高频模块的制作方法

本发明涉及一种在基板上安装功率放大器而成的高频模块。

背景技术：

以往，已知一种具备基板以及安装于基板的功率放大器的高频模块。作为该功率放大器的一例，在专利文献1中公开了具有截面积不同的多个外部端子(柱)的功率放大器。另外，在专利文献1中公开了以下内容：在通过镀处理形成外部端子的情况下，截面积越大，则外部端子的高度越高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-132635号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

例如，作为如专利文献1所示那样的功率放大器的一部分，有时使用放大元件。由于放大作用，大的电流流过放大元件，因此容易在放大元件的特定的外部端子(例如漏极侧的端子、源极侧的端子)附近产生热。作为其解决对策，想到了增大容易产生热的部位的外部端子的截面积从而提高散热性。然而，当使容易产生热的部位的外部端子的截面积比其它外部端子(例如栅极侧的端子)的截面积大时，在通过镀生长来形成外部端子的情况下，容易产生热的部位的外部端子的高度有时会变得比其它外部端子高。

当像这样在功率放大器中外部端子的高度被形成得不同时，在将功率放大器安装于基板的情况下，有时高度低的外部端子与基板的接地电极的连接无法充分地进行从而发生安装不良。

因此，本发明是鉴于这种问题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制安装不良的发生的高频模块。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的高频模块具备功率放大器以及用于安装功率放大器的基板，功率放大器具有安装面以及形成于安装面的第一外部端子及第二外部端子，基板具有一方主面以及形成于一方主面的第一接地电极及第二接地电极，第一外部端子与第一接地电极连接，第二外部端子与第二接地电极连接，从安装面到第一外部端子的连接面的距离比从安装面到第二外部端子的连接面的距离短，从第一接地电极的连接面到一方主面的距离比从第二接地电极的连接面到一方主面的距离长。

这样，即使在从安装面到第一外部端子的连接面的距离比从安装面到第二外部端子的连接面的距离短的情况下，也能够通过使从第一接地电极的连接面到一方主面的距离比从第二接地电极的连接面到上述一方主面的距离长，来缩小第一外部端子同第一接地电极的连接面之间的距离与第二外部端子同第二接地电极的连接面之间的距离之差，从而能够抑制将功率放大器安装于基板时的安装不良。

为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的高频模块具备功率放大器以及用于安装功率放大器的基板，功率放大器具有安装面以及形成于安装面的第一外部端子及第二外部端子，基板具有一方主面以及形成于一方主面的第一接地电极及第二接地电极，第一外部端子与第一接地电极连接，第二外部端子与第二接地电极连接，从安装面到第一外部端子的连接面的距离比从安装面到第二外部端子的连接面的距离短，从基板的另一方主面到第一接地电极的连接面的距离比从另一方主面到第二接地电极的连接面的距离长。

这样，即使在从安装面到第一外部端子的连接面的距离比从安装面到第二外部端子的连接面的距离短的情况下，也能够通过使从基板的另一方主面到第一接地电极的连接面的距离比从上述另一方主面到第二接地电极的连接面的距离长，来缩小第一外部端子同第一接地电极的连接面之间的距离与第二外部端子同第二接地电极的连接面之间的距离之差，从而能够抑制将功率放大器安装于基板时的安装不良。

另外，也可以是，在从垂直于安装面的方向观察功率放大器的情况下，第二外部端子的面积大于第一外部端子的面积。

据此，能够提高从放大元件的与热发生源相近的第二外部端子散热的散热性，从而能够提高对于功率放大器的热的可靠性。

另外，也可以是，在从垂直于安装面的方向观察功率放大器的情况下，第二外部端子为长方形状，第一外部端子为圆形状。

由此，能够以简单的形状提高功率放大器的散热性，并且节省功率放大器的面积。

另外，也可以是，在从垂直于安装面的方向观察功率放大器的情况下，第二外部端子的长边尺寸大于第一外部端子的直径尺寸，第二外部端子的短边尺寸与第一外部端子的直径尺寸相同。

通过像这样使第二外部端子的长边尺寸大于第一外部端子的直径尺寸，能够提高功率放大器的散热性。另外，通过使第二外部端子的短边尺寸与第一外部端子的直径尺寸相同，能够节省功率放大器的面积。

