频率调谐装置的制作方法

文档序号:12067585阅读:370来源:国知局
频率调谐装置的制作方法

本揭示内容是有关于一种频率调谐技术,且特别是有关于频率调谐装置。



背景技术:

振荡器(Oscillator)已被广泛地使用于各种电子装置中。举例而言,振荡器被应用于记忆体装置或数据传输系统,以提供具有预期频率的时脉信号。然而,基于制程、电压、及/或温度(PVT)变异的原因,振荡器可能具有非线性增益。如此,记忆体装置的性能以及精确度将会降低。



技术实现要素:

本揭示内容的一些实施方式是关于一种频率调谐装置。频率调谐装置包含一振荡器、一频率侦测器以及一选择电路。振荡器用以产生一振荡信号。振荡器包含一第一调谐组以及一第二调谐组。第一调谐组用以将振荡信号的频率调整于一第一频带内。第二调谐组用以将振荡信号的频率调整于一第二频带内。频率侦测器用以依据至少一信号产生一控制信号。该至少一信号代表振荡信号的频率。选择电路用以依据控制信号启动第一调谐组以及第二调谐组中的至少一者。

附图说明

阅读以下的详细描述时搭配随附的附图,可对本揭示内容达到最佳的理解。强调的是,根据产业多种类特征构造标准实务可能并非依比例画出,而仅为举例目的之用。事实上,附图中多种类特征构造的尺寸可任意增加或减少以利讨论的明确性。

图1是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的一装置的示意图;

图2是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的图1的振荡器的示意图;

图3是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的图1的频率侦测器以及图1的选择电路的电路图;

图4是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的校正一振荡器的频率的方法的流程图;

图5是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的图2中开关电容电路的微调解析度与图1中振荡信号VO的频率之间的关系;以及

图6是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的图2中振荡器的电容的形成示意图。

具体实施方式

以下揭示内容提供许多不同实施例,例如实施所揭露专利标的不同特征构造。元件与排列的特定范例如下所叙述以简化本揭示内容,并且仅为举例说明并非用以限定本揭示内容。举例而言,后段叙述中形成第一特征于第二特征上可能包含第一特征与第二特征是以直接接触方式形成的实施例,也可能包含其他特征形成于第一第二特征间,以使第一及第二特征可能不是直接接触的实施例。另外,本揭示内容可重复参考标号及/或文字于不同的例子中。这种重复是为了简化及清楚的目的且并非限定所讨论的不同实施例及/或配置之间的关系。

在全篇说明书所使用的用词(terms),通常具有每个用词使用在此领域中以及在此揭示内容中平常意义。此说明书中使用的例子,包含于此所讨论的任何用词的例子,仅用以示例,且非用以限制任何举例的用词的范围以及意义。同样地,本揭示并不限制于本说明书中的各种例子。

虽然本文中所使用的“第一”、“第二”、“第三”…等可用以描述不同的元件,这些元件并非受限于这些用词。这些用词用以区别不同的元件。举例而言,在不违背实施例的范围的情况下,第一元件可被命名为第二元件,且相似地,第二元件可被命名为第一元件。如于此所讨论的,用词“及/或”包含一或多个被列举的物件的任何以及所有的组合。

请参考图1。图1是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的一装置100的示意图。在一些实施例中,装置100被应用于一全数字锁相环(all-digital phase locked loop;ADPLL)系统。在一些实施例中,装置100用以运作为一数字受控振荡器。

以图1示例而言,装置100包含振荡器120、频率侦测器140、以及选择电路160。振荡器120用以受选择电路160所控制,以产生振荡信号VO。在一些实施例中,振荡器120包含调谐组122以及调谐组124。调谐组122用以将振荡信号VO的频率调整于第一频带内。调谐组124用以将振荡信号VO的频率调整于第二频带内。在一些实施例中,第二频带高于第一频带。等效而言,振荡信号VO的频率范围被调谐组122以及调谐组124所划分。在一些实施例中,第一频带的频率范围部分重叠于第二频带的频率范围。举例而言,第一频带的范围约介于9~17吉赫(GHz),第二频带的范围约介于16~19吉赫。两者之间重叠的频率范围约为1吉赫。

