用于调整声波谐振器的频率响应的负荷谐振器的制作方法

1.本说明书涉及薄膜射频声波滤波器。


背景技术：

2.基于微声学和薄膜技术的诸如谐振器和滤波器之类的射频(“rf”)部件被广泛用于诸如移动电话、无线网络、卫星定位等之类的无线电应用中。它们的相对于其集总元件、陶瓷和电磁对应物的优点包括小尺寸和批量生产能力。


技术实现要素：

3.本说明书描述了带通横向体声波(“lbaw”)滤波器的技术。更具体地，本公开提供了抑制lbaw滤波器中的边带并改善lbaw滤波器的带通滤波器特性的技术。
4.lbaw可以用作带通滤波器。带通滤波器可以包括一个或多个不期望的(或寄生的)边带。本公开的实现方式提供了通过添加与lbaw并联的一个或多个声谐振器来抑制不期望边带的技术。
5.lbaw滤波器由夹在两反电极之间的压电层形成。每对中的一个电极位于压电层的顶表面上，并形成lbaw的输入或输出。输入电极和输出电极通过间隙分离。每对还具有位于压电层的底表面上的反电极。通过跨输入谐振器处的压电层施加交流电压，在输入电极下方的压电层中形成机械共振。压电层的厚度和电极之间的间隙可以被设计为使得该机械共振跨间隙耦合到输出谐振器。出现这种耦合的频率范围决定了lbaw滤波器可实现的带宽(或通带的宽度)。
6.以上和其它实施例均可以可选地包括以下特征(单独或组合)中的一个或多个。
7.通常，本说明书中描述的主题的一个创新方面可以在包括声波滤波器元件、第一谐振器和第二谐振器的声波滤波器装置中实施。第一谐振器和第二谐振器耦合到声波滤波器元件。声波滤波器元件包括位于压电层的顶表面上的叉指式的输入电极和输出电极以及在压电层的底表面上的反电极。第一谐振器包括在压电层的顶表面上的第一谐振器电极。第一谐振器还包括在压电层的底表面上的第一谐振器反电极。第一谐振器在第一频率处具有谐振器阻抗中的第一陷波(notch)。第二谐振器包括在压电层的顶表面上的第二谐振器电极以及在压电层的底表面上的第二谐振器反电极。第二谐振器还包括在第二谐振器电极上的第一质量负荷层，使得第二谐振器在不同于第一频率的第二频率处具有谐振器阻抗中的第二陷波。
8.第一频率和第二频率可以在声波滤波器元件的谐振器阻抗的边带内。在一些示例中，第一频率与第二频率可以相差至少3％。
9.第一谐振器电极可以与输入电极电耦合，并且第二谐振器电极与输出电极电耦合。
10.第一谐振器电极可以与输入电极或输出电极电耦合，并且第二谐振器电极与第一谐振器电极电耦合。在一些实施例中，第一谐振器电极具有面对声波滤波器元件的第一边
缘，第一谐振器电极具有在第一谐振器电极的更远离声波滤波器元件的一侧上的第二边缘以及连接第一边缘和第二边缘的第三边缘。在一些示例中，第二谐振器电极与第一谐振器电极的第二边缘相邻地设置。在一些示例中，第二谐振器电极与第一谐振器电极的第三边缘相邻地设置。在一些实施例中，第一谐振器电极与第二谐振器电极通过共享公共边缘而电耦合。在一些实施例中，第一谐振器电极与第二谐振器电极通过导线而电耦合，导线桥接第一谐振器电极和第二谐振器电极之间的间隙。
11.声波滤波器装置可以包括与声波滤波器元件耦合的第三谐振器。第三谐振器可以包括在压电层的顶表面上的第三谐振器电极、在压电层的底表面上的第三谐振器反电极、第三谐振器电极上的第一质量负荷层以及在第三谐振器电极上的第二质量负荷层，使得第三谐振器在与第一频率和第二频率不同的第三频率处具有谐振器阻抗中的第三陷波。
12.第二质量负荷层可以设置在第一质量负荷层上。第一质量负荷层可以包括氧化硅层。第二质量负荷层可以包括氮化硅层。
13.声波滤波器装置可以包括与声波滤波器元件耦合的第四谐振器。第四谐振器可以包括在压电层的顶表面上的第四谐振器电极以及在压电层的底表面上的第四谐振器反电极。第四谐振器可以在第一频率处具有谐振器阻抗中的第四陷波。
