1.一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，包括芯片本体以及集成于芯片本体的芯片电路，其特征在于，所述芯片电路包括衰减模块、电源保护模块以及电平转换模块；
其中，供电电压输入所述电源保护模块的输入端，所述电源保护模块的输出端分别与所述衰减模块的输入端以及所述电平转换模块的供电输入端相连接；
控制电压输入所述电平转换模块的控制输入端，所述电平转换模块的控制输出端连接所述衰减模块的控制输入端；
射频信号输入所述衰减模块，经过衰减控制后输出。
2.根据权利要求1所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述衰减模块包括依次串联的多个衰减单元，所述电平转换模块相应设置有与所述衰减单元同等数量的依次并联的电平转换模块。
3.根据权利要求2所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电源保护模块包括电容c1、电阻r1组成的滤波电路、晶体管q1，电阻r2、电阻r3；电容c1的一端与晶体管q1的漏极连接，电容c1的另一端连接串联电阻r1后接地，晶体管q1的漏极与栅极之间串联多个二极管以及电阻r2，晶体管q1的栅极连接电阻r2，电阻r2的另一端连接二极管以及电阻r3，电阻r3另一端接地。
4.根据权利要求2所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电平转换模块包括反相器电路，所述反相器电路包括并联设置的正向控制反相器电路与反向控制反相器电路，输入控制电压经过正向控制反相器电路以及反向控制反相器电路产生两个互补输出正反相控制电压。
5.根据权利要求4所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述正向控制反相器电路包括串联的第一反相器电路与第二反相器电路，晶体管q4、电阻r7和晶体管q5组成第一反相器电路，晶体管q7、电阻r10和晶体管q8组成第二反相器电路；所述反向控制反相器电路包括晶体管q9、电阻r11和晶体管q10组成第三反相器电路；其中，所述电阻r7的一端连接晶体管q4的源极，电阻r7的另一端分别与晶体管q4的栅极以及晶体管q5的漏极连接，电阻r10的一端连接晶体管q7的源极，电阻r10的另一端分别与晶体管q7的栅极以及晶体管q8的漏极连接，晶体管q5的漏极与二极管d16的阳极连接，二极管d16的阴极与电阻r8连接，电阻r8另一端连接晶体管q8的栅极；电阻r11的一端连接晶体管q9的源极，电阻r11的另一端分别与晶体管q9的栅极以及晶体管q10的漏极连接，晶体管q5的栅极与晶体管q10之间通过电阻r12连接。
6.根据权利要求5所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电平转换模块还包括稳压电路；晶体管q2、晶体管q3、电阻r5、电阻r6组成第一稳压电路，电阻r5的一端连接晶体管q2的漏极，电阻r5的另一端分别与晶体管q2的栅极以及晶体管q5的栅极连接，晶体管q2的源极连接晶体管q3的漏极，电阻r6的一端连接晶体管q3的源极，电阻r6的另一端分别连接晶体管q3的栅极并接地；晶体管q6与电阻r9组成第二稳压电路，晶体管q6的漏极连接二极管d16的阴极，晶体管q6的源极连接电阻r9，电阻r9的另一端分别连接晶体管q6的栅极并接地。
7.根据权利要求6所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电平转换模块还包括输入保护电路以及输出保护电路；二极管d13、d14、d15以及电阻r4组成输入保护电路，二极管d13的阳极分别连接电阻r4、二极管d14的阴极以及二极管d15的阳极，二极管d14的阳极接地，二极管d15的阴极连接晶体管q2的源极和晶体管q3的漏极；二极管d17、二极管d18、电容c2，以及二极管d19、二极管d20、电容c3组成输出保护电路；其中，二极管d17的阳极分别连接电容c2、二极管d18的阴极以及晶体管q8的漏极，二极管d18的阳极以及电容c2的另一端接地；二极管d19的阳极分别连接电容c3、二极管d20的阴极以及晶体管q10的漏极，二极管d20的阳极以及电容c3的另一端接地。
8.根据权利要求2-7任一项所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述衰减单元包括电阻r16、电阻r17、电阻r18、电阻r19、晶体管q11与晶体管q12组成桥t型衰减结构；其中，电阻r16两端分别与晶体管q11的源极与漏极连接，电阻r17的一端与晶体管q11的漏极连接，电阻r17的另一端分别与电阻r18、电阻r19的一端连接，电阻r18、电阻r19的另一端分别与晶体管q11的源极以及晶体管q12的漏极连接。
9.根据权利要求8所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述衰减单元还包括电阻r13、电阻r14、电阻r15、电阻r20、电阻r21，以及电容c4、电容c5、电容c6，电容c4和电容c5设置为片外隔直电容，电容c6设置为片内接地隔直电容；其中，电阻r13一端分别与晶体管q11的漏极以及电阻r14连接，电阻r14另一端以及电阻r21与晶体管q12的源极连接，电阻r15与晶体管q11的栅极连接；晶体管q12的栅极连接电阻r20，晶体管q11的漏极与电容c4连接，晶体管q11的源极与电容c5连接，晶体管q12的源极与电容c6连接后接地。
10.根据权利要求9所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，组成衰减器芯片电路的各个晶体管均采用e/dphemt场效应管。