1.一种单端转双端差分的模拟电路，其特征在于：其包括晶体管差分级联放大/衰减电路、交流补偿电路、高频补偿电路、射随反馈电路、恒流源电路；晶体管差分级联放大/衰减电路将单端输入信号分别经不同晶体管反向、生成双端差分的正端和负端信号，双端差分信号幅度相同、相位相差180度；单端输入信号的直流偏置通过晶体管差分级联放大/衰减电路的另一端输入端叠加；晶体管差分级联放大/衰减电路通过交流补偿电路进行交流补偿，晶体管差分级联放大/衰减电路通过高频补偿电路进行高频补偿，共模电压通过射随反馈电路叠加于晶体管差分级联放大/衰减电路的输出端，恒流源电路为晶体管差分级联放大/衰减电路提供恒流源，模拟电路具有对其输出差分信号的电压限幅进行控制的功能。
2.根据权利要求1所述一种单端转双端差分的模拟电路，其特征在于：其还包括输入级并联差分回路，输入级并联差分回路并联于晶体管差分级联放大/衰减电路的两端。
3.根据权利要求1或2所述一种单端转双端差分的模拟电路，其特征在于：所述晶体管差分级联放大/衰减电路包括晶体管Q1/Q2/Q3/Q4，交流补偿电路包括电容C1/C6/C7、电阻R7/R10/R12，高频补偿电路包括晶体管Q5/Q6，所述射随反馈电路包括运放U1、晶体管Q9、电容C5、电阻R3/R4/R18/R19/R22/R23，恒流源电路包括晶体管Q7/Q8、电阻R14/R16，
输入信号连接晶体管Q1的基极，晶体管Q1的集电极分别连接电阻R1的一端和晶体管Q5的发射极，电阻R1的另一端连接晶体管Q3的基极，晶体管Q1的发射极通过可调电阻R5连接晶体管Q8的集电极，晶体管Q3的发射极通过电阻R8连接晶体管Q7的集电极，
直流偏置Vbias通过电阻R30连接晶体管Q2的基极，晶体管Q2的基极通过电容C11接地，晶体管Q2的集电极分别连接电阻R2的一端和晶体管Q6的发射极，电阻R2的另一端连接晶体管Q4的基极，Q2的发射极通过可调电阻R6连接晶体管Q8的集电极，晶体管Q4的发射极通过电阻R9连接晶体管Q7的集电极，
晶体管Q1的发射极分别连接电阻R10和电阻R12的一端，电阻R10的另一端通过电容C6连接晶体管Q2的发射极，电阻R12的另一端通过电容C7连接晶体管Q2的发射极，
晶体管Q3的发射极依次通过电阻R7和电容C1连接晶体管Q4的发射极，
晶体管Q7的集电极通过电容C2接地，晶体管Q7的发射极通过电阻R14连接负极电源，晶体管Q7的基极通过电阻R15连接控制信号CT1，
晶体管Q8的集电极通过电容C3接地，晶体管Q8的发射极通过电阻R16连接负极电源，晶体管Q8的基极通过电阻R17连接控制信号CT2，
Q3的集电极为晶体管差分级联放大/衰减电路的正输出端，晶体管Q3的集电极连接晶体管Q6的集电极，晶体管Q6的基极接地，
Q4的集电极为晶体管差分级联放大/衰减电路的负输出端，晶体管Q4的集电极连接晶体管Q5的集电极，晶体管Q5的基极接地，
共模电压VCM通过R19连接运放U1的正输入端，运放U1的正输入端通过电容C4接地，运放U1的输出端通过电阻R18连接晶体管Q9的基极，运放U1的负输入端分别连接电阻R22、电阻R23和电容C5的一端，电阻R22的另一端连接Q3的集电极，电阻R23的另一端连接Q4的集电极，电容C5的另一端连接晶体管Q9的基极，晶体管Q9的基极通过电阻R21连接正极电源，晶体管Q9的集电极通过电阻R20连接正极电源，晶体管Q9的发射极通过电阻R3连接Q4的集电极，晶体管Q9的发射极通过电阻R4连接Q3的集电极。
4.根据权利要求3所述一种单端转双端差分的模拟电路，其特征在于：所述输入级并联差分回路包括晶体管Q10/Q11/Q12、电容C8/C9、电阻R24/R25/R26/R27/R28；晶体管Q10的基极连接晶体管Q1的基极，晶体管Q10的集电极连接晶体管Q1的集电极，晶体管Q11的基极连接晶体管Q2的基极，晶体管Q11的集电极连接晶体管Q2的集电极，晶体管Q10的发射极通过电阻R24连接晶体管Q12的集电极，晶体管Q11的发射极通过电阻R25连接晶体管Q12的集电极，晶体管Q10的发射极依次通过电阻R26和电容C8连接晶体管Q11的发射极，晶体管Q10的发射极依次通过电阻R27和电容C9连接晶体管Q11的发射极，晶体管Q12的集电极通过电容C10接地，晶体管Q12的发射极通过电阻R28连接负极电源，晶体管Q12的基极通过电阻R29连接控制信号CT3。
5.根据权利要求4所述一种单端转双端差分的模拟电路，其特征在于：所述正极电源和负极电源根据后级电路的不同选取不同的电压值。
6.根据权利要求1所述一种单端转双端差分的模拟电路，其特征在于：所述共模电压与后级差分电路输入端匹配。
7.根据权利要求1所述一种单端转双端差分的模拟电路，其特征在于：模拟电路通过调整晶体管Q5/Q6的基极直流电位、电阻R20、正极电源和直流偏置Vbias的取值改变相应的双端差分信号的电压幅度。
8.根据权利要求1所述一种单端转双端差分的模拟电路，其特征在于：所述晶体管包括NPN三极管、PNP三极管、PMOS、NMOS和JFET。