另外，也可以是，第一外部端子和第二外部端子是镀生长电极，包括相同的金属材料。

即使在第一外部端子和第二外部端子由于镀生长而形成为从安装面突出的距离不同的情况下，由于以消除突出的距离之差的方式设置有第一接地电极和第二接地电极，因此也能够抑制安装不良的发生。

另外，也可以是，在从垂直于上述一方主面的方向观察基板的情况下，第二接地电极的面积大于第一接地电极的面积。

据此，能够提高基板的第二接地电极的受热性，从而能够提高对于功率放大器的热的可靠性。

另外，也可以是，在从垂直于上述一方主面的方向观察基板的情况下，第二接地电极为长方形状，第一接地电极为圆形状。

由此，能够以简单的形状提高功率放大器的散热性，并且节省功率放大器的面积。

另外，也可以是，第一接地电极和第二接地电极分别包括1层以上的电极，第一接地电极的层数比第二接地电极的层数多。

据此，能够使第一接地电极比第二接地电极高。因此，能够使第一外部端子同第一接地电极的连接面之间的距离与第二外部端子同第二接地电极的连接面之间的距离之差小，从而能够抑制安装不良的发生。

另外，也可以是，基板由紫外线固化材料或光固化材料形成。

据此，能够高精度地形成第一接地电极和第二接地电极。因此，能够高精度地使第一外部端子同第一接地电极的连接面之间的距离与第二外部端子同第二接地电极的连接面之间的距离之差小，从而能够抑制安装不良的发生。

另外，功率放大器包括1个以上的放大元件，放大元件具有：用于输入高频信号的输入端子；用于输出高频信号的输出端子；第一端子；以及第二端子，放大元件对输入到输入端子的高频信号进行放大，将放大后的高频信号输出到输出端子，并且放大元件利用被施加于放大元件的偏置电压来控制在第一端子与第二端子之间流动的电流，1个以上的放大元件所具有的1个以上的输入端子中的至少1个输入端子经由功率放大器内的布线来与第一外部端子连接，第一端子和第二端子中的各端子经由功率放大器内的布线来与多个第二外部端子中的各第二外部端子连接。

这样，在被施加偏置电压的第一端子和第二端子中的各端子与多个第二外部端子中的各第二外部端子连接的功率放大器中，例如有时使多个第二外部端子的截面积大，以使在第一端子和第二端子的附近产生的热易于散热。因此，在例如通过镀生长来形成多个第二外部端子的情况下，有时以安装面为基准的第二外部端子的长度长而第一外部端子的长度短。对此，在本发明中，通过使从第一接地电极的连接面到一方主面的距离比从第二接地电极的连接面到上述一方主面的距离长，能够使第一外部端子同第一接地电极的连接面之间的距离与第二外部端子同第二接地电极的连接面之间的距离之差小。由此，能够抑制将功率放大器安装于基板时的安装不良。

另外，也可以是，放大元件是场效应晶体管，输入端子是场效应晶体管的栅极侧的端子，第一端子是场效应晶体管的漏极侧的端子，第二端子是场效应晶体管的源极侧的端子。

据此，能够在抑制安装不良的发生的同时，提高由场效应晶体管产生的热的散热性。

另外，也可以是，放大元件是双极晶体管，输入端子是双极晶体管的基极侧的端子，第一端子是双极晶体管的集电极侧的端子，第二端子是双极晶体管的发射极侧的端子。

据此，能够在抑制安装不良的发生的同时，提高由双极晶体管产生的热的散热性。

另外，也可以是，功率放大器还具有设置于与基板相向的安装面的至少1个第三外部端子，1个以上的放大元件所具有的1个以上的输出端子中的至少1个输出端子经由功率放大器内的布线来与第三外部端子连接，基板还具有设置于基板的一方主面侧的至少1个第三接地电极，第三外部端子与第三接地电极连接，从安装面到第三外部端子的连接面的距离比从安装面到第一外部端子的连接面的距离长，从第三接地电极的连接面到一方主面的距离比从第一接地电极的连接面到一方主面的距离短。

这样，即使在从安装面到第三外部端子的连接面的距离比从安装面到第一外部端子的连接面的距离长的情况下，也能够通过使从第三接地电极的连接面到上述一方主面的距离比从第一接地电极的连接面到一方主面的距离短，来使第一外部端子同第一接地电极的连接面之间的距离与第三外部端子同第三接地电极的连接面之间的距离之差小。由此，能够抑制将功率放大器安装于基板时的安装不良。

