本实用新型涉及一种电磁阀的驱动电路、驱动组件及驱动系统。
背景技术：
现有技术中电磁阀驱动电路结构过于单一，并且很多都不具有反馈功能，导致无法准确快速地判断驱动电磁阀的执行结果是否正确。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题是为了克服现有技术中电磁阀驱动电路结构过于单一，并且很多都不具有反馈功能，导致无法准确快速地判断驱动电磁阀的执行结果是否正确的缺陷，提供一种电磁阀的驱动电路、驱动组件及驱动系统。
本实用新型是通过下述技术方案来解决上述技术问题的：
本实用新型提供了一种电磁阀的驱动电路，其特点在于，包括第一光耦合器、MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)、整流二极管以及电磁阀插座；
所述第一光耦合器的阳极与控制信号输入端电连接、阴极接地，所述第一光耦合器的集电极与第一电源电连接、发射极与所述MOS管的栅极电连接；所述MOS管的漏极与第二电源电连接、源极接地；
所述整流二极管的阳极分别与所述MOS管的漏极以及所述电磁阀插座的第一引脚电连接，所述整流二极管的阴极与所述电磁阀插座的第二引脚共同接地；
所述电磁阀插座用于插接电磁阀。
较佳地，所述控制信号输入端与第一电阻的一端电连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第一光耦合器的阳极以及第二电阻的一端电连接，所述第二电阻的另一端分别与所述第一光耦合器的阴极以及第三电阻的一端电连接，所述第三电阻的另一端接地。
较佳地，所述第一光耦合器的集电极与第四电阻的一端电连接，所述第四电阻的另一端与所述第一电源电连接；所述第一光耦合器的发射极还与第五电阻的一端电连接，所述第五电阻的另一端接地。
较佳地，所述MOS管的漏极与第六电阻的一端电连接，所述第六电阻的另一端与发光二极管的阴极电连接，所述发光二极管的阳极与所述第二电源电连接。
较佳地，所述整流二极管的阴极及所述电磁阀插座的第二引脚分别与滤波电容的一端电连接，所述滤波电容的另一端接地。
较佳地，所述驱动电路还包括第二光耦合器；
所述第二光耦合器的阳极与所述第二电源电连接、阴极分别与第七电阻的一端以及所述电磁阀插座的第一引脚电连接，所述第七电阻的另一端与所述第二电源电连接；所述第二光耦合器的集电极与第三电源电连接、发射极与控制状态输出端电连接。
较佳地，所述第二电源还与第八电阻的一端电连接，所述第八电阻的另一端分别与所述第七电阻的另一端以及所述第二光耦合器的阳极电连接。
较佳地，所述第二光耦合器的集电极与第九电阻的一端电连接，所述第九电阻的另一端与所述第三电源电连接；所述第二光耦合器的发射极还与第十电阻的一端电连接，所述第十电阻的另一端接地。
本实用新型的目的在于还提供了一种电磁阀的驱动组件，其特点在于，包括两个上述的驱动电路，两个驱动电路中的整流二极管的阴极相互电连接。
本实用新型的目的在于还提供了一种电磁阀的驱动系统，其特征在于，其包括若干个上述的驱动组件。
本实用新型的积极进步效果在于：本实用新型提供了一种全新的电磁阀的驱动电路，并且在驱动过程中可生成反馈信号至发出控制信号的CPU(中央处理器)，从而保证CPU不受前端电磁阀动作影响，同时本实用新型的驱动电路可组合在一起进行使用，实现对电磁阀的进一步控制和驱动。
附图说明
图1为本实用新型的较佳实施例的电磁阀的驱动电路的电路结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图给出本实用新型较佳实施例，以详细说明本实用新型的技术方案。
如图1所示，本实用新型的电磁阀的驱动电路包括第一光耦合器1、MOS管2、整流二极管3以及电磁阀插座4；所述第一光耦合器1的阳极与控制信号输入端电连接、阴极接地，所述第一光耦合器1的集电极与第一电源5电连接、发射极与所述MOS管2的栅极电连接；所述MOS管2的漏极与第二电源6电连接、源极接地；
具体地，所述控制信号输入端与第一电阻R1的一端电连接，所述第一电阻R1的另一端分别与所述第一光耦合器1的阳极以及第二电阻R2的一端电连接，所述第二电阻R2的另一端分别与所述第一光耦合器1的阴极以及第三电阻R3的一端电连接，所述第三电阻R3的另一端接地。
所述第一光耦合器1的集电极与第四电阻R4的一端电连接，所述第四电阻R4的另一端与所述第一电源5电连接；所述第一光耦合器1的发射极还与第五电阻R5的一端电连接，所述第五电阻R5的另一端接地，即通过所述第五电阻R5下拉到地。
所述MOS管2的漏极与第六电阻R6的一端电连接，所述第六电阻R6的另一端与发光二极管D1的阴极电连接，所述发光二极管D1的阳极与所述第二电源6电连接。