14.在一些实施例中，第一谐振器电极是第一谐振器的最上层。在一些实施例中，第一质量负荷层没有覆盖第二谐振器电极。
15.第一质量负荷层的第一部分可以设置在第一谐振器电极上，并且第一质量负荷层的第二部分可以设置在第二谐振器电极上。第一部分和第二部分可以具有不同的厚度。
16.声波滤波器元件的反电极、第一谐振器反电极和第二谐振器反电极可以是由连续跨越声波滤波器元件、第一谐振器和第二谐振器的公共反电极提供的。
17.输入电极、输出电极、第一谐振器电极和第二谐振器电极可以是由压电层的顶表面上的同一电极层的单独部分提供的。
18.在一些实施例中，压电层的厚度以及输入电极与输出电极之间的间隙宽度使得在输入电极和反电极之间施加射频电压将在压电层中创建对称和反对称声厚度
‑
延伸谐振模式。
19.声波滤波器元件可以是横向声耦合体声波(lbaw)滤波器。
20.本说明书中描述的主题的另一个创新方面可以在包括声波滤波器元件、第一谐振器和第二谐振器的声波滤波器装置中实施。第一谐振器和第二谐振器耦合到声波滤波器元件。声波滤波器元件包括位于压电层的顶表面上的叉指式的输入电极和输出电极。第一谐振器包括在压电层的顶表面上的第一谐振器电极。第一谐振器在第一频率处具有谐振器阻抗中的第一陷波。第二谐振器包括在压电层的顶表面上的第二谐振器电极。第二谐振器还包括在第二谐振器电极上的第一质量负荷层，使得第二谐振器在不同于所述第一频率的第二频率处具有谐振器阻抗中的第二陷波。
21.本说明书中描述的主题的另一个创新方面可以在包括声波滤波器元件、第一谐振器和第二谐振器的声波滤波器装置中实施。第一谐振器和第二谐振器耦合到声波滤波器元件。声波滤波器元件包括位于压电层的顶表面上的电极以及在压电层的底表面上的反电极。第一谐振器包括在压电层的顶表面上的第一谐振器电极以及在压电层的底表面上的第一谐振器反电极。第一谐振器在第一频率处具有谐振器阻抗中的第一陷波。第二谐振器包
括在压电层的顶表面上的第二谐振器电极、在压电层的底表面上的第二谐振器反电极。第二谐振器还包括在第二谐振器电极上的第一质量负荷层，使得第二谐振器在不同于所述第一频率的第二频率处具有谐振器阻抗中的第二陷波。
22.本说明书中描述的主题可以在特定实施例中实现，以便实现以下优点中的一个或多个。本文中描述的带通滤波器通过抑制寄生边带来改善声滤波器(例如，lbaw滤波器)的带通响应。可以在特定频率处或在一定频率范围内进行抑制。另外，本文中描述的lbaw滤波器可以更简单地制造，因为与垂直堆叠的体声波(baw)耦合谐振器滤波器中的两个相比，它们仅使用单个压电层。它们也作为表面声波(saw)滤波器在较高频率下操作，因为它们的操作与叉指式换能器(idt)电极尺寸相比更多是由压电层厚度决定的。在一些实施例中，与baw滤波器相比，lbaw滤波器还可以实现更宽的带宽。lbaw滤波器与接近baw中的10相比可以作为具有单个光刻图案化步骤的滤波器执行，并且可以在saw中不需要反射器的情况下操作，因此尺寸更小。
23.在附图和以下描述中阐述了本说明书的主题的一个或多个实施例的细节。根据说明书、附图和权利要求书，主题的其它特征、方面和优点将变得清楚。
附图说明
24.图1a是牢固安装的lbaw滤波器的示意性立体图。
25.图1b是自支撑的lbaw滤波器的示意性立体图。
26.图1c是叉指式换能器(“idt”)电极结构的示意性平面图。
27.图2a
‑
2b是lbaw压电层中的两种类型的传播板波模式的示意图。
28.图3是示例性lbaw的频散曲线。
29.图4a是lbaw中的两种谐振模式的示意图。
30.图4b是根据频率的lbaw的例示性传输响应。
31.图5是根据频率的lbaw的实验传输曲线。
32.图6a
‑
6b分别是包括连接到声滤波器结构的lbaw的电路的示意性剖视图和平面图。
