于具有能够提高引线键合的生产性的集成电路装置，因此能够提高电子器件的生产性。

[应用例4]

在本应用例的电子器件中，也可以具有：凸块部件，在所述接合部设有多个所述凸块部件；和导电性接合材料，所述导电性接合材料的至少一部分被多个所述凸块部件包围，并且所述导电性接合材料将所述振子与所述接合部接合起来。

在这样的电子器件中，由于导电性接合材料的至少一部分被多个凸块部件包围，从而能够减轻将振子与接合部接合时的导电性接合材料的扩展。

[应用例5]

在本应用例的电子器件中，多个所述凸块部件也可以彼此分离地设置。

在这样的电子器件中，当将振子与接合部接合时，能够减轻导电性接合材料的扩展，并且，能够使多余的导电性接合材料从由多个凸块部件围着的区域逸出。

[应用例6]

在本应用例的电子器件中，多个所述凸块部件也可以呈圆弧状排列。

在这样的电子器件中，能够减轻将振子与接合部接合时的导电性接合材料的扩展。

[应用例7]

在本应用例的电子器件中，也可以是，所述接合部包含与所述振子电连接的导电图案，所述导电图案具有：接合电极部，其具有椭圆形状，并且与所述振子接合；和引出电极部，其与多个所述键合焊盘的至少一部分电连接。

在这样的电子器件中，由于接合电极部以椭圆状，即不具有角部的曲线来构成，因此，与接合电极部为具有角部的形状的情况相比，能够使导电性接合材料遍及接合电极部的整面。因此，在这样的电子器件中，能够减轻将振子与接合部接合时的导电性接合材料的扩展，并且，能够有效地提高振子与接合部进行接合的接合强度。

[应用例8]

在本应用例的电子器件中，也可以具有用于使所述振子振动的振荡电路。

在这样的电子器件中，能够实现生产性高的振荡器。

[应用例9]

[应用例9]

本应用例的电子设备具有上述的任意一项所述的集成电路装置或上述的任意一项所述的电子器件。

在这样的电子设备中，包括能够提高引线键合的生产性的集成电路装置或具有该集成电路装置的电子器件，因此，能够实现生产性高的电子设备。

[应用例10]

本应用例的基站具有上述的任意一项所述的集成电路装置或上述的任意一项所述的电子器件。

在这样的基站中，包括能够提高引线键合的生产性的集成电路装置或具有该集成电路装置的电子器件，因此，能够实现生产性高的基站。

附图说明

图1是第1实施方式的恒温槽型石英振荡器的功能框图。

图2是示意性地示出第1实施方式的恒温槽型石英振荡器的剖视图。

图3是示意性地示出第1实施方式的恒温槽型石英振荡器的俯视图。

图4是示出集成电路装置的电路结构的一例的图。

图5是示出集成电路装置的电路结构的另一例的图。

图6是示意性地示出集成电路装置的俯视图。

图7是示意性地示出集成电路装置的剖视图。

图8是示意性地示出集成电路装置的剖视图。

图9是示意性地示出集成电路装置的集成电路基板的俯视图。

图10是示意性地示出集成电路装置的集成电路基板的剖视图。

图11是示意性地示出第2实施方式的恒温槽型石英振荡器的俯视图。

图12是示意性地示出第2实施方式的恒温槽型石英振荡器的集成电路装置的俯视图。

图13是示意性地示出第2实施方式的恒温槽型石英振荡器的集成电路装置的剖视图。

图14是示出集成电路装置的多个凸块部件的配置的另一例的图。

图15是示出集成电路装置的多个凸块部件的配置的另一例的图。

图16是示出集成电路装置的多个凸块部件的配置的另一例的图。

图17是示出集成电路装置的多个凸块部件的配置的另一例的图。

图18是示意性地示出第3实施方式的恒温槽型石英振荡器的俯视图。

图19是示意性地示出第3实施方式的恒温槽型石英振荡器的集成电路装置的剖视图。

图20是示意性地示出第3实施方式的恒温槽型石英振荡器的集成电路装置的剖视图。

图21是示出接合电极部的形状的另一例的图。

图22是示出接合电极部的形状的另一例的图。

图23是示出接合电极部的形状的另一例的图。

图24是示出接合电极部的形状的另一例的图。

图25是示意性地示出第4实施方式的恒温槽型石英振荡器的俯视图。

图26是示意性地示出第4实施方式的恒温槽型石英振荡器的集成电路装置的俯视图。

图27是示出多个凸块部件的配置和接合电极部的形状的另一例的图。

图28是示出第5实施方式的电子设备的结构的一例的功能框图。

图29是示出第6实施方式的基站的概要结构的一例的图。

标号说明

2：振子；2a：振动片；2b：下表面电极；2c：上表面电极；2d：引出电极；2e：引出电极；3：振荡电路；4：发热电路；4a：电阻；4b：mos晶体管；5：温度传感器；5a：二极管；5b：双极晶体管；6：温度控制用电路；10：封装；12：盖；14：引线；15：电极；16：导电性接合材料；18：基座部；20：集成电路装置；21：集成电路基板；21a：半导体基板；21b：扩散层；21c：绝缘层；21d：过孔；22：接合部；23：绝缘性保护膜；24a～24k：键合焊盘；25：导电图案；25a：接合电极部；25b：引出电极部；26a～26k：电极；27：上表面；27a：区域；28：空隙；29a：槽；29b：槽；30：振荡用ic；40：凸块部件；42：间隙；100：恒温槽型石英振荡器；200：恒温槽型石英振荡器；300：恒温槽型石英振荡器；400：恒温槽型石英振荡器；500：电子设备；510：振荡器；512：集成电路装置；520：cpu；530：倍频电路；540：rom；550：ram；560：通信部；600：基站；610：接收装置；612：接收天线；614：接收部；616：处理部；618：振荡器；619：集成电路装置；620：发送装置；622：发送天线；624：发送部；626：处理部；628：振荡器；629：集成电路装置；630：控制装置。

