技术总结
本发明公开了一种InGaN/GaN LED纳秒脉冲驱动电路，利用电流脉冲峰值技术，肖特基二极管SBD1和SBD2和电容C构成的回路会产生电流峰值，从而可以使光脉冲的上升时间缩短几个纳秒，缩短了光脉冲的上升时间；第一电感L1连接在LED阴极与偏压电源Vcc之间，在电流脉冲下降的阶段，利用电感提供的反向电流回路，产生一个下冲电流，从而可减小光脉冲的下降时间，以加速LED熄灭，大大的改善光脉冲的下降时间；高速场效应管的开关电路主要是通过增加辅助开关给主开关的寄生输出电容快速充电，来缩短主开关的关闭时间，来提高场效应管的开关速率；将LED的阳极与直流偏压Vcc相连接，这样就可以在电流脉冲到来之前给等效电容充满电，从而较有效的缩短了LED导通的延时，较大改善LED的瞬态响应时间。
技术研发人员：辛云宏;贺帆;马剑飞
受保护的技术使用者：陕西师范大学
文档号码：201710044447
技术研发日：2017.01.21
技术公布日：2017.06.20