33.图6c是图6a至图6b中的电路的电路图。
34.图7a
‑
7c例示了包括与lbaw滤波器并联的一个或多个声谐振器的示例带通滤波器。
35.图8描绘了具有多个并联谐振器的lbaw滤波器的插入损耗的实验图线以及并联谐振器的阻抗的实验图线。
36.图9a
‑
9b描绘了通过一个或多个连接件集成到lbaw滤波器的示例谐振器。
37.图10描绘了包括与多个谐振器并联的lbaw的滤波器的示例。
38.各个图中类似的参考标号和名称指示类似的元件。
具体实施方式
39.图1a、图1c示出了lbaw滤波器(或谐振器)100的示例，lbaw滤波器(或谐振器)100带有具有叉指式几何形状(也被称为“叉指式换能器”或“idt”lbaw)的输入电极150和输出电极170。lbaw滤波器100包括具有厚度d的压电(“piezo”)层110、位于压电层的顶表面上的
idt电极结构102以及位于压电层的底表面上的底部反电极120。idt电极结构(“idt”)102包括导电材料(例如，金属或多晶硅)的两个梳状电极150和170。idt电极150和170分别具有提供“梳子”的“尖齿”或“齿”或“指”的平行的延伸部150a和170a。电极150和反电极120与压电层110形成输入谐振器。电极170和反电极120与压电层110形成输出谐振器。
40.通过跨输入端口160处的idt电极150和底部反电极120施加振荡的(或交流的)输入电压，在压电层110中形成声振动。所施加的电压经由压电效应被转变为机械(例如，声)振动。在谐振条件下(例如，具有某些声谐振模式，如以下进一步详述的)，该振动可以在输入电极150下方产生驻波并在间隙区域190中产生消散波(振幅呈指数衰减)。通过适当地选择振动频率和间隙宽度g，驻波可以从电极150下方的压电区域到电极170下方的压电区域机械地跨间隙190耦合，并形成电极170下方的压电层110中的类似驻波。电极170下方的驻波经由反向压电效应在输出端口180处得到具有相同频率的输出信号电压。在具有强压电耦合的机械共振中出现这种耦合的频率范围形成了lbaw滤波器100的通带(或带宽)。在某个示例中，频率范围在1.8ghz和1.95ghz之间。如下面进一步讨论的，lbaw 100的各个层的厚度和几何形状以及间距可以被调谐，以改变滤波器的rf响应和通带。
41.反射结构130可以用于将压电层110中的振动与下面的衬底140隔离并防止声泄漏。例如，薄层结构可以是由交替的高低声阻抗(“z
ac”)材料层构成的布拉格反射器。在一些实施例中，这些层的厚度可以被设计为使得具有lbaw滤波器的通带和在其附近的频率被反射回到压电层110中，并且所有其它频率都穿过反射镜。
42.在一些实施例中，lbaw 100不直接覆在衬底140(如图1a中所示)上，而是自支撑的，如图1b中所示。在这种布置中，衬底140和反射镜130被替换为气隙，其中，横向延伸经过其中制造有lbaw 100的区域的压电部被衬底140支撑。
43.在一些实施例中，如图1c中所示，延伸部150a和170a是矩形的并具有宽度w、长度l，并以间隙宽度g间隔开。各电极150和170分别具有一个或多个延伸部150a和170a。电极延伸部的总数被指定为k。
44.尽管图1c示出了具有相同几何形状和间距g的平行延伸部150a/170a的矩形叉指式电极150/170，但也料想到其它电极几何形状。设计考虑因素包括电极之间的间隙、电极的长度以及数量(如有的话)以及电极延伸部的形状。可以使用该间隙来控制输入电极与输出电极之间的耦合。较长的电极也可以增加耦合。可以使用延伸部的数量k来控制带宽和/或增加耦合，同时节省电极所占用的面积。在一些实施例中，电极由具有两个或更多个延伸部(例如，k≥2)的矩形条带构成。例如，各延伸部可以是矩形条带。在一些实施例中，电极是具有公共轴线的同心圆或螺旋。
