本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及到振荡器电路。
背景技术：
在集成电路中，尤其是电源管理集成电路中，振荡器是常用的模块，其性能的好坏直接影响到整个电源的性能。现有的振荡器受电源电压影响较大，在供电电压的全范围内波动较大，严重影响到振荡频率的一致性。
技术实现要素：
本实用新型旨在解决现有技术的不足，提供一种振荡频率不随电源电压变化的振荡器电路。
一种振荡器电路，包括第一PMOS管、第一电阻、第二电阻、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第一电容、第一比较器和第一反相器：
所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻的另一端接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的负输入端；所述第二电阻的另一端接地；所述第二PMOS管的漏极接所述第三PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管的栅极接所述第一NMOS管的栅极和所述第一比较器的输出端和所述第一反相器的输入端，漏极接所述第一比较器的正输入端和所述第一NMOS管的漏极和所述第一电容的一端；所述第一NMOS管的源极接地；所述第一电容的另一端接地；所述第一反相器的输出端作为振荡器的输出端。
本实用新型所达到的有益效果在于，无论电源电压增大还是降低，振荡频率都不随电源电压变化而变化。
附图说明
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本
技术实现要素：
进一步说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
一种振荡器电路，如图1所示，包括第一PMOS管101、第一电阻102、第二电阻103、第二PMOS管104、第三PMOS管105、第一NMOS管106、第一电容107、第一比较器108和第一反相器109：
所述第一PMOS管101的栅极和漏极接在一起再接所述第一电阻102的一端和所述第二PMOS管104的栅极，源极接电源电压VCC；所述第一电阻102的另一端接所述第二电阻103的一端和所述第一比较器108的负输入端；所述第二电阻103的另一端接地；所述第二PMOS管104的漏极接所述第三PMOS管105的源极，源极接电源电压VCC；所述第三PMOS管105的栅极接所述第一NMOS管106的栅极和所述第一比较器108的输出端和所述第一反相器109的输入端，漏极接所述第一比较器108的正输入端和所述第一NMOS管106的漏极和所述第一电容107的一端；所述第一NMOS管106的源极接地；所述第一电容107的另一端接地；所述第一反相器109的输出端作为振荡器的输出端OSCOUT。
所述第一PMOS管101、所述第一电阻102和所述第二电阻103构成偏置电流产生电路，同时产生出基准电压VREF，电流I1为电源电压VCC减去所述第一PMOS管101的阈值电压除以所述第一电阻102和所述第二电阻103的电阻之和，该电流I1再通过所述第一PMOS管101镜像给所述第二PMOS管104的漏极电流I2；电流I2是当所述第三PMOS管105导通时对所述第一电容107进行充电，所述第一电容107上的电压充电到高于基准电压VREF时，所述第一比较器108输出为高电平，控制所述第一NMOS管106导通对所述第一电容107进行放电；如此反复。
当电源电压VCC升高时，电流I1增大，镜像电流I2也增大，对所述第一电容107充电电流增大；同时随时在电源电压升高，VREF电压也升高，导致所述第一电容107充电到使得所述第一比较器108翻转的电压也升高，可以对由于充电电流增大而产生的影响进行消除。当电源电压VCC降低时，电流I1减小，镜像电流I2也减小，对所述第一电容107充电电流减小；同时随时在电源电压降低，VREF电压也降低，导致所述第一电容107充电到使得所述第一比较器108翻转的电压也降低，可以对由于充电电流减小而产生的影响进行消除。这样就会产生不随电源电压变化的振荡频率。
对上述所提供的实施方式的说明，仅是本实用新型的优选实施方式的说明，对本技术领域的技术人员来说能够根据以上说明进行实现或使用本发明。应当指出，对于本技术领域的技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变形，任何不超出本发明实质精神范围内的发明创造，应视为本实用新型的保护范围。