所述整流二极管3的阳极分别与所述MOS管2的漏极以及所述电磁阀插座4的第一引脚41电连接，所述整流二极管3的阴极与所述电磁阀插座4的第二引脚42共同接地；
具体地，所述整流二极管3的阴极及所述电磁阀插座4的第二引脚42分别与滤波电容C1的一端电连接，所述滤波电容C1的另一端接地。
所述电磁阀插座4用于插接电磁阀。
在本实施例中，所述控制信号输入端可以输入高电平信号或低电平信号，具体可通过CPU向所述控制信号输入端发出控制信号(高电平信号或低电平信号)。
本实施例的电磁阀的驱动电路驱动电磁阀的具体原理如下：
控制信号输入端输入的控制信号经过所述第一光耦合器1控制所述MOS管2的开关，使插接于所述电磁阀插座4中的电磁阀的电源回路接通或者断开，从而驱动电磁阀动作。
具体地，若控制信号为低电平信号，则所述第一光耦合器1的阳极为低，所述第一光耦合器1的发射极与集电极不导通，从而所述MOS管2的栅极被所述第五电阻拉至低电平，即所述MOS管2不导通，从而所述电磁阀插座4的第一引脚不与地导通，电磁阀的电源不导通；
若控制信号为高电平信号，则所述第一光耦合器1的阳极为高，所述第一光耦合器1的发射极与集电极导通，从而所述MOS管2的栅极为高电平，即所述MOS管2导通，从而所述电磁阀插座4的第一引脚接地，电磁阀的电源可以形成回路，电磁阀通电动作。
在本实施例中，优选地，所述驱动电路还包括第二光耦合器7，所述第二光耦合器7的阳极与所述第二电源6电连接、阴极分别与第七电阻R7的一端以及所述电磁阀插座4的第一引脚41电连接，所述第七电阻R7的另一端与所述第二电源6电连接；所述第二光耦合器7的集电极与第三电源8电连接、发射极与控制状态输出端电连接。
具体地，所述第二电源6还与第八电阻R8的一端电连接，所述第八电阻R8的另一端分别与所述第七电阻R7的另一端以及所述第二光耦合器7的阳极电连接；
所述第二光耦合器7的集电极与第九电阻R9的一端电连接，所述第九电阻R9的另一端与所述第三电源8电连接；所述第二光耦合器的发射极还与第十电阻R10的一端电连接，所述第十电阻R10的另一端接地。
本实用新型中可以利用所述第二光耦合器7将驱动电磁阀的执行结果反馈至CPU，具体地，当所述MOS管2导通时，所述电磁阀插座4的第一引脚接地，从而使得反馈回路中的所述第二光耦合器7导通，反馈回路中的光耦输出变为高电平(即控制状态输出端输出高电平)；当所述MOS管2关断时，所述电磁阀插座4的第一引脚回路切断，电磁阀电源回路关断，从而使得所述第二光耦合器7不导通，反馈回路中的光耦输出变为低电平(即控制状态输出端输出低电平)，进而利用单片机检测所述控制状态输出端的输出电平的高低就可以知道电磁阀驱动的执行结果是否正确；另外，由于控制信号输入端输入的控制信号是隔离的，因此反馈信号通过所述第二光耦合器7也是隔离的，从而保证CPU不受前端电磁阀动作影响。
在本实用新型中，优选地，所述第一电源的电压值为5V左右，所述第二电源的电压值为24V左右，所述第三电源的电压值为3.3V左右；所述第一电阻R1的取值为75KΩ左右，所述第二电阻R2的取值为430KΩ左右，所述第三电阻R3的取值为300KΩ左右，所述第四电阻R4的取值为75KΩ左右，所述第五电阻R5的取值为430KΩ左右，所述第六电阻R6的取值为10KΩ左右，所述第七电阻R7的取值为430KΩ左右，所述第八电阻R8的取值为10KΩ左右，所述第九电阻R9的取值为62KΩ左右，所述第十电阻R10的取值为430KΩ左右；其中，所述第二光耦合器7可通过第十一电阻R11与所述电磁阀插座4的第一引脚电连接，所述第十一电阻R11的取值为62KΩ左右；所述滤波电容C1的电容值为10μf左右。
在本实施例中，所述第一光耦合器1和所述第二光耦合器7的型号具体为TLP281-4，所述MOS管2的型号具体为NDS355AN，所述整流二极管3的型号具体为1N4007。
本实用新型还提供了一种电磁阀的驱动组件，包括两个上述的驱动电路，两个驱动电路中的整流二极管的阴极相互电连接，两个驱动电路中的第二光耦合器的集电极与同一个第三电源电连接，利用本实施例的电磁阀的驱动组件可以实现正反向的控制。
本实用新型还提供了一种电磁阀的驱动系统，其包括若干个上述的驱动组件，优选地，可包括8组上述的驱动组件。
虽然以上描述了本实用新型的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本实用新型的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本实用新型的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本实用新型的保护范围。