45.压电层110可以由各种压电材料形成。示例性材料包括zno、aln、cds、pzt、linbo3、litao3、石英、knn、bst、gan、sc合金化的aln或以上提到的掺杂有附加元素或与附加元素合金化的材料。可以使用掺杂来改善或调整压电层110的机电特性。如下面进一步详述的，压电层厚度d被选定为使得在压电层中产生接近lbaw滤波器的所期望带宽的频率的厚度
‑
延伸模式。在一些实施例中，压电层厚度d是λ
z
的20％至50％或λ
z
的30％至45％，其中，λ
z
是厚度方向上的压电振动的波长。在一些实施例中，d为1500nm至2500nm或1800nm至2200nm。
46.薄膜idt 102可以由各种材料构成。在一些实施例中，idt电极150和170是金属。例如，电极材料包括al、mo、pt、cu、au、ag、ti、w、ir、ru或金属的多层和/或掺杂有附加材料(例
如，alsi、alsicu、多晶硅等)的金属。可以使用掺杂来改善或调整idt电气或机械特性。
47.尽管图1a示出了单个公共反电极120，但滤波器100可以包括用于输入谐振器和输出谐振器的单独电极。多种材料适用于反电极(例如，电极120)。例如，电极可以包括诸如al、mo、pt、cu、au、ag、ti、w、ir、ru或金属的多层和/或掺杂有附加材料(例如，alsi、alsicu等)的金属之类的金属。可以使用掺杂来改善或调整idt电气或机械特性。例如，电极可以是ti+mo、ti+w、aln+mo或al+w。电极可以是多层的。电极可以具有沉积在电极下方的特殊薄籽晶层。
48.反射结构130可以由不同材料的交替层构成。例如，反射结构130可以包括以下两个的交替层：钨(w)、sio2、硅(si)、碳(c)。例如，高声阻抗层包括w、mo、ir、al2o3、金刚石、pt、aln、si3n4。低声阻抗层可以包括sio2、玻璃、al、ti、c、聚合物或多孔材料。si层提供中等声阻抗。诸如si或sio2或玻璃、蓝宝石、石英之类的各种材料适用于衬底140。衬底140的材料可以具有高电阻率。衬底可以具有适于诸如集成在移动电话平台中这样的rf应用的厚度。例如，衬底可以具有小于500微米或小于200微米的厚度。例如，可以购买厚度为675μm的si晶圆并对其进行减薄，以实现例如移动平台所期望的器件厚度。
49.lbaw 100的声响应建模可以提供如何调谐结构中个体元素的设计参数的指导，以实现所期望的带通特性。例如，lbaw 100可以被设计为在特定频率下具有谐振模式。通常，各种lbaw 100部件的几何形状可以被选定为实现各种声特性。lbaw 100的特性可以取决于可能相互不独立的这些几何形状的组合。
50.在压电层110中，(例如，在端口160处)在输入电压的不同激励频率f处可以引起不同的体声振动模式。压电层110中的声振动可以作为兰姆波(或板波)横向传播，其中，粒子运动位于包含波传播方向和板法线(例如，图1a中的z轴)的平面中。在图2a至图2b中示出了两种这样的模式。参照图2a，厚度
‑
延伸(te或纵向)体模式200具有主要垂直于传播方向(在z方向上)的粒子位移210。参照图2b，二阶厚度剪切(ts2)体模式220具有主要平行于传播方向(在y方向上)的粒子位移230。对于两种模式，可以引起厚度方向上的谐振的最低频率是当压电层110的厚度d等于整数个半波长λ
z
时(不考虑电极150/170的厚度)；换句话说，当时，其中，n是指示谐振阶数的整数。对于te1模式，如下面进一步讨论的，电极的宽度w和电极之间的间隙g可以被设计为使得形成具有某些横向波长λ
||
的te1模式驻波，te1模式驻波可以通过其消散波尾跨间隙g耦合而形成两种机械共振模式。