第一频带范围、第二频带范围、以及重叠频率范围的安排以及值仅用以示例的目的。第一频带范围、第二频带范围、以及重叠频率范围的各种安排以及值皆在本揭示内容的考量范围内。

频率侦测器140用以侦测至少一信号F1,且对应地产生控制信号VC。在不同的实施例中,该至少一信号F1包含多个信号,这些信号足以代表振荡信号VO的频率。在一些实施例中,该至少一信号F1包含在ADPLL系统中的频率控制字元,其用以校正振荡信号VO的频率。在一些进一步的实施例中,频率控制字元包含用以校正制程、电压以及温度(PVT)变异的控制码、用以选择振荡信号VO的频率的控制码、用以粗调的控制码、及/或用以细调的控制码。在一些实施例中,该至少一信号F1包含输出自ADPLL系统中一参考累积器及/或一变动累积器的数据。在一些其他的实施例中,该至少一信号F1包含输出自一时间数字转换器(time-to-digital converter;TDC)的数据。在一些实施例中,该至少一信号F1包含输出自一监控电路的信号,监控电路用以侦测振荡信号VO的频率。在一些取代的实施例中,信号F1包含来自一类比PPL系统的一控制电压。

信号F1的安排仅用以示例的目的。信号F1能够代表振荡信号VO的频率,信号F1的各种安排皆在本揭示内容的考量范围内。

选择电路160耦接于频率侦测器140与振荡器120之间。在一些实施例中,选择电路160用以依据控制信号VC输出选择信号VS1以及选择信号VS2,以启动调谐组122以及调谐组124的其中一者。在一些实施例中,选择信号VS1以及选择信号VS2为多位信号。在一些实施例中,多位信号为二进制码(binary code)的型式。在一些其他的实施例中,多位信号为温度计码(thermometer code)的型式。在这些安排下,振荡信号VO的频率能够自动地被调整。在一些实施例中,选择信号VS1~VS2是通过控制信号VC与信号F1的逻辑运算或者算术运算而产生。在一些实施例中,选择信号VS1~VS2是通过控制信号VC与信号F1的不同位的逻辑运算或者算术运算而产生。

请参考图2。图2是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的图1的振荡器120的示意图。为便于了解,图2中与图1中相似的元件以相同元件符号标示。

在一些实施例中,振荡器120包含电感电容振荡器(LC-based oscillator)。以图2示例而言,相较于图1,振荡器120还包含电感L1~L2以及形成交错耦接对的开关M1~M2。电感L1耦接于电压源与节点O+之间。电压源用以提供电压VDD。电感L2耦接于电压源与节点O-之间。开关M1耦接于节点O+与地端之间。开关M1的控制端耦接节点O-。开关M2耦接于节点O-与地端之间。开关M2的控制端耦接于节点O+。调谐组122以及调谐组124耦接于节点O+以及节点O-之间。在一些实施例中,电感L1的电感值与电感L2的电感值相同。

在一些实施例中,调谐组122以及调谐组124的各者包含开关电容电路SC1~SCN。为了简化,图2只绘示了调谐组122中开关电容电路SC1的电路图。调谐组122中开关电容电路SC2~SCN的电路架构以及调谐组124中开关电容电路SC1~SCN的电路架构相同于调谐组122中开关电容电路SC1的电路架构。在一些实施例中,开关电容电路SC1包含开关M3~M5以及电容C1~C2。在一些实施例中,电容C1的电容值与电容C2的电容值相同。

电容C1的第一端耦接节点O+,电容C1的第二端耦接开关M3的第一端。电容C2的第一端耦接开关M3的第二端,电容C2的第二端耦接节点O-。开关M4耦接于电容C1的第二端与地端之间。开关M5耦接于第二电容的第一端与地端之间。调谐组122中开关电容电路SC1~SCN的开关M3~M5用以依据选择信号VS1导通。调谐组124中开关电容电路SC1~SCN的开关M3~M5用以依据选择信号VS2导通。当开关M3导通,电容C1连接至电容C2。当开关M4导通,电容C1的第二端连接至地端。当开关M5导通,电容C2的第一端连接至地端。