另外，也可以是，功率放大器还具有设置于与基板相向的安装面的至少1个第三外部端子，1个以上的放大元件所具有的1个以上的输出端子中的至少1个输出端子经由功率放大器内的布线来与第三外部端子连接，基板还具有设置于基板的一方主面侧的至少1个第三接地电极，第三外部端子与第三接地电极连接，从安装面到第三外部端子的连接面的距离比从安装面到第一外部端子的连接面的距离长，从基板的另一方主面到第三接地电极的连接面的距离比从另一方主面到第一接地电极的连接面的距离短。

这样，即使在从安装面到第三外部端子的连接面的距离比从安装面到第一外部端子的连接面的距离长的情况下，也能够通过使从基板的另一方主面到第三接地电极的连接面的距离比从基板的另一方主面到第一接地电极的连接面的距离短，来使第一外部端子同第一接地电极的连接面之间的距离与第三外部端子同第三接地电极的连接面之间的距离之差小。由此，能够抑制将功率放大器安装于基板时的安装不良。

另外，也可以是，沿着基板的第二接地电极的外周设置有槽状的凹陷。

据此，能够将安装时的多余的接合材料积存到上述凹陷，从而能够抑制将第二外部端子与第二接地电极连接的接合材料被连接到相邻的外部端子。

另外，也可以是，沿着基板的第一接地电极的外周设置有槽状的凹陷。

据此，能够将安装时的多余的接合材料积存到上述凹陷，从而能够抑制将第一外部端子与第一接地电极连接的接合材料被连接到相邻的外部端子。

发明的效果

本发明的高频模块能够抑制安装不良的发生。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的高频模块的将功率放大器与基板进行分解后的立体图。

图2是表示实施方式1所涉及的高频模块的功率放大器中包括的放大元件和外部端子的电路图。

图3a是从垂直于安装面的方向观察实施方式1所涉及的高频模块的功率放大器的情况下的图。

图3b是从垂直于一方主面的方向观察实施方式1所涉及的高频模块的基板的情况下的图。

图4是用图1所示的iv-iv线将实施方式1所涉及的高频模块切断的情况下的截面图，(a)是表示功率放大器被安装到基板之前的状态的图，(b)是功率放大器被安装到基板后的状态的图。

图5是实施方式1所涉及的高频模块，是表示功率放大器被安装到基板后的状态的另一例的图。

图6是表示实施方式1所涉及的高频模块中的功率放大器的外部端子的制造方法的图。

图7是表示实施方式1所涉及的高频模块中的基板的接地电极的制造方法的图。

图8是实施方式1的变形例所涉及的高频模块的截面图。

图9是实施方式2所涉及的高频模块的截面图。

图10是实施方式2的变形例所涉及的高频模块的截面图。

图11是表示实施方式3所涉及的高频模块的功率放大器中包括的放大电路和外部端子的电路图。

具体实施方式

下面，使用附图来详细说明本发明的实施方式所涉及的高频模块。此外，下面说明的实施方式均表示本发明的优选的一个具体例。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置位置和连接方式、步骤、步骤的顺序等是一个例子，其主旨并不在于限定本发明。另外，将下面的实施方式的结构要素中的、未记载于表示本发明的最上位概念的独立权利要求的结构要素作为构成更优选的方式的任意的结构要素来进行说明。

(实施方式1)

[1-1.高频模块的结构]

参照图1～图5来说明本实施方式所涉及的高频模块的结构。

图1是实施方式1所涉及的高频模块1的将功率放大器10与基板20进行分解后的立体图。高频模块1具备包括放大元件14的功率放大器10以及用于安装功率放大器10的基板20。功率放大器10与基板20例如通过焊料等接合材料进行连接。

基板20具有一方主面20a以及与一方主面20a相反的一侧的另一方主面20b。在基板20的一方主面20a设置有第一接地电极21、多个第二接地电极22a、22b以及第三接地电极23。基板20包含紫外线固化材料或光固化材料，是利用光刻法等半导体工艺形成的。

功率放大器10为长方体状，具有放大元件14和多个外部端子。在图1中，作为多个外部端子，示出了第一外部端子11、多个第二外部端子12a、12b以及第三外部端子13。如后述的图2所示，第一外部端子11是与放大元件14的输入端子15连接的端子。第二外部端子12a是与放大元件14的第一端子16(例如漏极侧的端子)连接的端子。第二外部端子12b是与放大元件14的第二端子17(例如源极侧的端子)连接的端子。第三外部端子13是与放大元件14的输出端子18连接的端子。