具体实施方式

以下，利用附图对本发明的优选的实施方式详细进行说明。并且，以下所说明的实施方式并不不合理地限定权利要求书中所述的本发明的内容。此外，下面说明的全部结构不一定是本发明的必要技术特征。

此外，在以下内容中，作为本发明的电子器件，以恒温槽型石英振荡器(ocxo)为例进行说明，但是，本发明的电子器件也可以是包含集成电路装置和振子的其他种类的器件(例如，除ocxo以外的振荡器、传感器等)。

1.第1实施方式

1.1.恒温槽型石英振荡器的功能

图1是作为本发明的电子器件的一例的第1实施方式的恒温槽型石英振荡器(ocxo)100的功能框图。

如图1所示，恒温槽型石英振荡器100构成为包括振子2、振荡电路3、发热电路4、温度传感器5及温度控制用电路6。并且，本实施方式的恒温槽型石英振荡器100也可以构成为省略或变更这些要素的一部分，或追加其他要素。

振子2是采用石英作为基板材料的石英振子，例如采用at切或sc切的石英振子。但是，振子2也可以是saw(surfaceacousticwave：声表面波)谐振器或mems(microelectromechanicalsystems：微机电系统)振子。此外，作为振子2的基板材料，除了石英外，还可以采用钽酸锂、铌酸锂等压电单晶、锆钛酸铅等压电陶瓷等压电材料以及硅半导体材料等。此外，作为振子2的激励手段，可以采用基于压电效果的激励手段，也可以进行基于库仑力的静电驱动。此外，作为振子2，也可以是检测物理量的元件，例如惯性传感器(加速度传感器、陀螺传感器等)、力传感器(倾斜传感器等)。

振荡电路3是这样的电路，该电路与振子2的两端连接，用于通过放大从振子2输出的信号并反馈于振子2而使振子2振荡。

由振子2和振荡电路3构成的电路例如也可以是皮尔斯振荡电路、逆变式振荡电路、考毕兹振荡电路及哈特莱振荡电路等各种振荡电路。

发热电路4是通过使电流流过电阻而发热的电路。在本实施方式中，发热电路4配置在振子2附近以对振子2进行加热。

温度传感器5邻近振子2地设置，输出与温度对应的信号(例如，具有与温度对应的电压的信号)。

温度控制用电路6是这样的电路，该电路用于基于温度传感器5的输出信号(温度信息)来控制流过发热电路4的电阻的电流量，从而使振子2保持在固定的温度。例如，在根据温度传感器5的输出信号判定的当前的温度低于所设定的基准温度的情况下，温度控制用电路6进行控制以使期望的电流流向发热电路4的电阻，在当前的温度高于基准温度的情况下，温度控制用电路6进行控制以使电流不会流向发热电路4的电阻。此外，例如，温度控制用电路6也可以根据当前的温度与基准温度的差来进行控制，使流过发热电路4的电阻的电流量增减。

1.2.恒温槽型石英振荡器的结构

图2是示意性地示出第1实施方式的恒温槽型石英振荡器100的剖视图。图3是示意性地示出第1实施方式的恒温槽型石英振荡器100的俯视图。并且，图2是沿图3的ii-ii线的剖视图。

如图1所示，恒温槽型石英振荡器100具有本发明的集成电路装置。在此，对恒温槽型石英振荡器100包含集成电路装置20作为本发明的集成电路装置的情况进行说明。

如图2和图3所示，恒温槽型石英振荡器100构成为包括振子2、封装10、盖12、集成电路装置20及振荡用ic30。并且，图3中，为了方便，省略了盖12的图示。

封装10例如是陶瓷封装等堆叠封装，用于将振子2、集成电路装置20及振荡用ic30收纳于同一空间内。在图2和图3所示的示例中，在封装10的上部设有开口部，通过利用盖12覆盖该开口部而形成收纳室，在该收纳室中收纳有振子2、集成电路装置20及振荡用ic30。

集成电路装置20的下表面的一部分被粘接固定于自封装10的下方数第4层的上表面。设置于集成电路装置20的上表面的键合焊盘(键合焊盘24a～24k，参照图6)借助引线14而与设置于自封装10的下方数第5层的上表面的电极15键合。在本实施方式中，集成电路装置20中包含有图1所示的发热电路4和温度传感器5。

并且，对于集成电路装置20的详细情况，在后述的“1.3.集成电路装置”中进行说明。

振荡用ic30的下表面被粘接固定于自封装10的下方数第2层的上表面。设置于振荡用ic30的上表面的各电极(焊盘)借助引线14而与设置于自封装10的下方数第3层的上表面的各电极键合。在本实施方式中，振荡用ic30中包含有图1所示的振荡电路3和温度控制用电路6。

振子2被固定于集成电路装置20。在图示的示例中，设置于振子2的下表面侧的一部分的电极利用导电性接合材料16被粘接固定于集成电路装置20的上表面上设置的电极(焊盘)。导电性接合材料16例如是银糊料等导电性粘结剂。设置于振子2的上表面侧的电极(焊盘)借助引线14而与设置于自封装10的下方数第5层的上表面的电极键合。

振子2不仅被固定于集成电路装置20，而且还被设置于封装10的上表面的基座部18支承。并且，基座部18还可以用作垫块，用于在将振子2固定于集成电路装置20时，使振子2的姿势稳定。振子2与基座部18可以接触，也可以不接触。基座部18例如是金凸块。

并且，振子2也可以在被收纳于振子用封装(未图示)中的状态下被固定于集成电路装置20，所述振子用封装用于收纳振子2。

此外，在封装10的内部或表面设有与振子2的上表面电极引线键合的电极以及与集成电路装置20的各电极引线键合的各电极。此外，在封装10的内部或表面设有布线(未图示)，所述布线用于将振荡用ic30的各电极与进行引线键合的各电极电连接。

