技术总结
本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，尤其为1‑2GHz宽带低噪声放大器，电路包含两级放大器，第一级三极管漏级通过级间匹配电路连接第二级三极管栅极，第一级、第二级三极管源极均接直流反馈电阻，在直流反馈电阻上均接去耦电容，第一级三极管栅极连接依次连接的微带线、扼流电感以及电容形成谐振电路，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压，第二级三极管栅极与漏极之间连接电感、电容构成负反馈电路，第二级三极管漏极通过扼流电感连接到偏置电压。本实用新型，采用增强型工艺设计，器件采用单电源供电，通过在源级加入反馈电阻稳定工作电流，合理选择了三极管的尺寸、工作状态，优化了匹配电路，具有低电流、低噪声的优点。
技术研发人员：何稀;黄军恒
受保护的技术使用者：合肥芯谷微电子有限公司
技术研发日：2018.04.25
技术公布日：2018.11.06