一种石英晶体谐振器整板封装结构的制作方法

本申请涉及电子元器件领域，特别涉及一种石英晶体谐振器整板封装结构。

背景技术：

石英晶体谐振器简称晶振，其是利用石英晶体的压电效应在导体或半导体的电流作用下产生谐振效果的电子元器件，其基本结构大多是采用陶瓷基座的一面设置点胶平台和支撑平台，石英晶体以石英晶片的形式固定于点胶平台和支撑平台上，陶瓷基座的另一面设置有金属导体或半导体。

晶振的整板封装通常包括有陶瓷基座、环形金属带、点胶平台、支撑平台、石英晶片、盖板；陶瓷基座、环形金属带、盖板形成容腔，容腔内在陶瓷基座上设置有点胶平台和支撑平台，石英晶片固定在点胶平台上，支撑平台对石英晶片起支撑作用。

现有常规的晶振封装结构通常所采用的上述结构，其在实际应用过程中，若偶然出现密封效果不佳的情况，对于特定环境因素的规避作用就较弱。

技术实现要素：

有鉴于此，本申请的目的在于提供一种石英晶体谐振器整板封装结构，其可以有效减弱可能出现的结构密封效果不佳的情况。其具体方案如下：

一种石英晶体谐振器整板封装结构，包括陶瓷基座、环形金属带、点胶平台、支撑平台、石英晶片、金属盖板；

陶瓷基座、环形金属带、金属盖板形成容腔，环形金属带设置在陶瓷基座的四周，金属盖板覆盖环形金属带，并且金属盖板不陶瓷基座的面积相同；容腔内陶瓷基座上设置有点胶平台、支撑平台；石英晶片固定在点胶平台上，支撑平台对石英晶片提供支撑作用；

环形金属带不金属盖板之间，并且石英晶片的上方设置有第一保护膜；金属盖板的上表面设置有第二保护膜。

优选的，第一保护膜的厚度是10μm-15μm。

优选的，第二保护膜的厚度是10μm-15μm。

优选的，容腔的高度超出石英晶片的距离是50μm-100μm。

优选的，容腔的宽度超出石英晶片的距离是50μm-100μm。

本申请提供的石英晶体谐振器整板封装结构，不仅在金属盖板的上表面设置第二保护膜，同时在石英晶片的上方，环形金属带不金属盖板之间设置有第一保护膜，第一保护膜和第二保护膜的共同作用下，其可以有效减弱可能出现的结构密封效果不佳的情况。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种石英晶体谐振器整板封装结构的示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

图1为本申请实施例提供的一种石英晶体谐振器整板封装结构的示意图。如图1所示的石英晶体谐振器整板封装结构，包括陶瓷基座1、环形金属带2、点胶平台4、支撑平台5、石英晶片6、金属盖板8；

陶瓷基座1、环形金属带2、金属盖板8形成容腔，环形金属带2设置在陶瓷基座1的四周，金属盖板8覆盖环形金属带2，并且金属盖板8不陶瓷基座1的面积相同；容腔内陶瓷基座1上设置有点胶平台4、支撑平台5；石英晶片6固定在点胶平台4上，支撑平台5对石英晶片6提供支撑作用；

环形金属带2不金属盖板8之间，并且石英晶片6的上方设置有第一保护膜9；金属盖板8的上表面设置有第二保护膜7。

第一保护膜9的厚度是10μm-15μm，第二保护膜7的厚度是10μm-15μm。

容腔的高度超出石英晶片6的距离L1是50μm-100μm，容腔的宽度超出石英晶片6的距离L2是50μm-100μm。

陶瓷基座1的另一面设置有金属导片3。

本申请实施方式提供的石英晶体谐振器整板封装结构，不仅在金属盖板的上表面设置第二保护膜，同时在石英晶片的上方，环形金属带不金属盖板之间设置有第一保护膜，第一保护膜和第二保护膜的共同作用下，其可以有效减弱可能出现的结构密封效果不佳的情况。

另外，本申请实施方式可优选采用第一保护膜的厚度是10μm-15μm，第二保护膜的厚度是10μm-15μm。该设置方式进一步地减弱可能出现的结构密封效果不佳的情况。

以上仅是本申请的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本申请的限制，本申请的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。