在一些实施例中,为了在节点O+与节点O-之间产生振荡信号VO,电感L1与耦接至电感L1的等效电容CSW1间发生共振,电感L2与耦接至电感L2的等效电容CSW2间发生共振。在一些实施例中,等效电容CSW1以及等效电容CSW2是依据开关电容电路SC1~SCN的运作状态决定。对应地,随着开关电容电路SC1~SCN的不同运作状态,开关电容电路SC1~SCN的每一者能够提供振荡信号VO的一特定范围的频率。以不同的方式解释,振荡器120的增益能够通过导通或截止开关电容电路SC1~SCN而被调整。

在一些实施例中,调谐组122以及调谐组124被应用在振荡器120的微调中。示例而言,开关电容电路SC1~SCN以对称的架构形成。等效电容CSW1的电容值大致与等效电容CSW2的电容值相同。因此,为了简化,以下叙述将以等效电容CSW1为例进行说明。

如上所述,振荡信号VO的频率依据发生在开关电容电路SC1~SCN中的共振而调整。开关电容电路SC1的解析度△fFINE用以微调振荡器120的增益,△fFINE能够以以下公式(1)表达:

L是电感L1~L2的电感值,Cpar是开关电容电路SC1的寄生电容,CSW是等效电容CSW1以及等效电容CSW2的其中一者,且△CFINE是开关电容电路SC1的电容的单位变异。

当开关电容电路SC1的开关M3~M5被导通,CSW对应的电容值以下将被标记为CSW_ON。取而代之地,当开关电容电路SC1的开关M3~M5被截止,CSW对应的电容值以下将被标记为CSW_OFF。在一些实施例中,当CSW的电容值甚大于Cpar的电容值,公式(1)能够简化成以下的公式(2):

△fFINE_Min是开关电容电路SC1的最小解析度,且△fFINE_Max是开关电容电路SC1的最大解析度。

如此,若CSW的值甚大于寄生电容Cpar,△fFINE_Max与△fFINE_Min之间的关系能够从以下公式(3)得到:

如上所述,当开关电容电路SC1~SCN其中一者的开关M1~M3导通,该开关电容电路SC1~SCN具有电容CSW_ON。当开关电容电路SC1~SCN其中一者的开关M1~M3截止,该开关电容电路SC1~SCN具有电容CSW_OFF。通过利用公式(3),在不同的实施例中,第一频带以及第二频带能够依据CSW_ON与CSW_OFF之间比例的约两倍而决定。

示例而言,请继续参考图2,当开关M3~M5截止时,等效电容CSW1(也就是电容CSW_OFF)实质上由耦接至电容C1的第二端的寄生电容(图未示)以及开关M3的栅极-源极电容形成。当开关M3~M5导通时,电容C1的第二端透过开关M4耦接至地端。如此,当开关M3~M5导通时,等效电容CSW1(也就是电容CSW_ON)实质上由电容C1形成。如此,通过选择开关M3~M5以及电容C1的尺寸,电容CSW_ON与电容CSW_OFF之间的比例就能够被决定。等效而言,第一频带与第二频带能够被线性地决定。举例而言,当电容CSW_ON与电容CSW_OFF之间的比例被设定约为1时,由公式(3)得到的值约为2。相应地,第二频带的解析度被设计在例如约4~8百万赫兹(million Hertz;MHZ)的范围内。微调解析度以及频带的值仅用以示例的目的。微调解析度以及频带的各种值皆在本揭示内容的考量范围内。

在一些作法中,振荡器的增益为非线性。换句话说,这些作法中的振荡器的增益纳入了二次方程式的计算,这需要复杂的分析。相较于前述的作法,通过利用上述的公式(3),第一频带与第二频带能够更有效率地被设定。

请参考图3。图3是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的图1的频率侦测器140以及图1的选择电路160的电路图。为便于了解,图3中与图2以及图1中相似的元件以相同元件符号标示。

以图3示例而言,在一些实施例中,频率侦测器140包含比较器142。比较器142用以比较该至少一信号F1与临限频率FTH,以产生控制信号VC。在一些实施例中,临限频率FTH是第一频带与第二频带之间的界线,例如,如以下图5所绘示。