51.可以用频散曲线描述lbaw谐振器100的声特性。参照图3，lbaw 100的示例频散曲线示出了根据电压输入频率f的振动的横向波数k
||
，其中，在该图中表示了一阶纵向(厚度延伸te1)振动模式和二阶厚度剪切(ts2)模式，在一阶纵向(厚度延伸te1)振动模式下，压电层的厚度d与电极150或170的组合厚度包含体振动的大致半波长λ
z
/2，在二阶厚度剪切(ts2)模式下，体振动主要垂直于厚度方向(图2b中的z轴)，并且在组合的压电层厚度d和电极150和170的厚度中包含一个声波长λ
z
。te1模式是各频散曲线的较暗部分，而ts2模式是各频散曲线的较亮区域。上部曲线(“无电极”)表示间隙190下方的压电层的分散特性。下部曲线(“电极”)表示也被称为有源区域的电极150/170下方的压电层的分散特性。更
具体地，在“电极”曲线与k＝0相交的情况下，te1模式具有在电极150或170与压电层的组合厚度中包含的大致λ
z
/2。这是近似的，因为波可以延伸到布拉格反射器中。“无电极”曲线与k＝0线的交点表示仅下部电极与压电层的组合厚度中包含大致λ
z
/2的模式。其中te1模式具有随着频率f的增加而增加的k
||
的这种类型的频散被称为1型。电极区域与非电极区域之间的交点k||＝0频率的差异决定了滤波器可实现带宽的硬限制。可以使用间隙宽度g、电极宽度w和延伸部的数量k在通过频散差异设置的限制内改变耦合强度。
52.在一些实施例中，lbaw 100可以被设计为产生1型频散。例如，可以选择其中可以出现1型频散的压电层100的材料。例如，可以使用zno。在另一示例中，声布拉格反射器130的适当设计可以有助于实现1型频散。例如，将氮化铝(“aln”)用于压电层110通常可以产生2型频散，在2型频散中，te1模式表现为非单调性，具有初始地随着频率f增加而减小的k
||
，然后随着频率f增加而增大的k
||
(大致类似于在图3中的频散曲线中描述的，但te1与ts2被互换)。然而，在一些实施例中，利用反射结构130(例如，声布拉格反射器)的适当设计，lbaw 100可以在压电层100中使用aln并仍然实现1型频散。参见例如fattinger等人的“optimization of acoustic dispersion for high performance thin film baw resonators(高性能薄膜baw谐振器的声频散优化)”(proc.ieee international ultrasonics symposium，2005年，第1175
‑
1178页)。
53.在图3中，k
||
的正值表示实波数(传播波)，而负k
||
值对应于虚波数(消散波)。为了引起谐振，声能必须被捕获在lbaw谐振器结构内。在厚度(z轴)方向上，可以使用与衬底的隔离(使用反射结构130)进行能量捕获。在横向方向上，当消散波在电极区域外部(例如，在“无电极”曲线上)形成时，可以出现能量捕获。为了获得lbaw的两个谐振器(例如，电极150/170和120)之间的谐振耦合，在(电极下方的)压电层的有源区域中形成te1模式的驻波，并且在“无电极”区域中形成消散波。换句话说，k
||
对于te1“电极”曲线为正，而对于te1“无电极”曲线为负。根据图3，这在标记的“捕获范围”频率范围内出现。能量捕获在i型频散中更容易实现。不希望受到理论的束缚，如图3中的粗te1线地随着频散曲线单调增加，对于“电极”，在捕获范围中的单个频率处，存在在捕获范围可用或超过捕获范围的单个虚波数或单个实波数。前者意味着te1不在电极外部传播，而后者意味着te1可以耦合到电极外部的传播波，从而“泄漏”。可以用类似的曲线描述2型频散，但te1曲线与ts2曲线被互换。2型曲线是非单调的事实意味着在给定频率下可能存在几个实波数。频率具有多个波数意味着在电极外部有传播波可用，这可以造成“泄漏”。
