本实用新型涉及电源领域,特别是指一种简易非隔离LED驱动谐波补偿电路。
背景技术:
降压型非隔离电源是一种高效率LED电源,当整灯功率大于等于25W时,认证有要求测AC谐波,在AC谐波测试中,往往第5次和第7次谐波非常容易超标,如果没有补偿电路,优质高效率的降压型非隔离电源就很难在正规的灯具中应用。经分析,AC谐波测试中,第5次和第7次谐波超标主要原因是非隔离电源中有一段电源电压小于LED工作电压,此段的AC瞬时电压使得无AC输入电流,当AC瞬时电压超过LED工作电压(即DC的输出电压)后,AC电流突然从0迅速上升,迅速上升的分频主要分布在第5次和第7次谐波中,因此AC谐波在第5次和第7次无法通过认证。原因如图3、图4所示。目前解决的常规办法是将降压型非隔离电源改为升压型非隔离电源,这样虽然可以解决AC谐波的认证问题,但电源成本会上升,电源体积会增加,特别是电源的效率会严重下降(下降5-10%),因此,本实用新型提出了一种最简单的办法,就是让AC的瞬时电压在低于LED工作电压时,仍然有一定的AC电流,并随着AC瞬间电压的升高而逐渐上升,在整个电源的工作过程中,不让AC电流出现较大的拐角点,这样就可以在电源效率下降不到1%的情况下,改善AC的谐波,实现电源的AC谐波认证标准。
技术实现要素:
本实用新型提供了一种简易非隔离LED驱动谐波补偿电路,解决了现有降压型非隔离电源在认证AC谐波时超标,而无法通过认证的问题。
本实用新型的技术方案是这样实现的:一种简易非隔离LED驱动谐波补偿电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电容C1、场效应管Q1、三极管Q2;所述电阻R2连接所述场效应管Q1的漏极;所 述电容C1与二极管D1并联,其一端与场效应管Q1的栅极、三极管Q2的集电极、电阻R1电性连接,另一端与场效应管Q1的源极、三极管Q2的发射极电性连接;所述二极管D3与电阻R2、电阻R1电性连接;所述二极管D2与所述电阻R3串联,其一端与三极管Q2的基极电性连接。
进一步,所述三极管Q2为NPN型三极管,所述场效应管Q1为MOSFET管。
进一步,所述电阻R3的一端连接非隔离电源变压器的反馈绕组Nf的输入端。
进一步,所述三极管Q2的发射极连接桥式整流的负极;所述电阻R2的一端连接桥式整流的正极。
本实用新型的简易非隔离LED驱动谐波补偿电路设计简单,只需调整R2电阻的大小,就可以改善AC的谐波,使得降压型非隔离电源的AC谐波符合认证要求。一般情况下,加入此电路后工作效率会下降0.3%--1%,由于非隔离电源电路本身比隔离电路的效率要高5%--10%,所以下降这么一点效率完全可以忽略。
附图说明
图1为本实用新型简易非隔离LED驱动谐波补偿电路电路图;图2为本实用新型实施例电路图;图3为降压型非隔离电源补偿前的AC瞬时电流波型图;图4为降压型非隔离电源补偿后瞬时电流波型图;图5为电阻R3输入端的电压波形图;图6为三极管Q2集电极端的电压波形图。
具体实施方式
参照图1及图2所示,一种简易非隔离LED驱动谐波补偿电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、二极管D1、二极管D2、二极管D3、电容C1、场效应管Q1、三极管Q2;所述电阻R2连接所述场效应管Q1的漏极;所述电容C1与二极管D1并联,其一端与场效应管Q1的栅极、三极管Q2的集电极、电阻R1电性连接,另一端与场效应管Q1的源极、三极管Q2的发射极电性连接;所述二极管D3与电阻R2、电阻R1电性连接;所述二极管D2与所述电阻R3串联,其一端与三极管Q2的基极电性连接。所述三极管Q2为NPN型三极管,所述场效应 管Q1为MOSFET管。所述电阻R3的一端连接非隔离电源变压器的反馈绕组Nf的输入端。所述三极管Q2的发射极连接桥式整流的负极;所述电阻R2的一端连接桥式整流的正极。
参照图2、图5、图6,一种简易非隔离LED驱动谐波补偿电路工作原理:当AC瞬间电压高于DC电压时,Nf有高频工作电压,Q2高频通路,泄放C1两端的电压,使C1的电压始终低于Q1的导通电压,Q1截止,R2电流为0,此时R2无损耗。当AC瞬间电压低于DC电压时,Nf无电压,Q2截止,C1被R1充电,电压迅速上升,并由D1限压(保护Q1安全),于是Q1导通,Q1是完全导通,因此R2的电流取决于AC瞬间电压,谐波要求AC瞬时电流与AC瞬时电压成正比最好,纯电阻R2就是有此功效。因此只要调整R2的值就可以改变AC谐波的高次谐波,使电源能确保AC谐波顺利通过认证。
上列较佳实施例,对本实用新型的目的、技术方案和优点进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。