在一些实施例中,选择电路160包含正反器(flip-flop)162与164、或门(OR)166以及与非门(NAND)168。或门166具有一反相输入端。正反器162用以依据参考频率FREF以及信号F1输出侦测信号VD1,例如包含微调信号。在一些实施例中,侦测信号VD1是多位信号。正反器164用以依据参考频率FREF以及控制信号VC输出侦测信号VD2。或门166的反相输入端用以接收侦测信号VD1,或门166的另一个输入端用以接收侦测信号VD2,或门166的输出端用以输出选择信号VS2。与非门168用以依据侦测信号VD1以及侦测信号VD2输出选择信号VS1。通过这种安排,当振荡信号VO的频率被期望超过临限频率FTH时,调谐组124能够被选择信号VS2启动。如此,振荡信号VO的频率能够被线性地调整于较高的频率范围内。

频率侦测器140以及选择电路160的安排以及实现仅用以示例的目的。频率侦测器140以及选择电路160的各种安排以及实现皆在本揭示内容的考量范围内。

图4是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的校正一振荡器的频率的方法400的流程图。为易于了解的目的,现在请参考图1~图4,方法400的操作将搭配图1的装置100描述。在一些实施例中,方法400包含操作S410~S460。

在操作S410,比较器142比较信号F1的频率与临限频率FTH,以输出控制信号VC。在操作S420,正反器162依据参考频率FREF以及信号F1输出侦测信号VD1。在操作S430,正反器164依据控制信号VC以及参考频率FREF输出侦测信号VD2。

图5是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的图2中开关电容电路SC1~SCN的微调解析度与图1中振荡信号VO的频率之间的关系。

举例而言,如图5的一些实施例示例而言,第一频带位于频率f1至临限频率FTH的范围内,第二频带位于临限频率FTH至频率f2的范围内。当信号F1的频率低于临限频率FTH时,比较器142输出具有逻辑值0的控制信号VC。在这种条件下,正反器162输出具有逻辑值1的侦测信号VD1,且正反器164输出具有逻辑值0的侦测信号VD2。取而代之地,当信号F1的频率高于临限频率FTH时,比较器142输出具有逻辑值1的控制信号VC。在这种条件下,正反器162输出具有逻辑值0的侦测信号VD1,正反器164输出具有逻辑值1的侦测信号VD2。

请继续参考图4,在操作S440,或门166依据侦测信号VD1~VD2输出选择信号VS2。在操作S450,与非门168依据侦测信号VD1~VD2输出选择信号VS1。

举例而言,如上所述,当信号F1的频率低于临限频率FTH时,也就是说,振荡信号VO的频率目前位于第一频带内,侦测信号VD2具有逻辑值0。对应地,与非门168输出具有逻辑值1的选择信号VS1,或门166输出具有逻辑值0的选择信号VS2。取而代之地,当信号F1的频率高于临限频率FTH时,也就是说,振荡信号VO的频率目前位于第二频带内,侦测信号VD2具有逻辑值1。对应地,与非门168输出具有逻辑值0的选择信号VS1,或门166输出具有逻辑值1的选择信号VS2。

请继续参考图4。在操作S460,调谐组122以及调谐组124的其中一者被启动以调整振荡信号VO的频率。

举例而言,如上所述,当振荡信号VO的频率目前位于第一频带内,选择信号VS1具有逻辑值1且选择信号VS2具有逻辑值0。相应地,调谐组122的开关电容电路SC1~SCN被选择以调整振荡信号VO的频率。取而代之地,当振荡信号VO的频率目前位于第二频带内,选择信号VS1具有逻辑值0且选择信号VS2具有逻辑值1。相应地,调谐组124的开关电容电路SC1~SCN被选择以调整振荡信号VO的频率。

上述叙述中的方法400包含示例性的操作,但这些操作不必依上述顺序被执行。按照本揭示内容的精神与范围,本揭示内容的方法400中的操作的顺序能够被改变,或者这些操作能够视情况地同时或部分同时被执行。举例而言,在一些其他的实施例中,调谐组122以及调谐组124同时导通,以进一步延展振荡信号VO的频率调整范围。

在一些方式中,如图5所绘示的曲线501,振荡器在微调解析度中具有非线性特性。相较于这种方式,如图5所绘示的曲线502~503,振荡信号VO的频率范围落于第一频带以及第二频带的其中一者内。曲线502对应于第一频带,曲线503对应于第二频带。等效而言,图1的振荡器120被第一频带以及第二频带的安排所补偿。如此,振荡器120的线性度被改善。