而且，虽然未图示，但在封装10的下表面设有电源端子、接地端子以及其他外部端子(振荡信号的输出端子等)。此外，在封装10的内部或表面还设有用于将电源端子和接地端子与集成电路装置20和振荡用ic30电连接的布线、以及用于将其他外部端子与振荡用ic30电连接的布线。

1.3.集成电路装置

图4示出第1实施方式的恒温槽型石英振荡器100的集成电路装置20的电路结构的一例的图。

如图4所示，集成电路装置20构成为具有电源端子vd、接地端子vs、发热控制信号的输入端子g和温度信息信号的输出端子ts，并包括发热电路4(发热部的一例)和温度传感器5(温度检测部的一例)。

发热电路4能够发热。发热电路4作为发热部发挥功能，所述发热部产生用于将振子2的温度保持得固定的热。发热电路4构成为，电阻4a和mos晶体管4b在电源端子vd与接地端子vs之间串联连接，并且，图1所示的温度控制用电路6输出的发热控制信号经由输入端子g被输入到mos晶体管4b的栅极。利用该发热控制信号来控制流过电阻4a的电流，由此来控制电阻4a的发热量。

温度传感器5作为温度检测部发挥功能，所述温度检测部对该温度传感器5的周围温度进行检测。温度传感器5构成为，1个或多个二极管5a在输出端子ts与接地端子vs之间沿正向串联连接。由设置于图1所示的温度控制用电路6的恒电流源向该输出端子ts供给恒定的电流，由此使得恒定的正向电流流向二极管5a。当恒定的正向电流流向二极管5a时，二极管5a的两端的电压相对于温度变化大致线性地发生变化(例如，以大约-6mv/℃的比例发生变化)，因此，输出端子ts的电压相对于温度成为线性的电压。因此，能够将从该输出端子ts输出的信号用作为温度信息信号。

图5是示出集成电路装置20的电路结构的另一例的图。图5中，相对于图4的电路，作为二极管5a的替代，1个或多个双极晶体管5b在输出端子ts与接地端子vs之间沿正向串联连接。各双极晶体管5b与基极和集电极连接，当使恒定的正向电流在双极晶体管5b的集电极-发射极之间流动时，基极-发射极之间的电压相对于温度变化大致线性地发生变化。因此，输出端子ts的电压相对于温度成为线性的电压。因此，能够将从该输出端子ts输出的信号用作为温度信息信号。

图6是示意性地示出集成电路装置20的俯视图。图7是示意性地示出集成电路装置20的剖视图，并且，是图6的vii-vii线的剖视图。图8是示意性地示出集成电路装置20的剖视图，并且，是图6的viii-viii线的剖视图。并且，图6～图8中图示出x轴、y轴和z轴作为彼此垂直的3个轴。此外，图7中，图示出振子2被固定于集成电路装置20的状态。

如图6～图8所示，集成电路装置20具有集成电路基板(基板的一例)21、接合部22和键合焊盘24a～24k。

集成电路基板21上形成有上述的图4所示的发热电路4和温度传感器5。即，集成电路基板21上形成有电阻4a、mos晶体管4b、二极管5a等。对于集成电路基板21的详细情况，在后面进行叙述。

接合部22是接合振子2的部分。接合部22设置于集成电路基板21上。关于接合部22的形状和大小，只要能够固定振子2，并不特别限定。

接合部22构成为包括绝缘性保护膜23和导电图案25。绝缘性保护膜23形成于集成电路基板21上。绝缘性保护膜23覆盖集成电路基板21的表面的一部分(在图示的示例中为集成电路基板21的上表面27的一部分)。绝缘性保护膜23作为用于保护集成电路基板21的表面的保护膜发挥功能。绝缘性保护膜23的材质例如为二氧化硅(sio2)及聚酰亚胺等。

导电图案25形成于绝缘性保护膜23上以及集成电路基板21上。导电图案25是将键合焊盘24e和振子2的引出电极2d电连接的再布线层。导电图案25的材质例如为铜或者以铜为主要成分的合金等。并且，导电图案25的表面也可以例如由金、铝或以这些为主要成分的合金覆盖，以良好地保持与导电性接合材料16的连接性。

导电图案25具有：与振子2接合的接合电极部25a；和连接接合电极部25a与键合焊盘24e的引出电极部25b。并且，引出电极部25b可以与设置在集成电路基板21上的多个键合焊盘的一部分电连接，也可以与多个键合焊盘的全部电连接。

接合部22是在俯视观察时(从集成电路基板21的上表面27的垂线方向观察，并且，从z轴方向观察)绝缘性保护膜23与导电图案25重合的部分。

如图7所示，振子2构成为包括：采用石英作为基板材料的振动片2a；设置于振动片2a的下表面的下表面电极2b；设置于振动片2a的上表面的上表面电极2c；与下表面电极2b电连接的引出电极2d；以及与上表面电极2c电连接的引出电极2e。

在恒温槽型石英振荡器100中，振子2的引出电极2d和导电图案25利用导电性接合材料16电连接并物理连接。此外，振子2的引出电极2e利用引线14与形成于封装10中的电极15电连接。

键合焊盘24a～24k设置在集成电路基板21上。如图6所示，键合焊盘24a～24k在俯视观察时沿着集成电路基板21的外缘排列。在图示的示例中，集成电路基板21的外缘在俯视观察时为长方形，键合焊盘24a～24k沿着该长方形的一个边排列。键合焊盘24a～24k分别经由引线14与形成于封装10中的电极15连接。

键合焊盘24a作为图4所示的电源端子vd发挥功能。键合焊盘24a设置在集成电路基板21的电极26a上。键合焊盘24a与电极26a电连接。相同地，键合焊盘24i作为图4所示的电源端子vd发挥功能。键合焊盘24i设置在集成电路基板21的电极26i上。键合焊盘24i与电极26i电连接。