这些外部端子是镀生长电极，包含相同的金属材料。第一外部端子11、第二外部端子12a、12b以及第三外部端子13中的各端子设置于功率放大器10的安装面10a。安装面10a是在将功率放大器10安装到基板20时与基板20的一方主面20a相向的面。

在高频模块1中，第一外部端子11与第一接地电极21连接，第二外部端子12a与第二接地电极22a连接，第二外部端子12b与第二接地电极22b连接，第三外部端子13与第三接地电极23连接。

图2是表示功率放大器10中包括的放大元件14和外部端子的电路图。在实际的功率放大器10中包括多个放大元件、多个滤波器元件、开关电路以及控制电路等，但是在本实施方式中，说明在功率放大器10之中设置有1个放大元件14的例子。

放大元件14具有输入端子15、输出端子18、第一端子16以及第二端子17。放大元件14将输入到输入端子15的高频信号进行放大后输出到输出端子18。另外，放大元件14利用被施加于放大元件14的偏置电压来控制在第一端子16与第二端子17之间流动的电流。

放大元件14例如是场效应晶体管。输入端子15是场效应晶体管的栅极侧的端子，第一端子16是场效应晶体管的漏极侧的端子，第二端子17是场效应晶体管的源极侧的端子。此外，放大元件14也可以是双极晶体管。在该情况下，输入端子15是双极晶体管的基极侧的端子，第一端子16是双极晶体管的集电极侧的端子，第二端子17是双极晶体管的发射极侧的端子。

放大元件14的输入端子15经由布线l来与第一外部端子11连接。第一端子16和第二端子17中的各端子经由布线l来与第二外部端子12a、12b中的各第二外部端子连接。输出端子18经由布线l来与第三外部端子13连接。各布线l是在功率放大器10内形成的金属布线。

由于放大元件14的放大作用，大的电流流过放大元件14的第一端子16和第二端子17，因此在第一端子16和第二端子17的附近容易产生热。因此，最好使与第一端子16、第二端子17中的各端子连接的第二外部端子12a、12b的散热性比与输入端子15连接的第一外部端子11的散热性高。另外，功率放大后的信号被输出到放大元件14的输出端子18，因此在输出端子18的附近容易产生热。因此，最好使与输出端子18连接的第三外部端子13的散热性比与输入端子15连接的第一外部端子11的散热性高。

图3a是从垂直于安装面10a的方向观察功率放大器10的情况下的图。

如图3a所示，在从垂直于安装面10a的方向观察功率放大器10的情况下，第二外部端子12a、12b、第三外部端子13各自的面积大于第一外部端子11的面积。例如，第二外部端子12a、12b、第三外部端子13各自的面积为第一外部端子11的面积的1.5倍以上且3倍以下。

另外，同样地在从垂直于安装面10a的方向观察功率放大器10的情况下，第一外部端子11为圆形状，第二外部端子12a、12b分别为长方形状，第三外部端子13为椭圆形状或长方形状。例如，第二外部端子12a的长边尺寸大于第一外部端子11的直径尺寸，第二外部端子12a的短边尺寸与第一外部端子11的直径尺寸相同。例如，第一外部端子11的直径为75μm，第二外部端子12a的短边为75μm，长边为150μm。

像这样在从垂直于安装面10a的方向观察功率放大器10的情况下，第二外部端子12a、12b或第三外部端子13各自的面积大于第一外部端子11的面积，由此能够提高由功率放大器10产生的热的散热性。

此外，从散热性的观点出发，最好使全部的外部端子的面积都大，但是当使全部的外部端子的面积都大时功率放大器10的面积会变大。因此在本实施方式中，使接近热发生源的与第一端子16、第二端子17及输出端子18连接的各外部端子的面积大于与输入端子15连接的外部端子的面积。

另外，同样基于散热性的观点，最好使与第二外部端子12a、12b连接的第二接地电极22a、22b以及与第三外部端子13连接的第三接地电极23的受热性比与第一外部端子11连接的第一接地电极21的受热性高。

图3b是从垂直于一方主面20a的方向观察基板20的情况下的图。

如图3b所示，在从垂直于一方主面20a的方向观察基板20的情况下，第二接地电极22a、22b和第三接地电极23各自的面积大于第一接地电极21的面积。例如，第二接地电极22a、22b、第三接地电极23各自的面积为第一接地电极21的面积的1.5倍以上且3倍以下。

