本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，具体为2.7-3.5GHz低噪声放大器。
背景技术：
传统的低噪声放大电路，采用耗尽型工艺制作，耗尽型工艺需要提供负压偏置，增加了应用的复杂性。增强型工艺是一种较晚开发的新型工艺，与耗尽型工艺相比，具有噪声低、增益高、不需负压偏置等优点，但也有工艺波动较大，一致性较差的缺点。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供2.7-3.5GHz低噪声放大器，以解决上述背景技术中提出的问题。所述2.7-3.5GHz低噪声放大器具有电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数的特点。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：
2.7-3.5GHz低噪声放大器，采用两级放大器，采用电流复用结构，每级放大器包括三极管，第一级三极管漏级通过扼流电感接第二级三极管源级；第二级三极管源级接去耦电容，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级三极管栅极相连。
优选的，第一级三极管Q1、第二级三极管Q2的栅宽相同均采用600um。
优选的，隔直电容、匹配电路包括相连接的电感、电容。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：采用增强型工艺设计，并通过在源级加入反馈电阻稳定工作电流提高产品的一致性；电路包含两级放大器，采用电流复用结构；有效降低了整体电流；电路结构简单，与传统的低噪声放大器相比明显降低了噪声系数。
附图说明
图1为本实用新型电路结构示意图；
图2为本实用新型电路的增益及增益平坦度测试图；
图3为本实用新型电路的噪声系数测试图；
图4为本实用新型电路的输入反射系数测试图；
图5为本实用新型电路的输出反射系数测试图；
图6为本实用新型电路的输出1dB压缩点测试图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型提供技术方案：
2.7-3.5GHz低噪声放大器，电路采用两级放大器，采用电流复用结构。第一级三极管Q1以下简称Q1，第二级三极管Q2以下简称Q2：Q1漏级通过电路L5、C8(隔直电容、匹配电路)与Q2栅极相连；Q2源级接去耦电容，即电容C2，Q2栅极通过大电阻即电阻R4接偏置电压；有效降低了整体电流。Q1的源级加入了直流反馈电阻即电阻R5，当工艺出现波动，三极管的电流发生变化时，会在反馈电阻上产生一个反馈电压，从而抵消电流的变化。器件采用单电源供电。射频信号由Q1的栅极输入，由Q2漏级输出。
以下结合图1对本实用新型作进一步的说明：
1、放大器的输入、输出和级间匹配电路的设计与非电流复用结构的设计方法是相同的。
2、C1-C6为隔直、去耦电容，L1-L3为扼流电感，其他电容电感为匹配器件。R1-R5分压提供偏置电压。为了获得好的电流稳定效果，R5上的压降应足够大，即应比工艺漂移大数倍。
3、Q1漏级和Q2源级之间的扼流电感通过平面螺旋电感实现；
4、Q2的栅极偏置电压为Q1的设计漏压与Q2的栅源电压之和。通过一大电阻R4加到栅极，电阻值应以不影响交流匹配为宜，该电阻也可以用扼流电感代替；
5、为了获得好的噪声，选取Q1栅宽600um，Q2栅宽600um。
根据图1的电路结构，选择适当匹配后，设计的2.7-3.5G低噪声放大器的实际测试结果参见图2-6。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。