键合焊盘24b作为图4所示的接地端子vs发挥功能。键合焊盘24b设置在集成电路基板21的电极26b上。键合焊盘24b与电极26b电连接。相同地，键合焊盘24c、24d、24f、24g、24h分别作为图4所示的接地端子vs发挥功能。键合焊盘24c、24d、24f、24g、24h设置于集成电路基板21的电极26c、26d、26f、26g、26h上。键合焊盘24c、24d、24f、24g、24h分别与电极26c、26d、26f、26g、26h电连接。

键合焊盘24j作为图4所示的输出端子ts发挥功能。键合焊盘24j设置在集成电路基板21的电极26j上。键合焊盘24j与电极26j电连接。

键合焊盘24k作为图4所示的输入端子g发挥功能。键合焊盘24k设置在集成电路基板21的电极26k上。键合焊盘24j与电极26k电连接。

键合焊盘24e设置在集成电路基板21的电极26e上。键合焊盘24e与电极26e电连接。键合焊盘24e经由导电图案25与振子2的下表面电极2b电连接。

键合焊盘24a～24k的材质例如为铜或者以铜为主要成分的合金。并且，键合焊盘24a～24k的表面也可以例如由金、铝或以这些为主要成分的合金覆盖，以良好地保持与引线14的连接性。

如图6～图8所示，在相邻的键合焊盘24a～24k之间未设有绝缘性保护膜(例如绝缘性保护膜23)。绝缘性保护膜23是用于保护集成电路基板21的表面的绝缘性的膜。此外，相邻的键合焊盘是指，多个键合焊盘中的任意1个键合焊盘、和从该1个键合焊盘观察最接近的另一个键合焊盘。例如，键合焊盘24a和与键合焊盘24a最接近的键合焊盘24j可以说是相邻的键合焊盘。

如图8所示，在相邻的键合焊盘24a～24k之间未设有绝缘性保护膜，而是设有空隙28。

在俯视观察时，键合焊盘24a～24k沿着集成电路基板21的外缘排列，在集成电路基板21的沿着该外缘的上表面27上的区域27a(也称作“焊盘区域”)未设有绝缘性保护膜。换而言之，键合焊盘24a～24k配置在集成电路基板21上的未设有绝缘性保护膜的焊盘区域27a。在图示的示例中，焊盘区域27a是集成电路基板21的上表面27上的区域中、比接合电极部25a靠与振子2的振动区域侧相反一侧(-y方向侧)的区域。振子2的振动区域是振动片2a的被下表面电极2b和上表面电极2c夹着的部分。

图9是示意性地示出集成电路装置20的集成电路基板21的俯视图。图10是示意性地示出集成电路装置20的集成电路基板21的图9的沿x-x线的剖视图。

如图9和图10所示，集成电路基板21构成为包括半导体基板21a、扩散层21b、绝缘层21c及电极26a～26k。集成电路基板21构成为还包括构成发热电路4的mos晶体管4b和温度传感器5。

半导体基板21a例如为硅基板。半导体基板21a并不限于硅基板，只要是由半导体材料构成的基板即可。半导体基板21a例如为p型半导体基板。

扩散层21b是通过在p型半导体基板21a的表面掺杂磷(p)等杂质而形成的n型扩散层。扩散层21b作为图4所示的发热电路4的电阻4a发挥功能。并且，半导体基板21a也可以是n型半导体基板，扩散层21b也可以是通过在n型半导体基板21a的表面掺杂硼(b)等杂质而形成的p型扩散层。

绝缘层21c形成在扩散层21b上。绝缘层21c的材质例如为二氧化硅(sio2)。

电极26a～26k形成在绝缘层21c上。

电极26a经由设置于绝缘层21c的多个过孔21d而与扩散层21b电连接。电极26a作为用于对扩散层21b施加电源电压的电极发挥功能。相同地，电极26i经由设置于绝缘层21c的多个过孔21d而与扩散层21b电连接。电极26i作为用于对扩散层21b施加电源电压的电极发挥功能。

电极26b经由设置于绝缘层21c的多个过孔21d而与扩散层21b电连接。电极26b作为用于对扩散层21b施加接地电压的电极发挥功能。相同地，电极26b、26c、26d、26f、26g、26h经由设置于绝缘层21c的多个过孔21d而与扩散层21b电连接。电极26b、26c、26d、26f、26g、26h作为用于对扩散层21b施加接地电压的电极发挥功能。

电极26j与作为输出端子ts发挥功能的键合焊盘24j电连接。电极26k与作为输入端子g发挥功能的键合焊盘24k电连接。电极26e与键合焊盘24e电连接。

电极26a～26k的材质例如为铝或以铝为主要成分的合金。

在集成电路基板21，在俯视观察时，mos晶体管4b相对于电极26b、26c、26d、26e、26f、26g、26h配置在+y轴方向侧的附近区域。mos晶体管4b由下述部分构成：由作为栅极发挥功能的多晶体硅等构成的布线、作为漏极发挥功能的扩散层、以及作为源极发挥功能的扩散层等。

此外，在集成电路基板21，在俯视观察时，温度传感器5配置在与振子2重合的区域。即，在恒温槽型石英振荡器100中，在俯视观察时，温度传感器5与振子2重合。因此，温度传感器5能够高精度地检测出振子2的温度。

在俯视观察时，在集成电路基板21上，以与连接电极26a和电极26b的假想直线(连接电极26a的重心和电极26b的重心的假想直线)相交的方式形成有槽29a。此外，在俯视观察时，在集成电路基板21上，以与连接电极26i和电极26h的假想直线(连接电极26i的重心和电极26h的重心的假想直线)相交的方式形成有槽29b。槽29a、29b是未形成有扩散层21b的区域。槽29a、29b是电阻率比扩散层21b高的区域。

在集成电路基板21，对和电极26a、26i电连接的扩散层21b的区域与和电极26b、26c、26d、26f、26g、26h电连接的扩散层21b的区域之间施加电位差。由此，电流i流动，扩散层21b发热。此时，从电极26a、26i输入的电流i以绕过槽29a、29b的方式流动至电极26b、26c、26d、26f、26g、26h。由此，能够将电流i流动的路径形成得较长，使得在俯视观察扩散层21b时能够在与振子2重合的区域流过足够的电流，从而高效地加热振子2。

