1.一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于，包括：
5V电压隔离电路和AD采样控制电路；
所述5V电压隔离电路包括第一电解电容EC1、第二电解电容EC2、第三电解电容EC3、第一二极管D1、第二二极管D2、第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2，所述第一电解电容EC1的正极连接+5.7V电源，所述第一电解电容EC1的负极接地，+5.7V电源经过所述第一二极管D1降压为+5PV电压，+5.7V电源经过所述第二二极管D2降压为+5V电压，所述第二电解电容EC2的正极连接+5V电压，所述第二电解电容EC2的负极接地，所述第一电容C1的第一端连接+5V电压，所述第一电容C1的第二端接地，所述第一电阻R1的第一端连接+5V电压，所述第一电阻R1的第二端接地，所述第三电解电容EC3的正极连接+5PV电压，所述第三电解电容EC3的负极接地，所述第二电容C2的第一端连接+5PV电压，所述第二电容C2的第二端接地；
所述AD采样控制电路包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、三极管Q1，所述第二电阻R2的第一端连接第一温度传感器CN1的2脚，所述第一温度传感器CN1的2脚连接+5V电压，所述第二电阻R2的第二端连接端口adBom，所述第三电阻R3的第一端连接所述第二电阻R2的第一端，所述第三电阻R3的第二端连接三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极接地，所述三极管Q1的基极连接第四电阻R4的第一端，所述第四电阻R4的第二端连接+5.7V电压，所述第五电阻R5的第一端连接三极管Q1的基极，所述第五电阻R5的第二端接地，所述第六电阻R6的第一端连接所述三极管Q1的集电极，所述第六电阻R6的第二端连接第二温度传感器CN2的2脚，所述第二温度传感器CN2的1脚连接+5V电压，所述第七电阻R7的第一端连接所述第二温度传感器CN2的2脚，所述第七电阻R7的第二端连接端口adTop。
2.根据权利要求1所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于：
所述三极管Q1采用NPN型三极管8050。
3.根据权利要求1所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于：
所述第三电阻R3和所述第六电阻R6采用1％精度的10K电阻。
4.根据权利要求1所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于：
所述第二电阻R2和所述第七电阻R7采用阻值为1KΩ的电阻。
5.根据权利要求1所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于：
所述第四电阻R4采用阻值为4.7KΩ的电阻。
6.根据权利要求1所述的一种掉电记忆产品中使用的低功耗AD采样电路，其特征在于：
所述第五电阻R5采用阻值为2KΩ的电阻。