54.图4a至图4b例示了驻波谐振模式与lbaw带隙之间的关系。参照图4a，lbaw 100的一部分包括具有宽度w(例如，对应于图1a的相应电极150和170的延伸部150a和170a)的两个相邻的电极401和402。lbaw 100的带通频率响应由在结构中引起的两个(或更多个)横向驻波谐振模式410和420形成。当板波从电极401和402的边缘反射时，可以引起横向驻波谐振。在偶数模式谐振410中，两个电极150和170下方的压电层同相地振动，而在奇数模式谐振420中，相位相反。当结构的总宽度大致等于该模式的横向波长λ
||
的一半时，可以引起偶横向驻波谐振：
55.在无限小的间隙宽度g的极限内，λ
even
从下方接近总宽度。如图4a中所示，当g变大时，λ
even
变小，而当g变大时，λ
even
变大。在小间隙(例如，零间隙)的情况下，λ
even
接近4w，而在
大间隙的情况下，λ
even
接近2w。当电极的宽度大致等于该模式的横向波长λ
||
的一半时，可以引起奇横向驻波谐振：
56.参照图4b，对于具有1型频散的lbaw，偶数模式410和奇数模式420被示为根据输入频率f的传输峰值。对于1型频散，与较短波长的奇数模式420相比，偶数模式410具有更长波长且频率更低。模式之间的频率差430确定了lbaw滤波器100可实现的带宽，并取决于结构的声特性以及idt谐振器102的尺寸。可以依据偶(对称)谐振和奇(反对称)谐振之间的(谐振)频率差来
57.定义声耦合强度：其中，f
symm
和f
asymm
分别是对称和反对称本征频率，f0＝(f
symm
+f
asymm
)/2是这两种模式之间的中心频率。
58.在一些实施例中，增加各电极(例如，150和170)中的延伸部(例如，150a和170a)的数量可以增加lbaw中的偶数模式与奇数模式之间的频率差，并因此增加带宽。这种影响可能来自以下事实：奇数模式的横向波长可以取决于电极结构的周期性(例如，宽度w)，而偶数模式可以取决于结构的整个宽度(例如，将所有宽度w和间隙g相加)。例如，如果电极延伸部的总数为k，电极宽度为w并且间隙宽度为g，则在偶数模式谐振频率下的横向声波的波长λ
||
接近或略短于：
[0059][0060]
然而，该结构中的奇横向驻波谐振接近或略大于：
[0061][0062]
另外地或可替换地，在一些实施例中，结构的总宽度k
·
w+k
·
g可以使得被捕获在结构中的最高阶模式是所期望的奇数模式谐振。例如，k可以为31，w可以为3μm，并且g可以为2μm。
[0063]
在一些实施例中，电极延伸部的数量k在2和200之间或者在10和60之间。在一些实施例中，电极延伸部的长度l可以在50μm和2000μm之间或者在70μm和500μm之间。
[0064]
在一些实施例中，间隙g被选定为使电极150和170下方形成的驻波的消散波尾能够耦合。例如，电极延伸部之间的间隙g可以在0.1μm和10μm之间或者在2μm和5μm之间。
[0065]
在一些实施例中，电极150和170的拓扑可以被设计为使得间隙宽度g在电极延伸部之间提供足够的耦合，以跨结构的整个宽度产生单偶数模式410。例如，间隙宽度g可以是消散波声波的衰减长度(即，原始幅度a
o
的幅度在所期望的偶谐振模式下的间隙中的长度a＝a0·
e
‑1)的2％
‑
300％或10％
‑
100％。间隙宽度g可以被优化。将间隙减小至太小的宽度(1)最终可以将偶数模式和奇数模式彼此拉得太远，从而在通带中产生谷值；(2)可以造成针对奇数模式的耦合系数降低；或者(3)可以增加从指到指的电容馈通，从而造成不良的带外衰减。
[0066]
在一些实施例中，可以相对于压电层厚度d来定义间隙宽度g。例如，g可以设计为d的10％至300％或d的25％至150％。
