技术总结
本实用新型公开了一种微波集成电路中的低噪声放大器的电路结构，包括电阻R1、电阻R2、电容Cin、电容Cout、电感L1、电感L2、电感L3、晶体管Q1、晶体管Q2和晶体管Q3，所述电阻R1一端与电源电压连接，所述R1另一端与晶体管Q3漏极连接，所述晶体管Q3栅极再与所述电阻R2一端连接，所述电阻R2另一端再与电容Cin和所述电感L3连接，所述电感L3再与所述晶体管Q1栅极连接，所述晶体管Q1源极与所述电感L2连接。在提供很低的噪声系数的同时，容易得到一定阻值的输入阻抗，电感L2和电感L3共同实现输入端的匹配，晶体管Q3与晶体管Q1形成对流镜，电容Cin与电容Cout用于将射频与直流隔离，从而具有良好的性能。
技术研发人员：何涛
受保护的技术使用者：成都杰联祺业电子有限责任公司
文档号码：201720105344
技术研发日：2017.01.25
技术公布日：2018.03.06