技术特征：
技术总结
本公开涉及半导体装置。现有技术的反向偏置生成电路由于驱动功率降低以降低待机状态下的功耗而导致在操作状态和待机状态之间转变需要较长时间的问题。反向偏置生成电路输出预定电压。预定电压是待机模式下的衬底的反向偏置电压。偏置控制电路当电路块处于操作模式时存储电荷，当电路块从操作模式转变到待机模式时，将所存储的电荷供应给包括在电路块中的MOSFET的衬底，随后将反向偏置生成电路的输出供应给MOSFET的衬底。
技术研发人员：田边昭
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2017.09.14
技术公布日：2018.04.06