第1实施方式的恒温槽型石英振荡器100例如具有以下的特征。

恒温槽型石英振荡器100具有集成电路装置20。在集成电路装置20中，在与振子2接合的接合部22设有绝缘性保护膜23，该绝缘性保护膜23覆盖作为基板的集成电路基板21的表面的一部分，在相邻的键合焊盘24a～24k之间未设有绝缘性保护膜。因此，在集成电路装置20中，在相邻的键合焊盘24a～24k之间，绝缘性保护膜23与键合焊盘24a～24k之间未形成台阶。因此，在集成电路装置20中，能够避免引线键合时使用的劈刀与由绝缘性保护膜和键合焊盘形成的台阶碰撞这样的问题，能够提高引线键合的生产性。由此，根据恒温槽型石英振荡器100，由于具有集成电路装置20，因此能够实现生产性高的恒温槽型石英振荡器。

此外，在以往的恒温槽型石英振荡器中，在绝缘性保护膜23与键合焊盘24a～24k之间会形成台阶，因此，在评价键合焊盘24a～24k和引线14接合的接合强度(共同(share)强度)时，存在用于对键合焊盘24a～24k和引线14的接合部施加载荷的工具与所述台阶碰撞的情况。

对此，在恒温槽型石英振荡器100中，在相邻的键合焊盘24a～24k之间，绝缘性保护膜23与键合焊盘24a～24k之间未形成台阶，因此能够避免上述问题。因此，根据恒温槽型石英振荡器100，能够容易地评价共同强度。

在恒温槽型石英振荡器100中，集成电路装置20具有作为发热的发热部的发热电路4、以及作为检测周围温度的温度检测部的温度传感器5。因此，在集成电路装置20中，由于能够将发热电路4和温度传感器5配置在振子2附近，因此，能够高效地加热振子2，并能够高精度地检测出振子2的温度。因此，根据恒温槽型石英振荡器100，能够以低电力消耗来实现高精度的恒温槽型石英振荡器。

在第1实施方式的恒温槽型石英振荡器100中，由于具有用于使振子2振荡的振荡电路3(振荡用ic30)，因此，如上述那样，能够实现生产性高的振荡器。

2.第2实施方式

图11是示意性地示出第2实施方式的恒温槽型石英振荡器200的俯视图。图12是示意性地示出第2实施方式的恒温槽型石英振荡器200的集成电路装置20的俯视图。图13是示意性地示出第2实施方式的恒温槽型石英振荡器200的集成电路装置20的剖视图，并且，是沿图12的xiii-xiii线的剖视图。

并且，图11中，为了方便，省略了封装10、盖12及振荡用ic30的图示。此外，图13中，图示出振子2被固定于集成电路装置20的状态。图12和图13中图示出x轴、y轴和z轴作为彼此垂直的3个轴。

下面，在第2实施方式的恒温槽型石英振荡器200中，对与第1实施方式的振荡器100的构成部件具有相同功能的部件标记相同的标号，并省略其详细的说明。

在恒温槽型石英振荡器200中，如图11～图13所示，在集成电路装置20的接合部22设有多个凸块部件40。

凸块部件40设置于导电图案25上。凸块部件40是设置于导电图案25上的突起。凸块部件40例如是金凸块、焊锡凸块等金属凸块。

凸块部件40在图示的示例中虽然设有16个，但其数量并不特别限定。多个凸块部件402彼此分离地设置。在相邻的凸块部件40之间设有间隙42。间隙42的大小(即，相邻的凸块部件40之间的距离)优选为下述这样的大小：当将振子2与接合部22接合时，能够挡住涂敷在由多个凸块部件40围成的区域的导电性接合材料16。

在俯视观察时，多个凸块部件40配置成圆状。即，多个凸块部件40在俯视观察时位于1个假想圆上。在图示的示例中，虽然多个凸块部件40的重心的位置在俯视观察时位于1个假想圆上，但凸块部件40的重心在俯视观察时也可以并不一定位于假想圆上。

在俯视观察时，多个凸块部件40在假想圆上等间隔地配置。即，在配置在假想圆上的多个凸块部件40，间隙42的大小彼此相等。并且，在配置在假想圆上的多个凸块部件40，间隙42的大小也可以互不相同。

多个凸块部件40配置在导电图案25与振子2的引出电极2d之间。多个凸块部件40被导电图案25和引出电极2d夹着，并与引出电极2d接触。

在俯视观察时，导电性接合材料16的至少一部分被多个凸块部件40包围。换而言之，在俯视观察时，导电性接合材料16的至少一部分存在于由连接多个凸块部件40的重心的假想直线形成的图形的内侧。

这样，通过使得导电性接合材料16的至少一部分被多个凸块部件40包围，从而能够减轻将振子2与接合部22接合时的导电性接合材料16的扩展。例如，当将振子2与接合部22接合时，通过在由多个凸块部件40围成的区域涂敷导电性接合材料16以将振子2与接合部22接合，从而能够利用多个凸块部件40来减轻导电性接合材料16的扩展。因此，当将振子2与接合部22接合时，例如能够防止导电性接合材料16扩展至振子2的振动区域而对振子2的振动带来影响的情况(例如振子的q值降低)。

并且，在图12所示的示例中，虽然多个凸块部件40在俯视观察时配置成圆状，但是，关于多个凸块部件40的配置，只要能够包围导电性接合材料16的至少一部分，则并不限于此。

图14～图16是示意性地示出第2实施方式的恒温槽型石英振荡器200的集成电路装置20的图，并且，是示出多个凸块部件40的配置的另一例的图。

如图14所示，多个凸块部件40也可以在俯视观察时配置成圆弧状。即，多个凸块部件40在俯视观察时位于1个假想圆弧上。此外，在将多个凸块部件40配置成圆弧状这样的情况下，只要将设置于接合部22的多个凸块部件40中的至少一部分配置成圆弧状即可。将多个凸块部件40配置成圆弧状这样的情况中例如包括如下情况：将多个凸块部件40配置成圆状的情况(参照图12)以及将多个凸块部件40配置成包含形成为圆弧状的部分的椭圆形状(参照图27)的情况。