另外，同样在从垂直于一方主面20a的方向观察基板20的情况下，第一接地电极21为圆形状，第二接地电极22a、22b分别为长方形状，第三接地电极23为椭圆形状或长方形状。例如，第二接地电极22a的长边尺寸大于第一接地电极21的直径尺寸，第二接地电极22a的短边尺寸与第一接地电极21的直径尺寸相同。例如，第一接地电极21的直径为90μm，第二接地电极22a的短边为90μm，长边为180μm。

像这样在从垂直于一方主面20a的方向观察基板20的情况下，第二接地电极22a、22b或第三接地电极23各自的面积大于第一接地电极21的面积，由此能够提高对于由功率放大器10产生的热的受热性。

图4是用图1所示的iv-iv线将高频模块1切断的情况下的截面图。图4的(a)是表示功率放大器10被安装到基板20之前的状态的图，(b)是表示功率放大器10被安装到基板20后的状态的图。

此外，在此，着眼于多个外部端子中的第一外部端子11和第二外部端子12a来进行说明。另外，着眼于多个接地电极中的第一接地电极21和第二接地电极22a来进行说明。第二外部端子12b是与第二外部端子12a相同的结构，第二接地电极22b是与第二接地电极22a相同的结构，因此省略第二外部端子12b和第二接地电极22b的说明。第三外部端子13和第三接地电极23在后面叙述。

如图4的(a)所示，第一外部端子11和第二外部端子12a从安装面10a朝向基板20侧突出。在第一外部端子11的突出的前端形成有平面状的连接面f11，在第二外部端子12a的突出的前端形成有平面状的连接面f12。连接面f11、f12是在功率放大器10被安装到基板20时与基板20的接地电极连接的面。

从安装面10a到第一外部端子11的连接面f11的距离p1比从安装面10a到第二外部端子12a的连接面f12的距离p2短。该距离p1、p2的不同与从垂直于安装面10a的方向观察功率放大器10的情况下的外部端子的面积有关，例如，外部端子的面积越大则上述距离越长。在本实施方式中，相比于第二外部端子12a，第一外部端子11的从垂直于安装面10a的方向观察的情况下的面积更小，因此距离p1<距离p2。距离p1、p2之差例如为2μm以上且4μm以下。

这样，功率放大器10的第一外部端子11和第二外部端子12a的高度不同，因此当以该状态安装功率放大器10时，容易发生安装不良。因此，在本实施方式中，使基板20为下面示出的特征性构造。

如图4的(a)所示，第一接地电极21和第二接地电极22a分别具有与安装面10a相向的平面状的连接面f21、f22。连接面f21、f22是在功率放大器10被安装到基板20时与功率放大器10的外部端子连接的面。第一接地电极21和第二接地电极22a是通过镀处理等形成的，从一方主面20a朝向功率放大器10侧突出与电极的厚度相应的量。在本实施方式中，从第一接地电极21的连接面f21到一方主面20a的距离p1a比从第二接地电极22的连接面f22到一方主面20a的距离p2a长(距离p1a>距离p2a)。换言之，从基板20的另一方主面20b到第一接地电极21的连接面f21的距离h1比从另一方主面20b到第二接地电极22a的连接面f22的距离h2长(距离h1>距离h2)。距离h1、h2之差例如为2μm以上且4μm以下。也就是说，在以规定的面为基准的情况下，第一接地电极21的高度比第二接地电极22的高度高。另外，连接面f21位于与连接面f22相比更接近安装面10a的位置。

如图4的(b)所示，第一外部端子11与第一接地电极21连接，第二外部端子12a与第二接地电极22a连接。具体地说，使用接合材料30将第一外部端子11的连接面f11与第一接地电极21的连接面f21连接，使用接合材料30将第二外部端子12a的连接面f12与第二接地电极22a的连接面f22连接。

这样，本实施方式的高频模块1具备功率放大器10以及用于安装功率放大器10的基板20。功率放大器10具有安装面10a以及形成于安装面10a的第一外部端子11和第二外部端子(例如第二外部端子12a)。基板20具有一方主面20a以及形成于一方主面20a的第一接地电极21及第二接地电极(例如第二接地电极22a)。第一外部端子11与第一接地电极21连接，第二外部端子12a与第二接地电极22a连接。从安装面10a到第一外部端子11的连接面f11的距离p1比从安装面10a到第二外部端子12a的连接面f12的距离p2短，从第一接地电极21的连接面f21到一方主面20a的距离p1a比从第二接地电极22a的连接面f22到一方主面20a的距离p2a长。

