1.一种PLL电路，包括相位比较器、电压到电流转换器、电流控制振荡器和分频器，其特征在于，所述电路还包括：
第一电荷泵，串连在所述相位比较器和所述电压到电流转换器之间；
滤波电容，其一端接地，另一端连接在所述第一电荷泵与所述电压到电流转换器的公共端，用于对所述第一电荷泵传输给所述电压到电流转换器的电压信号进行滤波；
第二电荷泵，其输入端连接至所述相位比较器与所述第一电荷泵的公共端以及所述电压到电流转换器的输出端，其输出端则连接至所述电压到电流转换器与所述电流控制振荡器的公共端；所述电流控制振荡器的输出端作为所述PLL电路的输出端，所述电流控制振荡器的输出端还通过所述分频器连接至所述相位比较器的输入端。
2.根据权利要求1所述的PLL电路，其特征在于：
所述第一电荷泵的电流参考端连接外部电流，所述第二电荷泵的电流参考端连接所述电压到电流转换器的参考电流输出端。
3.根据权利要求2所述的PLL电路，其特征在于：
所述第二电荷泵的电流输出端与所述电压到电流转换器的电流输出端共同连接至所述电流控制振荡器的控制电流输入端。
4.根据权利要求1至3任一项所述的PLL电路，其特征在于，所述电压到电流转换器包括第一P沟道MOS管、第二P沟道MOS管、第三P沟道MOS管、第一N沟道MOS管和限流电阻，其中：
所述第一N沟道MOS管的栅极作为所述电压到电流转换器的电压输入端，其源极通过所述限流电阻接地，其漏极则分别连接至所述第一P沟道MOS管、所述第二P沟道MOS管和所述第三P沟道MOS管的栅极，其漏极还连接至所述第一P沟道MOS管的漏极；
所述第一P沟道MOS管、所述第二P沟道MOS管和所述第三P沟道MOS管的源极都连接电源；
所述第二P沟道MOS管的漏极作为所述电压到电流转换器的第一电流输出端，所述第三P沟道MOS管的漏极作为所述电压到电流转换器的参考电流输出端。
5.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括权利要求1至4中任一项所述的PLL电路。