技术特征：
技术总结
一种集成电路(IC)，用于感测功率晶体管装置中的温度上升，所述温度上升是由所述功率晶体管装置中的电流引起的。所述功率晶体管装置和感测FET设置在基板上。所述感测FET感测所述电流的一部分并输出电流信号。JFET的漏极连接到所述功率晶体管装置的漏极。所述JFET的栅极连接到所述功率晶体管装置的源极，使得当所述功率晶体管装置导通时，所述JFET也导通，并且所述功率晶体管装置的漏极电压信号在所述JFET的第二节点处输出。检测电路接收所述漏极电压信号和所述电流信号，并且当所述功率晶体管装置的漏极‑源极电阻超过组合阈值极限时，输出报警信号。
技术研发人员：R·梅耶尔
受保护的技术使用者：电力集成公司
技术研发日：2016.08.08
技术公布日：2019.04.02