即，在本实施方式中，从安装面10a到第一外部端子11的连接面f11的距离p1与从安装面10a到第二外部端子12a的连接面f12的距离p2的关系为距离p1<距离p2，与此相对地，使从第一接地电极21的连接面f21到一方主面20a的距离p1a与从第二接地电极22a的连接面f22到一方主面20a的距离p2a的关系为距离p1a>距离p2a。

由此，能够使连接面f11、f21之间的距离与连接面f12、f22之间的距离之差小，能够抑制将功率放大器10安装于基板20时的连接不良、即安装不良。

接着，参照图5来说明第三外部端子13和第三接地电极23。图5是表示功率放大器10被安装到基板20后的状态的另一例的图。

如图5所示，第三外部端子13从安装面10a朝向基板20侧突出。在第三外部端子13的突出的前端形成有平面状的连接面f13。从安装面10a到第三外部端子13的连接面f13的距离p3比从安装面10a到第一外部端子11的连接面f11的距离p1长(距离p1<距离p3)。

第三接地电极23具有与安装面10a相向的平面状的连接面f23。从第三接地电极23的连接面f23到一方主面20a的距离p3a比从第一接地电极21的连接面f21到一方主面20a的距离p1a短(距离p1a>距离p3a)。换言之，从基板20的另一方主面20b到第三接地电极23的连接面f23的距离h3比从另一方主面20b到第一接地电极21的连接面f21的距离h1短(距离h1>距离h3)。也就是说，在以规定的面为基准的情况下，第三接地电极23的高度比第一接地电极21的高度低。使用接合材料30将第三外部端子13的连接面f13与第三接地电极23的连接面f23连接。

在本实施方式中，从安装面10a到第一外部端子11的连接面f11的距离p1与从安装面10a到第三外部端子13的连接面f13的距离p3的关系为距离p1<距离p3，与此相对地，使从第一接地电极21的连接面f21到一方主面20a的距离p1a与从第三接地电极23的连接面f23到一方主面20a的距离p3a的关系为距离p1a>距离p3a。由此，能够使连接面f11、f21之间的距离与连接面f13、f23之间的距离之差小，能够抑制将功率放大器10安装于基板20时的连接不良、即安装不良。

[1-2.外部端子和接地电极的制造方法]

接着，说明功率放大器10的外部端子的制造方法以及基板20的接地电极的制造方法。在此，着眼于多个外部端子中的第一外部端子11和第二外部端子12a来进行说明。另外，着眼于多个接地电极中的第一接地电极21和第二接地电极22a来进行说明。

图6是表示功率放大器10的外部端子的制造方法的图。

首先，如图6的(a)所示，准备形成外部端子之前的功率放大器10。放大元件14内置于功率放大器10，另外，在功率放大器10形成有用于形成外部端子的底层电极u1、u2。各底层电极u1、u2例如是通过以下方式形成的：通过溅射来按顺序堆积出ti层、cu层。底层电极u1经由布线l来与放大元件14的输入端子15连接，底层电极u2经由布线l来与第一端子16连接。

接着，如图6的(b)所示，形成与底层电极u1对应的第一外部端子11，形成与底层电极u2对应的第二外部端子12a。这些第一外部端子11和第二外部端子12a例如是cu柱，是通过以底层电极u1、u2为种电极(seedelectrode)进行镀生长来形成的。此外，在镀生长时，以底层电极u1、u2以外的区域为掩模来进行镀处理。如前所述，相比于第二外部端子12a，第一外部端子11的从垂直于安装面10a的方向观察的情况下的面积更小，因此在使这些端子镀生长之后，距离p1<距离p2。

图7是表示基板20的接地电极的制造方法的图。

首先，如图7的(a)所示，通过半导体工艺形成基板20，另外，在基板20的一方主面20a形成接地电极。在图7的(a)中，作为接地电极，示出了第二接地电极22a以及作为第一接地电极21的一部分的电极层21a。电极层21a、第二接地电极22a例如分别是通过镀cu来形成的。形成于基板20的电极层21a、第二接地电极22a的厚度相同。

