1.一种非重叠电路，连接在高电位供应端(VB)和低电位供应端(VS)之间，其特征在于，包括第一非重叠单元(21)；所述第一非重叠单元(21)包括串联的第一PMOS管(P2)、第一电阻(R1)和第一NMOS管(N2)；所述第一PMOS管(P2)的栅极接第一信号输入端(310)，源极接高电位供应端，漏极连接在所述第一电阻(R1)和第一信号输出端(330)之间；所述第一NMOS管(N2)的栅极接第二信号输入端(320)，源极接低电位供应端(VS)；漏极连接在所述第一电阻(R1)和第二信号输出端(340)之间。
2.根据权利要求1所述的非重叠电路，其特征在于，所述第一电阻(R1)是可调电阻。
3.根据权利要求1所述的非重叠电路，其特征在于，还包括第二非重叠单元(22)；所述第二非重叠单元(22)包括串联第二PMOS管(P3)、第二电阻(R2)和第二NMOS管(N3)；所述第二PMOS管(P3)的栅极接第三信号输入端(300)，源极接高电位供应端(VB)，漏极连接在所述第二电阻(R2)与所述第一信号输入端(310)之间；所述第二NMOS管(N3)的栅极接所述第三信号输入端(300)，源极接低电位供应端(VS)，漏极连接在所述第二电阻(R2)与所述第二信号输入端(320)之间。
4.根据权利要求3所述的非重叠电路，其特征在于，所述第二电阻(R2)是可调电阻。
5.一种高压驱动电路，连接在所述高电位供应端(VB)和低电位供应端(VS)之间，其特征在于，包括反相器电路(10)、权利要求1-4任一项所述的非重叠电路(20)和驱动桥电路(30)；
所述反相器电路(10)，与第四信号输入端(IN)相连，用于对所述第四信号输入端(IN)输入的信号进行反相处理，形成反相信号；
所述非重叠电路(20)，与所述反相器电路(10)相连，用于对所述反相信号进行处理，形成死区时间；
所述驱动桥电路(30)，与所述非重叠电路(20)和第三信号输出端(OUT)相连，用于对所述反相信号进行处理，以形成驱动电流并通过所述第三信号输出端(OUT)输出。
6.根据权利要求5所述的高压驱动电路，其特征在于，所述驱动桥电路(30)包括驱动PMOS管(P1)和驱动NMOS管(N1)；所述驱动PMOS管(P1)的栅极与所述第一信号输出端(330)相连，源极与所述高电位供应端(VB)相连，漏极连接在所述驱动NMOS管(N1)的漏极和所述第三信号输出端(OUT)之间；所述驱动NMOS管(N1)的栅极与所述第二信号输出端(340)相连，源极与所述低电位供应端(VS)相连，漏极连接在所述驱动PMOS管(P1)的漏极和所述第三信号输出端(OUT)之间。
7.根据权利要求5所述的高压驱动电路，其特征在于，所述反相器电路(10)包括反相PMOS管(P4)和反相NMOS管(N4)；所述反相PMOS管(P4)的栅极与第四信号输入端(IN)相连，源极与所述高电位供应端(VB)相连，漏极连接在所述反相NMOS管(N4)的漏极和所述第三信号输入端(300)之间；所述反相NMOS管(N4)的栅极与所述第四信号输入端(IN)相连，源极与所述低电位供应端(VS)相连，漏极连接在所述反相PMOS管(P4)与所述第三信号输入端(300)之间。