在图14所示的示例中，多个凸块部件40的振子2的振动区域侧(+y方向侧)的间隙42小到能够挡住导电性接合材料16的程度。因此，能够减轻导电性接合材料16向振动区域侧的扩展，能够减小对振子2的振动带来的影响的情况。此外，在图14所示的示例中，多个凸块部件40的与振动区域侧相反一侧(-y方向侧)的间隙大于振动区域侧的间隙42。因此，能够使多余的导电性接合材料16向与振动区域侧相反一侧逸出。

此外，也可以如图15所示地，在俯视观察时，多个(16个)凸块部件40配置成圆状，并且，在配置成圆状的多个(16个)凸块部件40的内侧配置有多个(5个)凸块部件40。这样，通过进一步将凸块部件40配置在被配置成包围导电性接合材料16的多个凸块部件40的内侧，从而能够在将振子2与接合部22接合时提高导电性接合材料16的厚度的均匀性。此外，利用配置在被配置成包围导电性接合材料16的多个凸块部件40的内侧的凸块部件40，能够增大接合面的表面积，因此，能够提高接合部22与振子2接合的接合强度。

此外，如图16所示，4个凸块部件40也可以在俯视观察时配置成圆状。此外，也可以如图17所示地，在俯视观察时，4个凸块部件40配置成圆状，并且，在配置成圆状的4个凸块部件40的内侧配置1个凸块部件40。

如图16和图17所示，在被配置成包围导电性接合材料16的多个凸块部件40，间隙42的大小也可以比当将振子2与接合部22接合时能够挡住导电性接合材料16的大小大。即使在这样的情况下，当将振子2与接合部22接合时，由于凸块部件40能够包围导电性接合材料16的一部分，因此，与未设有凸块部件40的情况相比，能够减轻导电性接合材料16的扩展。

并且，对于多个凸块部件40，只要设置成在俯视观察时包围导电性接合材料16的至少一部分，也可以不配置成圆状(圆弧状)。虽然未图示，但多个凸块部件40在俯视观察时例如也可以配置成多边形形状、楕圆状等。

第2实施方式的恒温槽型石英振荡器200例如具有以下的特征。

在恒温槽型石英振荡器200中，由于导电性接合材料16被设置于接合部22的多个凸块部件40包围，因此，能够减轻将振子2与接合部22接合时的导电性接合材料16的扩展。因此，在恒温槽型石英振荡器200中，当将振子2与接合部22接合时，能够防止导电性接合材料16扩展至振子2的振动区域而对振子2的振动带来影响的情况。例如，在恒温槽型石英振荡器200中，能够减轻由于导电性接合材料16扩展至振子2的振动区域而导致的振子的q值的降低，从而能够减小阻抗的偏差。

在恒温槽型石英振荡器200中，多个凸块部件40彼此分离。因此，当将振子2与接合部22接合时，能够减轻导电性接合材料16的扩展，并且，能够使多余的导电性接合材料16从由多个凸块部件40围成的区域逸出。

在恒温槽型石英振荡器200中，由于多个凸块部件40被配置成圆弧状，因此，能够减轻将振子2与接合部22接合时的导电性接合材料16的扩展。

此外，在恒温槽型石英振荡器200中，能够起到与上述的恒温槽型石英振荡器100相同的作用效果。

3.第3实施方式

图18是示意性地示出第3实施方式的恒温槽型石英振荡器300的俯视图。图19是示意性地示出第3实施方式的恒温槽型石英振荡器300的集成电路装置20的俯视图。图20是示意性地示出第3实施方式的恒温槽型石英振荡器300的集成电路装置20的剖视图，并且，是沿图19的xx-xx线的剖视图。

并且，图18中，为了方便，省略了封装10、盖12及振荡用ic30的图示。此外，图19和图20中图示出x轴、y轴和z轴作为彼此垂直的3个轴。

下面，在第3实施方式的恒温槽型石英振荡器300中，对与第1实施方式的恒温槽型石英振荡器100和第2实施方式的恒温槽型石英振荡器200的构成部件具有相同功能的部件标记相同的标号，并省略其详细的说明。

在恒温槽型石英振荡器300中，如图18～图20所示，在俯视观察时，导电图案25具有圆状的接合电极部25a。

此外，在本实施方式中，预先将接合电极部25a形成为导电性接合材料16与接合电极部25a接触的接触面的大小。换而言之，接合电极部25a形成为，接合电极部25a的上表面的面积与该上表面和导电性接合材料16接触的接触区域的面积相等。

在此，在将振子2与接合部22接合时，在接合电极部25a的外缘(接合电极部25a与其他部件(或空间)的边界)处，与接合电极部25a上相比，导电性接合材料16不易扩展。例如在上述的恒温槽型石英振荡器100中，如图6所示，由于接合电极部25a的大小比导电性接合材料16与接合电极部25a接触的接触区域的大小足够大，因此导电性接合材料16容易扩展。对此，在本实施方式中，由于接合电极部25a的大小形成为导电性接合材料16与接合电极部25a接触的接触区域的大小，因此，能够减轻将振子2与接合部22接合时的导电性接合材料16的扩展。

此外，在本实施方式中，如上所述，在俯视观察时，导电图案25具有圆状的接合电极部25a。在此，例如在接合电极部25a在俯视观察时具有角部的情况下，导电性接合材料16难以遍及到该角部。与此相对，在本实施方式中，由于接合电极部25a构成为圆状，即，以不具有角部的曲线来构成，因此，能够使导电性接合材料16遍及接合电极部25a的上表面的整面。因此，即使例如具有角部的情况下的接合电极部25a的面积与不具有角部的情况下的接合电极部25a的面积相同，也能够使不存在角部的情况下的导电性接合材料16与接合电极部25a接触的接触区域大。因此，在本实施方式中，能够减轻将振子2与接合部22接合时的导电性接合材料16的扩展，并且，能够有效地提高振子2与接合部22接合的接合强度。