[0067]
在一些实施例中，电极延伸部的宽度w可以在0.1μm和30μm之间或者在2μm和5μm之间。在一些实施例中，w可以被设计为使得获得在所期望的奇数模式谐振频率λ
odd
处的横向声波的波长λ
||
。
[0068]
在一些实施例中，电极宽度w被设计为使得多个半波长不能适合在电极宽度内。例如，w可以被设计为小于所期望的奇谐振模式下(例如，其中，λ
||
＝λ
odd
)的横向声波的波长λ
||
。
[0069]
在一些实施例中，各种lbaw 100部件的厚度可以被选定为实现各种声特性并可以是相互依赖的。例如，可以首先相对于压电材料(λ)中在操作频率f下的声波长来确定压电层110厚度d(最小值和最大值)。在一些实施例中，可以基于压电厚度d的选择来选择其它lbaw 100层的厚度(最小值和最大值)。例如，电极(包括反电极120)与压电层的组合厚度可以被选定为是正用于例如厚度延伸模式下的纵向体波的模式的波长的大致一半。n＝1的基本模式(第一模式，即，一次谐波)可以使得能够有更大的耦合，但n＞1的模式也是可能的。例如，电极150和170、下部电极120和反射结构130的厚度可以被定义为压电层厚度d的百分比。在一些实施例中，一旦选择了所有厚度，就可以调谐诸如数量k、宽度w、间隙g和长度l这样的电极延伸部150a和170a的几何形状，以将lbaw 100的电阻抗与系统阻抗匹配。不希望受到理论的束缚，阻抗匹配可以有助于避免系统中的损耗和反射。
[0070]
在一些实施例中，电极150和170的厚度在d的1％至30％之间或在d的2％至25％之间或在d的3％至15％之间。
[0071]
在一些实施例中，下部电极120的厚度在d的5％至50％之间或在d的10％至30％之间或在d的10％至20％之间。
[0072]
在一些实施例中，在反射结构130是布拉格反射器的情况下，反射器的替代层可以被设计为使得获得所需的通带波长的反射率。例如，各层的厚度可以等于或小于或大于厚度方向上的声波长λ
z
的四分之一，以反映奇te1谐振模式和偶te1谐振模式。在一些实施例中，布拉格反射器中的单层可以是d的15％至80％，或d的20％至70％。
[0073]
由电极150和170的厚度和材料确定的idt 102的质量负荷可以被设计为使得电极区域的te1模式的k
||
＝0频率与外部电极区域的ts2模式之间的频率差小。不希望受到任何特定理论的束缚，当外部区域的ts2模式与电极区域的te1模式之间的频率差小时，捕获范围大。更具体地，外部区域的ts2模式的k
||
＝0频率可以是电极区域的te1截止频率的95％
‑
99％。外部区域的ts2模式与外部区域的te1模式的k
||
＝0频率之间的频率差被设计得大，例如，电极区域的te1模式截止频率的5％
‑
15％，例如，6.5％
‑
7.5％。
[0074]
根据本发明的某些实施例，外部区域的ts2模式的k
||
＝0频率大于或等于电极区域的te1截止频率的98％或在98％和99.5％之间或98.9％。类似地，被表示为电极区域te1与外部区域ts2的k
||
＝0频率之间的频率差的频率距离：应该小，例如，为大约1％的数量级。作为示例，所述频率距离可以在0.2％和2.1％之间或在0.5％和1.8％之间或在0.8％和1.5％之间或例如为1.1％。
[0075]
图5示出了示例性lbaw 100的插入损耗il(以分贝为单位)相对于频率f的曲线。该曲线示出两个通带，其中，峰510对应于te1波而峰520对应于ts2波。如以上讨论的，各通带的宽度由相应类型的波的偶数模式和奇数模式的频率差来确定。这里，ts2模式对应于边带
