晶体振荡器及其生产方法与流程

本发明涉及电子元器件技术领域，尤其涉及一种晶体振荡器及其生产方法。

背景技术：

现有的晶体振荡器主要由带腔体的陶瓷基座、晶片、补偿电路和金属盖组成；在陶瓷基座内有晶片焊接区和补偿电路焊接区，补偿电路一般通过倒装工艺和陶瓷基座连接，晶片和陶瓷基座则是通过在晶片焊接区点银胶的方式连接。

该结构有如下几点不足：

1)该结构的补偿电路与晶片之间存在空隙，属于辐射传热，传热速度较慢；而补偿电路则与陶瓷基座直接接触，是接触传热，传热速度较快。因此，补偿电路与晶片的感温速度不一致，从而使补偿电路输出的温度补偿数据与晶片的温度数据不一致，使温度补偿存在误差，最终导致温度补偿精度下降。

2)晶片只有一端的两个电极通过点银胶的方式与陶瓷基座相连，另一端悬空，其抗震性差。

3)该结构的补偿电路需要通过倒装工艺最先被装配到陶瓷基座内，对于装配过程中产生的不良产品无法识别，只有在整个晶体振荡器全部封装好后，最后检测过程中才可识别。

技术实现要素：

本发明的一个目的在于：提供一种晶体振荡器，其可以有效解决由于晶片和补偿电路的感温速度不一致而导致温度补偿精度不高的问题。

本发明的另一个目的在于：提供一种晶体振荡器的生产方法，可以生产出晶片和补偿电路的感温速度一致、温度补偿精度高的晶体振荡器。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一方面，提供一种晶体振荡器，包括补偿电路、晶片和基座，还包括封装腔体，所述晶片设置在所述封装腔体内；所述封装腔体的下表面与所述基座贴合，所述封装腔体的上表面与所述补偿电路贴合；所述晶片与所述基座电气连接；所述补偿电路与所述基座电气连接。

具体地，目前的晶体振荡器的晶片一端与基座连接，另一端悬空。悬空结构的晶片不仅温度难以与补偿电路一致，而且容易在震动过程中发生折断。而本发明的基座、晶片和补偿电路通过直接接触传热，温度可快速趋于一致，从而使补偿电路输出的补偿数据更精确，达到更高的补偿精度。进一步地，把晶片先封装在封装腔体内，无悬空结构，封装腔体与底面直接接触连接，晶片的抗震性得到充分提高。

作为一种优选的实施方式，所述封装腔体的上表面设有第一电气连接部，所述第一电气连接部与所述基座通过键合线电气连接；所述第一电气连接部还与所述晶片电气连接。

作为一种优选的实施方式，所述补偿电路上设有第二电气连接部，所述第二电气连接部位于所述补偿电路远离所述封装腔体的一侧，与所述基座通过键合线电气连接。

具体地，把补偿电路远离第二电气连接部的一侧固定在封装腔体的上表面，补偿电路上设有第二电气连接部的一侧露在外面，通过键合线与基座实现电气连接，电气连接的可靠性可以被直接检测，在本工序就可以直接识别出不良产品。

作为一种优选的实施方式，所述封装腔体的材料为陶瓷。

具体地，当封装腔体的材料为陶瓷时，既可以实现高效传热，又可以防止内部元器件短路。

作为一种优选的实施方式，还包括上盖，所述基座的中部设有第一凹槽，所述上盖的下表面与所述第一凹槽的槽底贴合。

进一步地，所述第一凹槽的槽底还设有第二凹槽，所述第二凹槽的开口面积小于所述第一凹槽的开口面积，所述封装腔体和补偿电路设置在所述第二凹槽中。

另一方面，提供一种晶体振荡器的生产方法，包括：

S10：用封装腔体将晶片进行封装；

S20：将所述封装腔体的下表面与基座进行连接；

S30：将补偿电路与所述封装腔体进行连接；

S40：通过键合线将晶片与基座电气连接；通过键合线将补偿电路与基座电气连接；

S50：将上盖与基座连接，完成封装。

进一步地，所述S20具体为：通过点胶的方式将所述封装腔体的下表面与基座进行连接。

进一步地，所述S30具体为：将补偿电路上远离其第二电气连接部的一侧与封装腔体的上表面进行连接。

优选地，通过点胶的方式将补偿电路上远离其第二电气连接部的一侧与封装腔体的上表面进行连接。

作为一种优选的实施方式，所述S40和S50之间还包括：

S41：对晶片与基座之间的电气连接和补偿电路与基座之间的电气连接进行检测。

具体地，把补偿电路远离第二电气连接部的一侧固定在封装腔体的上表面，补偿电路上设有第二电气连接部的一侧露在外面，通过键合线与基座实现电气连接，电气连接的可靠性可以被直接检测，在本工序就可以直接识别出不良产品。