请参考图6。图6是依据本揭示内容的一些实施例所绘示的图2中振荡器120的电容C1~C2的形成的示意图。为便于了解,图6中与图2中相似的元件以相同元件符号标示。

在一些实施例中,以图6示例而言,在图2的调谐组122以及调谐组124的任一者的开关电容电路SC1~SCN中的电容C1~C2是以多指(multi-finger)结构形成。举例而言,在一些实施例中,电容C1~C2是以金属-绝缘体-金属(metal-insulator-metal;MIM)电容形成。在一些实施例中,电容C1~C2是以金属-氧化物-金属(metal-oxide-metal;MOM)电容形成。

进一步而言,在一些实施例中,以图6示例而言,调谐组124的电容C1~C2形成在调谐组122的电容C1~C2上。举例而言,调谐组124的电容C1~C2利用金属层601形成多指结构,且调谐组122的电容C1~C2利用金属层602形成多指结构。利用金属层601所形成的多指结构形成且堆叠在利用金属层602所形成的多指结构上。通过堆叠电容C1~C2,调谐组122以及调谐组124的尺寸得以被减小。在一些其他的实施例中,调谐组122的电容C1~C2形成在调谐组124的电容C1~C2上。

电容C1~C2的安排以及实现仅用以示例的目的。电容C1~C2的各种安排以及实现皆在本揭示内容的考量范围内。举例而言,在一些其他的实施例中,调谐组122以及调谐组124的电容C1~C2是以水平分布的多指电容形成。

为易于了解,上述实施例是搭配两个调谐组122以及124进行描述。在不同的实施例,不同数量的调谐组能够被应用至图1的装置100,例如包含任何多于2或等于2的整数。举例而言,在一些其他的实施例中,图2的振荡器120包含3个调谐组,以调整振荡信号的频率。相应地,3个调谐组能够以图6的多指结构且彼此堆叠而形成。另外,在上述的示例中,调谐组122以及调谐组124能够应用至ADPLL系统中的PVT调谐组、带调谐组(band tuning banks)、粗调调谐组、及/或细调调谐组。

在本文中所使用的用词“耦接”亦可指“电性耦接”,且用词“连接”亦可指“电性连接”。“耦接”及“连接”亦可指二个或多个元件相互配合或相互互动。

在一些实施例中,一种频率调谐装置被揭示。频率调谐装置包含一振荡器、一频率侦测器以及一选择电路。振荡器用以产生一振荡信号。振荡器包含一第一调谐组以及一第二调谐组。第一调谐组用以将振荡信号的频率调整于一第一频带内。第二调谐组用以将振荡信号的频率调整于一第二频带内。频率侦测器用以依据至少一信号产生一控制信号。该至少一信号代表振荡信号的频率。选择电路用以依据控制信号启动第一调谐组以及第二调谐组中的至少一者。

在一些实施例中,第一调谐组以及第二调谐组的每一者包含一开关电容电路。开关电容电路用以于开关电容电路导通时具有一第一电容。开关电容电路用以于开关电容电路截止时具有一第二电容。第一频带以及第二频带是依据第一频带与第二频带间比例的两倍所决定。

在一些实施例中,开关电容电路包含至少一电容性单元。第二调谐组的该至少一电容性单元形成且堆叠于第一调谐组的该至少一电容性单元上。

在一些实施例中,该至少一电容性单元是以一多指结构形成。

在一些实施例中,第一频带的一频率范围部分重叠于第二频带的一频率范围。

在一些实施例中,振荡器还包含一第一电感性单元、一第二电感性单元以及一开关单元的交错耦接对。第一电感性单元耦接一第一节点。第二电感性单元耦接一第二节点。交错耦接对耦接第一节点与第二节点。第一调谐组以及第二调谐组耦接于第一节点与第二节点之间。

在一些实施例中,第一调谐组以及第二调谐组的每一者包含多个开关电容电路。开关电容电路耦接于第一节点与第二节点之间。这些开关电容电路中的一第一开关电容电路包含一第一电容性单元、一第二电容性单元、一第一开关单元、一第二开关单元以及一第三开关单元。第一电容性单元耦接第一节点。第二电容性单元耦接第二节点。第一开关单元用以依据一选择信号导通,以连接第一电容性单元与第二电容性单元。第二开关单元用以依据选择信号导通,以将第一电容性单元连接至地端。第三开关单元用以依据选择信号导通,以将第二电容性单元连接至地端。

