技术总结
本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种集成智能基体分离型N沟道MOS管，包括漏极、源极、栅极和基体，还包括，逆流二极管，耦接于所述基体与漏极之间，用以供方向为源极至漏极的电流通过；顺流二极管，耦接于所述基体与源极之间，用以供方向为漏极至源极的电流通过；电流方向转换单元，耦接于所述漏极、源极和基体，用以控制电流流向。本实用新型具有降低功耗、实现完全截止、双向导通的效果。
技术研发人员：冯显声;黄勍隆;闸钢
受保护的技术使用者：深圳能芯半导体有限公司
技术研发日：2019.04.15
技术公布日：2019.11.22