接着，如图7的(b)所示，在电极层21a以外的区域形成抗蚀剂掩模51。接着，如图7的(c)所示，在暴露出来的电极层21a堆积电极层21b。该电极层21b是通过以电极层21a为种电极进行镀cu生长来形成的。

接着，如图7的(d)所示，去除抗蚀剂掩模51。由此，形成第一接地电极21、第二接地电极22a。第一接地电极21包括电极层21a及21b这2层，层数比第二接地电极22a的层数多。第一接地电极21的高度比第二接地电极22a的高度高，距离p1a>距离p2a(距离h1>距离h2)。

在本实施方式中，为了抑制安装不良的发生，与功率放大器10的外部端子的高度对应地改变基板20的接地电极的高度。由此，能够抑制将功率放大器10安装于基板20时的安装不良。

还想到了例如以往技术那样在高度低的外部端子涂布导电膏来调整高度的方法，但是在该情况下，为了进行多个功率放大器的位置对准和外部端子的位置对准而需要高精度的设备。在本实施方式的接地电极的制造方法中，能够使用制作基板20时的半导体工艺，并且能够一并形成大量的接地电极，因此能够高精度且高效地形成高度高的第一接地电极21。

(实施方式1的变形例)

图8是实施方式1的变形例所涉及的高频模块1a的截面图。在变形例的高频模块1a中，第一接地电极21、第二接地电极22a中的各接地电极形成于基板20的凹部28。

在本变形例中也是，第一外部端子11与第二外部端子12a的关系是距离p1<距离p2，与此相对，第一接地电极21与第二接地电极22a的关系为距离p1a>距离p2a(距离h1>距离h2)。也就是说，连接面f21位于与连接面f22相比更接近安装面10a的位置。由此，能够使连接面f11、f21之间的距离与连接面f12、f22之间的距离之差小，能够抑制将功率放大器10安装到基板20时的安装不良。

(实施方式2)

图9是实施方式2所涉及的高频模块1b的截面图。在实施方式2的高频模块1b中，沿着基板20的第二接地电极22a的外周形成有槽状的凹陷29。

图9的(a)是表示功率放大器10被安装到基板20之前的状态的图，(b)是表示功率放大器10被安装到基板20后的状态的图。

例如，在将接合材料30转印到外部端子之后将功率放大器10安装到基板20的方法中，当第二外部端子12a的高度比第一外部端子11的高度高时，如图9的(a)所示，在转印接合材料30时大量的接合材料30附着于第二外部端子12a。因此，在安装后，接合材料30超出需要地润湿散布在基板20上，有时会与相邻的外部端子连接。

在实施方式2中，沿着基板20的第二接地电极22a的外周形成有槽状的凹陷29，因此如图9的(b)所示，能够将安装时的多余的接合材料30积存到凹陷29。由此，能够抑制将第二外部端子12a与第二接地电极22a连接的接合材料30被连接到相邻的外部端子。

(实施方式2的变形例)

图10是实施方式2的变形例所涉及的高频模块1c的截面图。在变形例2的高频模块1c中，沿着基板20的第一接地电极21的外周形成有槽状的凹陷29。

在本变形例中，沿着基板20的第一接地电极21的外周形成有槽状的凹陷29，因此，如图10所示，能够将安装时的多余的接合材料30积存到凹陷29。由此，能够抑制将第一外部端子11与第一接地电极21连接的接合材料30被连接到相邻的外部端子。

另外，沿着第二接地电极22a的外周形成有槽状的凹陷29，因此能够将安装时的多余的接合材料30积存到凹陷29。由此，能够抑制将第二外部端子12a与第二接地电极22a连接的接合材料30被连接到相邻的外部端子。

(实施方式3)

实施方式3所涉及的高频模块的功率放大器10具备包括多个放大元件的放大电路。图11是表示功率放大器10中包括的放大电路和外部端子的电路图。

功率放大器10具有前级的放大元件14、后级的放大元件14a以及多个外部端子。在图11中，作为多个外部端子，示出了第一外部端子11、2个第二外部端子12a、2个第二外部端子12b以及第三外部端子13。

前级的放大元件14具有输入端子15、第一端子16以及第二端子17。放大元件14将输入到输入端子15的高频信号进行放大后输出到后级的放大元件14a。放大元件14利用被施加于放大元件14的偏置电压来控制在第一端子16与第二端子17之间流动的电流。