在一些实施例中,选择电路用以依据控制信号以及该至少一信号产生选择信号,以启动第一调谐组以及第二调谐组的至少一者。

在一些实施例中,频率侦测器包含一比较器以及多个数字电路。比较器用以比较该至少一信号与一参考频率,以产生控制信号。数字电路用以依据参考频率、控制信号以及该至少一信号产生选择信号。

一种频率调谐方法亦被揭示。频率调谐方法包含以下操作。至少一信号被一频率侦测器侦测以产生一控制信号,该至少一信号代表一振荡信号的频率。一第一调谐组以及一第二调谐组的其中一者被一选择电路依据控制信号启动,以调整振荡信号的频率。第一调谐组对应于一第一频带,第二调谐组对应一第二频带,且振荡信号用以落于第一频带以及第二频带中的其中一者内。

在一些实施例中,一选择信号被选择电路依控制信号、一参考频率以及该至少一信号所产生,以启动第一调谐组以及第二调谐组的其中一者。

在一些实施例中,该至少一信号与一临限频率被一比较器比较,以产生控制信号。临限频率是第一频带与第二频带之间的界线。

在一些实施例中,当该至少一信号的频率高于第一频带时,第二调谐组被启动。当该至少一信号的频率低于第一频带时,第二调谐组被启动。

在一些实施例中,第一调谐组以及第二调谐组的每一者包含一开关电容电路。频率调谐方法还包含以下操作。依据一第一电容与一第二电容之间比例的两倍决定第一频带以及第二频带。开关电容电路用以于开关电容电路导通时具有第一电容。开关电容电路用以于开关电容电路截止时具有第二电容。

一种频率调谐装置亦被揭示。频率调谐装置包含一选择电路、一第一调谐组以及一第二调谐组。选择电路用以依据至少一信号产生一第一选择信号以及一第二选择信号。该至少一信号代表振荡信号的频率。第一调谐组用以依据第一选择信号产生位于一第一频带内的振荡信号。第二调谐组用以依据第二选择信号产生位于一第二频带内的振荡信号。振荡信号的频率依据该至少一信号而落于第一频带以及第二频带中的其中一者内。

在一些实施例中,第一调谐组以及第二调谐组的每一者包含一开关电容电路。开关电容电路用以于开关电容电路导通时具有一第一电容。开关电容电路用以于开关电容电路截止时具有一第二电容。第一频带以及第二频带是依据第一频带与第二频带间比例的两倍所决定。

在一些实施例中,开关电容电路包含至少一电容性单元。第二调谐组的该至少一电容性单元形成且堆叠于第一调谐组的该至少一电容性单元上。

在一些实施例中,频率调谐装置还包含一频率侦测器。频率侦测器用以依据该至少一信号产生一控制信号。该至少一信号代表振荡信号的频率。选择电路用以依据控制信号产生第一选择信号以及第二选择信号。

在一些实施例中,频率调谐装置还包含一第一电感性单元、一第二电感性单元以及一开关单元的交错耦接对。第一电感性单元耦接一第一节点。第二电感性单元耦接一第二节点。交错耦接对耦接第一节点与第二节点。第一调谐组以及第二调谐组耦接于第一节点与第二节点之间。

在一些实施例中,第一调谐组以及第二调谐组的每一者包含多个开关电容电路。开关电容电路耦接于第一节点与第二节点之间。这些开关电容电路中的一第一开关电容电路包含一第一电容性单元、一第二电容性单元、一第一开关单元、一第二开关单元以及一第三开关单元。第一电容性单元耦接第一节点。第二电容性单元耦接第二节点。第一开关单元用以依据一第一选择信号导通,以连接第一电容性单元与第二电容性单元。第二开关单元用以依据第一选择信号导通,以将第一电容性单元连接至地端。第三开关单元用以依据第一选择信号导通,以将第二电容性单元连接至地端。

技术领域通常知识者可以容易理解到揭露的实施例实现一或多个前述举例的优点。阅读前述说明书之后,技术领域通常知识者将有能力对如同此处揭露内容作多种类的更动、置换、等效物以及多种其他实施例。因此本揭示内容的保护范围当视权利要求书所界定的范围与其均等范围为准。

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