本发明的有益效果为：提供一种晶体振荡器及其生产方法，通过将晶片设置在封装腔体内，然后通过键合线进行电气连接，可以达到以下有益效果：

1)陶瓷基座、晶片和补偿电路通过接触传热，温度可快速趋于一致，从而使补偿电路输出的补偿数据更精确，达到更高的补偿精度；

2)把晶片先封装在封装腔体内，封装腔体与基座直接贴合，提高了晶片的抗震性；

3)无需采用倒装工艺，在键合线连接的工序就可以直接识别出不良产品。

附图说明

下面根据附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

图1为实施例一所述的晶体振荡器的爆炸图；

图2为实施例二所述的晶体振荡器的生产方法框图。

图1～图2中：

1、基座；

2、封装腔体；201、第一电气连接部；

3、晶片；

4、补偿电路；401、第二电气连接部；

5、上盖。

具体实施方式

下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。

实施例一

如图1所示，一种晶体振荡器，包括补偿电路4、晶片3、基座1和陶瓷材质的封装腔体2。晶片3设置在封装腔体2内，封装腔体2的上表面设有与晶片3电气连接的第一电气连接部201；封装腔体2的下表面与基座1贴合，第一电气连接部201与基座1通过键合线实现电气连接；封装腔体2的上表面与补偿电路4贴合，补偿电路4上设有第二电气连接部401，第二电气连接部401位于补偿电路4远离封装腔体2的一侧，与基座1通过键合线电气连接。

具体地，目前的晶体振荡器的晶片3一端与基座1连接，另一端悬空。悬空结构的晶片3不仅温度难以与补偿电路4一致，而且容易在震动过程中发生折断。而本实施例的基座1、晶片3和补偿电路4通过直接接触传热，温度可快速趋于一致，从而使补偿电路4输出的补偿数据更精确，达到更高的补偿精度。进一步地，把晶片3先封装在封装腔体2内，无悬空结构，封装腔体2与底面直接接触连接，晶片3的抗震性得到充分提高。

进一步地，把补偿电路4远离第二电气连接部401的一侧固定在封装腔体2的上表面，补偿电路4上设有第二电气连接部401的一侧露在外面，通过键合线与基座1实现电气连接，电气连接的可靠性可以被直接检测，在本工序就可以直接识别出不良产品。

于本实施例中，晶体振荡器还包括上盖5，基座1的中部设有第一凹槽，上盖5的下表面与第一凹槽的槽底贴合。第一凹槽的槽底还设有第二凹槽，第二凹槽的开口面积小于第一凹槽的开口面积，封装腔体2和补偿电路4设置在第二凹槽中。

实施例二

一种晶体振荡器的生产方法，包括：

S10：用封装腔体2将晶片3进行封装，其中，封装腔体2的一端的上表面设有与晶片3电气连接的第一电气连接部201；

S20：通过点胶的方式将封装腔体2的下表面与基座1进行连接；

S30：通过点胶的方式将补偿电路4上远离其第二电气连接部401的一侧与封装腔体2的上表面进行连接；

S40：通过键合线将晶片3与基座1电气连接；通过键合线将补偿电路4与基座1电气连接；

S41：对晶片3与基座1之间的电气连接和补偿电路4与基座1之间的电气连接进行检测；

S50：将上盖5与基座1连接，完成封装。

具体地，本实施例提供的生产方法得到的晶体振荡器，基座1、晶片3和补偿电路4通过直接接触传热，温度可快速趋于一致，从而使补偿电路4输出的补偿数据更精确，达到更高的补偿精度。进一步地，把晶片3先封装在封装腔体2内，无悬空结构，封装腔体2与底面直接接触连接，晶片3的抗震性得到充分提高。

再者，把补偿电路4远离第二电气连接部401的一侧固定在封装腔体2的上表面，补偿电路4上设有第二电气连接部401的一侧露在外面，通过键合线与基座1实现电气连接，电气连接的可靠性可以被直接检测，在本工序就可以直接识别出不良产品。

本文中的“第一”、“第二”仅仅是为了在描述上加以区分，并没有特殊的含义。

需要声明的是，上述具体实施方式仅仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理，在本发明所公开的技术范围内，任何熟悉本技术领域的技术人员所容易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。