1.一种cmos毫米波超宽带并联非对称单刀双掷开关，其特征在于，包括第一～第三nmos晶体管（m1、m2、m3），第一～第三片上电阻器（r1、r2、r3），第一～第三片上电感器（l1、l2、l3），片上电容器（c），射频信号接收端口（rx），射频信号发射端口（tx），天线端口（ant），第一、第二控制端口，以及接地端口（gnd）；
所述的第一片上电感器（l1）、片上电容器（c）、天线端口（ant）以及接地端口（gnd）一起组成ant支路；其中，第一片上电感器（l1）的一端与片上电容器（c）的一端连接，第一片上电感器（l1）的另一端连接到天线端口（ant），片上电容器（c）的另一端连接到接地端口（gnd）；
所述的第一、第二nmos晶体管（m1、m2）与第一、第二片上电阻器（r1、r2），第二片上电感器（l2），第一控制端口，射频信号发射端口（tx），以及接地端口（gnd）一起组成tx支路；其中，射频信号发射端口（tx）与第一nmos晶体管（m1）的漏极相连，第一nmos晶体管（m1）的源极与第二nmos晶体管（m2）的漏极相连，第二nmos晶体管（m2）的源极与接地端口（gnd）连接，第一nmos晶体管（m1）的栅极连接到第一片上电阻器（r1）的一端，第二nmos晶体管（m2）的栅极连接到第二片上电阻器（r2）的一端，第一、第二片上电阻器（r1、r2）的另一端均连接到第一控制端口，第二片上电感器（l2）跨接在射频信号发射端口（tx）以及第一片上电感器（l1）与片上电容器（c）的连接点之间；
所述的第三nmos晶体管（m3）与第三片上电阻器（r3）、第三片上电感器（l3）、第二控制端口、射频信号接收端口（rx）以及接地端口（gnd）一起组成rx支路；其中，第三nmos晶体管（m3）的漏极连接到射频信号接收端口（rx），第三nmos晶体管（m3）的栅极与第三片上电阻器（r3）的一端相连，第三片上电阻器（r3）的另一端连接到第二控制端口，第三nmos晶体管（m3）的源极与接地端口（gnd）连接，第三片上电感器（l3）跨接在射频信号接收端口（rx）以及第一片上电感器（l1）与片上电容器（c）的连接点之间；
所述第一控制端口和第二控制端口分别为一正一负。