并且，在图19所示的示例中，虽然接合电极部25a在俯视观察时配置成圆状，但接合电极部25a的平面形状并不限于此。

图21～图24是示意性地示出第3实施方式的恒温槽型石英振荡器300的集成电路装置20的图，并且，是示出接合电极部25a的形状的另一例的图。

如图21～图24所示，接合电极部25a在俯视观察时也可以是椭圆形状。在此，椭圆形状是指，以平滑的封闭的曲线形成且形状接近圆或长圆、楕圆的形状。椭圆形状例如包括卵形、长圆形、楕圆形。

椭圆形状例如包括图21所示的长圆形、图22所示的楕圆形、图23所示的卵形的一部分变形的形状、以及图24所示的卵形的一部分凹下的形状。

这样，由于接合电极部25a构成为俯视观察时由椭圆形状、即不具有角部的曲线构成，因此，如上述那样，能够减轻将振子2与接合部22接合时的导电性接合材料16的扩展，并且，能够有效地提高振子2与接合部22接合的接合强度。

第3实施方式的恒温槽型石英振荡器300例如具有以下的特征。

在恒温槽型石英振荡器300中，由于导电图案25具有椭圆形状，且具有与振子2接合的接合电极部25a，因此，如上述那样，能够减轻将振子2与接合部22接合时的导电性接合材料16的扩展，并且，能够有效地提高振子2与接合部22接合的接合强度。

此外，在恒温槽型石英振荡器300中，能够起到与上述的恒温槽型石英振荡器100相同的作用效果。

4.第4实施方式

图25是示意性地示出第4实施方式的恒温槽型石英振荡器400的俯视图。图26是示意性地示出第4实施方式的恒温槽型石英振荡器400的集成电路装置20的俯视图。

并且，图25中，为了方便，省略了封装10、盖12及振荡用ic30的图示。并且，图26中图示出x轴、y轴和z轴作为彼此垂直的3个轴。

下面，在第4实施方式的恒温槽型石英振荡器400中，对与第1～第3实施方式的振荡器100、200、300的构成部件具有相同功能的部件标记相同的标号，并省略其详细的说明。

在恒温槽型石英振荡器400中，如图25和图26所示，在集成电路装置20的接合部22设有多个凸块部件40，并且，导电图案25在俯视观察时具有圆状(圆弧状)的接合电极部25a。

如图26所示，多个凸块部件40沿着圆状(圆弧状)的接合电极部25a的外缘进行配置。导电性接合材料16被凸块部件40包围，所述凸块部件40沿着圆状的接合电极部25a的外缘配置在接合电极部25a上。

并且，在图26所示的示例中，虽然多个凸块部件40是沿着圆状的接合电极部25a的外缘进行配置，但是，接合电极部25a可以具有各种形状，多个凸块部件40也可以沿着具有各种形状的接合电极部25a的外缘进行配置。

图27是示意性地示出第4实施方式的恒温槽型石英振荡器200的集成电路装置20的图，并且，是示出多个凸块部件40的配置以及接合电极部25a的形状的另一例的图。

如图27所示，接合电极部25a也可以具有椭圆形状(长圆形状)，并且，多个凸块部件40也可以沿着椭圆形状(长圆形状)的接合电极部25a的外缘进行配置。

并且，在接合电极部25a为图22～图24所示的形状的情况下，同样地也可以将多个凸块部件40沿着接合电极部25a的外缘进行配置。此外，多个凸块部件40也可以沿着接合电极部25a的外缘进行配置，并且，在由多个凸块部件40围成的区域进一步配置多个或单个的凸块部件40(例如参照图15、图17等)。

在恒温槽型石英振荡器400中，在集成电路装置20的接合部22设有多个凸块部件40，并且，导电图案25在俯视观察时具有圆状(圆弧状)的接合电极部25a。因此，根据恒温槽型石英振荡器400，与第2实施方式相同地，利用多个凸块部件40能够减轻导电性接合材料16的扩展，并且，与第3实施方式相同地，利用接合电极部25a的外缘也能够减轻导电性接合材料16的扩展。

此外，在恒温槽型石英振荡器400中，能够起到与上述的恒温槽型石英振荡器100相同的作用效果。

5.第5实施方式

图28是示出第5实施方式的电子设备的结构的一例的功能框图。第5实施方式的电子设备500构成为包括振荡器510、cpu(centralprocessingunit)520、倍频电路530、rom(readonlymemory：只读存储器)540、ram(randomaccessmemory：随机存取存储器)550及通信部560。并且，本实施方式的电子设备也可以构成为省略或变更图28的构成要素(各部分)的一部分，或追加其他构成要素。

振荡器510是基于来自振荡源的信号输出期望的频率的振荡信号的元件。振荡器510具有集成电路装置512，该集成电路装置512包含用于加热温度传感器和振子的发热电路。在振荡器510中，使用集成电路装置512将振子的温度控制成固定温度。

倍频电路530是将振荡器510输出的振荡信号加倍成期望的频率进行输出的电路。倍频电路530输出的振荡信号可以作为cpu520的时钟信号使用，也可以用作为使cpu520生成通信用的载波。

cpu520(处理部)依照存储于rom540等中的程序，例如基于振荡器510输出的振荡信号或倍频电路530输出的振荡信号来进行各种计算处理和控制处理。

rom540存储有用于使cpu520进行各种计算处理和控制处理的程序和数据等。

ram550用作为cpu520的作业区域，临时存储从rom540读出的程序和数据以及cpu520依照各种程序执行的运算结果等。

通信部560进行用于使cpu520与外部装置之间的数据通信成立的各种控制。

例如，作为集成电路装置512，应用上述的实施方式或各变形例中的能够提高引线键合的生产性的集成电路装置20，或者，作为振荡器510，应用上述的实施方式和各变形例的恒温槽型石英振荡器100、200、300、400(具有集成电路装置20)，由此能够实现生产性高的电子设备500。