后级的放大元件14a具有输出端子18、第一端子16以及第二端子17。放大元件14a被输入从放大元件14输出的信号，将该信号进一步放大后输出到输出端子18。放大元件14a利用被施加于放大元件14a的偏置电压来控制在第一端子16与第二端子17之间流动的电流。

放大元件14的输入端子15经由布线l来与第一外部端子11连接。放大元件14的第一端子16和第二端子17中的各端子经由布线l来与第二外部端子12a、12b中的各第二外部端子连接。放大元件14的输出侧经由放大电路内的布线来与放大元件14a的栅极侧连接。

放大元件14a的第一端子16和第二端子17中的各端子经由布线l来与不同于连接着放大元件14的外部端子的第二外部端子12a、12b中的各第二外部端子连接。放大元件14a的输出端子18经由布线l来与第三外部端子13连接。

另外，在实施方式3的高频模块中，在从垂直于安装面10a的方向观察功率放大器10的情况下，多个第二外部端子12a、12b或第三外部端子13各自的面积大于第一外部端子11的面积，由此提高由功率放大器10产生的热的散热性。另外，在从垂直于一方主面20a的方向观察基板20的情况下，多个第二接地电极22a、22b或第三接地电极23各自的面积大于第一接地电极21的面积，由此提高对于由功率放大器10产生的热的受热性。

另外，在实施方式3的高频模块中，在着眼于第一外部端子11和第二外部端子12a、着眼于第一接地电极21和第二接地电极22a的情况下，第一外部端子11和第二外部端子12a的关系为距离p1<距离p2，与此相对，使第一接地电极21和第二接地电极22a的关系为距离p1a>距离p2a(距离h1>距离h2)。由此，能够使连接面f11、f21之间的距离与连接面f12、f22之间的距离之差小，能够抑制将功率放大器10安装到基板20时的安装不良。

(其它方式)

以上基于各实施方式说明了本发明所涉及的高频模块，但是本发明不限定于这些实施方式。只要不脱离本发明的宗旨，那么对实施方式实施本领域技术人员所想到的各种变形来得到的方式、将各实施方式中的一部分结构要素进行组合来构建的其它方式也包括在本发明的范围内。

例如，也可以是，在功率放大器10中除了包括多个放大元件以外还包括滤波器元件、电感器元件、电容器元件、开关电路以及控制电路等。

例如，基板20不限于通过光刻法制作出的基板，也可以是ltcc(lowtemperatureco-firedceramics：低温共烧陶瓷)基板。

例如，实施方式1的连接面f11、f12为平坦状，但是不限于此，也可以是曲面状。在连接面f11、f12为曲面状的情况下，只要使曲面上的最远离安装面10a的位置与安装面10a相距距离p1或距离p2即可。

例如，在实施方式1中，作为外部端子或接地电极的形状的一例，列举了圆形状，但是圆形状也包括椭圆。另外，作为外部端子或接地电极的形状的一例，列举了长方形状，但是长方形的角也可以是圆角。

另外，在实施方式3中，在流过初级的放大元件14的第一端子16和第二端子17的电流小的情况下，也可以使与初级的放大元件14的第一端子16及第二端子17连接的第二外部端子的面积小于与后级的放大元件14a的第一端子16及第二端子17连接的第二外部端子的面积。

另外，在实施方式1中，示出了在基板20的一方主面20a安装功率放大器10的单面安装的例子，但是不限于此，也可以是在基板20的两个主面(一方主面20a和另一方主面20b)安装功率放大器10的双面安装。

产业上的可利用性

本发明作为能够抑制安装不良的高频模块，能够利用于通信设备等。

附图标记说明

1、1a、1b、1c：高频模块；10：功率放大器；10a：安装面；11：第一外部端子；12a、12b：第二外部端子；13：第三外部端子；14、14a：放大元件；15：输入端子；16：第一端子；17：第二端子；18：输出端子；20：基板；20a：一方主面；20b：另一方主面；21：第一接地电极；21a、21b：电极层；22a、22b：第二接地电极；23：第三接地电极；28：凹部；29：凹陷；30：接合材料；51：抗蚀剂掩模；f11、f12、f13、f21、f22、f23：连接面；h1、h2、h3：距离；l：布线；p1、p2、p3：距离；p1a、p2a、p3a：距离；u1、u2：底层电极。