作为这样的电子设备500可以考虑各种电子设备，例如可以例举出gps(globalpositioningsystem：全球定位系统)模块、网络设备、播放设备、人造卫星和基站中使用的通信设备、个人计算机(例如，移动型个人计算机、膝上型个人计算机、平板型个人计算机)、智能手机及移动电话机等移动体终端、数码照相机、喷墨式排出装置(例如，喷墨打印机)、路由器及开关等存储区域网络设备、局部区域网设备、移动体终端基站用设备、电视机、摄像机、录像机、汽车导航装置、实时时钟装置、寻呼机、电子记事本(也包括带通信功能)、电子词典、计算器、电子游戏设备、文字处理器、工作站、视频电话、防盗用视频监视器、电子双筒望远镜、pos(pointofsale)终端、医疗设备(例如电子体温计、血压计、血糖计、心电图计测装置、超声波诊断装置、电子内窥镜)、鱼群探测器、各种测量设备、计量仪器类(例如车辆、飞机、船舶的计量仪器类)、飞行模拟器、头戴显示器、运动轨迹、运动跟踪、运动控制器、pdr(步行者位置方位测量)等。

作为本实施方式的电子设备500的一例，使用具有集成电路装置512的振荡器510作为基准信号源，例如可以例举出作为以有线或无线的方式与终端进行通信的终端基站用装置等发挥功能的传送装置。作为集成电路装置512，应用上述的实施方式或各变形例中的集成电路装置20，或者，作为振荡器510，应用上述的实施方式和各变形例的恒温槽型石英振荡器100、200、300、400(具有集成电路装置20)，由此，能够以更高的生产性来实现例如能够在通信基站等使用的、频率精度比以往更高的、期望高性能、高可靠性的电子设备500。

此外，作为本实施方式的电子设备500的另一例，也可以是下述这样的通信装置，该通信装置包括频率控制部，该频率控制部中，通信部560接收外部时钟信号，cpu520(处理部)基于该外部时钟信号和振荡器510的输出信号或倍频电路530的输出信号(内部时钟信号)来控制振荡器510的频率。该通信装置例如也可以是在三级时脉(stratum3)等基本系统网络设备或飞蜂窝(femtocell)中使用的通信设备。

6.第6实施方式

图29是示出第6实施方式的基站的概要结构的一例的图。第6实施方式的基站600构成为包括接收装置610、发送装置620及控制装置630。并且，本实施方式的基站也可以构成为省略或变更图29的构成要素(各部分)的一部分，或追加其他构成要素。

接收装置610构成为包括接收天线612、接收部614、处理部616及振荡器618。

振荡器618是基于来自振荡源的信号输出期望的频率的振荡信号的元件。振荡器618具有集成电路装置619，该集成电路装置619包含用于加热温度传感器和振子的发热电路。在振荡器618中，使用集成电路装置619将振子的温度控制成固定温度。

接收天线612从移动电话机和gps卫星等移动终端(未图示)接收叠加有各种信息的电波。

接收部614使用振荡器618输出的振荡信号将接收天线612所接收的信号解调成期望的中频(if：intermediatefrequency)带的信号。

处理部616使用振荡器618输出的振荡信号将接收部614进行解调而成的中频带的信号变换为基带信号，并对包含在基带信号中的信息进行解调。

控制装置630收取接收装置610(处理部616)进行解调后的信息，进行与该信息对应的各种处理。然后，控制装置630生成要发送给移动终端的信息，并将该信息送出至发送装置620(处理部626)。

发送装置620构成为包括发送天线622、发送部624、处理部626及振荡器628。

振荡器628是基于来自振荡源的信号输出期望的频率的振荡信号的元件。振荡器628具有集成电路装置629，该集成电路装置629包含用于加热温度传感器和振子的发热电路。在振荡器628中，使用集成电路装置629将振子的温度控制成固定温度。

处理部626使用振荡器628输出的振荡信号，使用从控制装置630接收到的信息来生成基带信号，并将该基带信号变换为中频带的信号。

发送部624使用振荡器628输出的振荡信号对来自处理部626的中频带的信号进行调制并与载波叠加。

发送天线622将来自发送部624的载波作为电波发送至移动电话机和gps卫星等移动终端。

作为接收装置610所具有的集成电路装置619、发送装置620所具有的集成电路装置629，应用上述的实施方式或各变形例中的能够提高引线键合的生产性的集成电路装置20，或者，作为接收装置610所具有的振荡器618、发送装置620所具有的振荡器628，应用上述的实施方式或各变形例中的恒温槽型石英振荡器100、200、300、400(具有集成电路装置20)，由此，能够以更高的生产性来实现通信性能优异且可靠性高的基站。

本发明并不限定于本实施方式，能够在本发明的宗旨的范围内进行各种变形实施。

上述的实施方式的振荡器虽然例如是恒温槽型振荡器，但是，本发明并不限于恒温槽型振荡器，还可以应用于具有温度补偿功能的温度补偿振荡器(例如，tcxo(temperaturecompensatedcrystaloscillator))以及具有频率控制功能的电压控制振荡器(例如，vcxo(voltagecontrolledcrystaloscillator))、具有温度补偿功能和频率控制功能的振荡器(例如，vc-tcxo(voltagecontrolledtemperaturecompensatedcrystaloscillator))等。

并且，上述的实施方式和变形例是一例，并不限定于此。例如，可以将各实施方式和各变形例适当组合。

本发明包括与在实施方式中说明的结构实质上相同的结构(例如，功能、方法和结果相同的结构或目的、效果相同的结构)。此外，本发明包括将在实施方式中说明的结构的非本质性部分进行了置换的结构。此外，本发明包括能够起到与在实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构或能够实现相同的目的的结构。此外，本发明包括在实施方式中说明的结构中添加了公知技术的结构。