520a(本文中也被称为“ts2通带”)，并且te1模式对应于通带510a(本文中也被称为“te1通带”)。在一些实施例中，lbaw 100被设计为抑制对应于ts2模式的峰520，同时保持对应于te1模式的峰510的特性。不希望受任何特定理论的束缚，可以选择te1模式操作，因为压电薄膜材料具有在厚度方向上更强的机电耦合。换句话说，te1纵向模式振动在压电层110的整个厚度上更有效地耦合到电激励。
[0076]
在一些实施例中，lbaw 100可以被设计为具有在0.5和10ghz之间或在1和4ghz之间的te1模式的通带。在一些示例中，te1通带在1.8ghz和3.7ghz之间。通带的限制可以纳入设计考虑。例如，装置的尺寸可以变得很大或很小。太大的尺寸可能占用太多的空间并导致效率低下。太小的尺寸可以由于造成电阻和损耗的电极薄且窄而性能劣化。在一些实施例中，lbaw 100可以被设计为具有相对于中心频率为0.5
‑
15％(例如，相对于中心频率为10％或5％或2％或1％)的te1通带宽度510a。在一些实施例中，通带处的插入损耗优于
‑
7db，例如，
‑
7db至
‑
0.5db或
‑
5db至
‑
0.5db。
[0077]
lbaw可用作带通滤波器。lbaw的idt电极可以被设计为将驱动电信号耦合到所期望的基本te1模式。有效耦合导致的通带类似于图5中510a的te1通带。然而，耦合也导致一个或多个类似于边带520a的边带。边带520a可以处于比通带510a低的频率，并可以比通带510a窄。因为lbaw的平行延伸部(例如，延伸部150a和170a)之间的电场，产生了边带520a。延伸部引起压电的厚度方向上的不对称电场，并且该不对称电场耦合到te1模式和ts2模式二者。
[0078]
本公开的实现方式提供了抑制由ts2模式形成的lbaw边带的技术。这些实现方式通过将声谐振器连接到lbaw来抑制边带。声谐振器中的至少一个在边带的带宽内的谐振频率处具有阻抗陷波。如下面进一步详细说明的，阻抗陷波造成在谐振频率处的lbaw的插入损耗增加，并导致边带中的插入损耗整体增加。
[0079]
声谐振器可以与lbaw 100串联或并联地添加。例如，参考图6a至图6b，结构600的截面图和平面图包括连接到谐振器612、613、615和616的lbaw 100。图6c示出了结构600的对应电路图。在结构600中，压电层110是lbaw 100和所有连接的滤波器共有的。从图6b的左侧向右侧移动，并联谐振器612和串联谐振器613位于lbaw 100的输入端口160之前。串联谐振器615和并联谐振器616位于lbaw 100的输出端口180之后。在并联谐振器612、616中，下部电极接地。在串联谐振器613、615中，信号跨压电层110到达下部的未接地电极。
[0080]
可以设计具有一个或多个串联谐振器的实施例，使得串联谐振器的谐振频率落在边带的通带频率之内，并抑制边带。声谐振器(例如，baw/fbar谐振器)在其反谐振频率处具有非常高的阻抗。这样的高阻抗防止驱动电信号经过并减少穿过滤波器的信号传输。因此，可以在lbaw滤波器中串联地添加具有在lbaw滤波器的边带内的一个或多个反谐振频率的谐振器，以减少一个或多个谐振频率(将是与lbaw的并联频率)下的信号传输并抑制lbaw的边带。
[0081]
可以设计具有一个或多个并联谐振器的实施例，使得并联谐振器的谐振频率落在边带的通带频率之内，并抑制边带。声谐振器(例如，baw/fbar谐振器)在其谐振频率处具有非常低的阻抗。这样的低阻抗将驱动电信号分流到地并减少穿过滤波器的信号传输。因此，可以与lbaw滤波器并联地添加具有在lbaw滤波器的边带内的一个或多个谐振频率的谐振器，以减少一个或多个谐振频率(将是与lbaw的串联频率)下的信号传输并抑制lbaw的边
带。通常，可以通过以下方式将一个或多个并联谐振器集成到lbaw滤波器：(i)使用lbaw的输入或输出电极作为并联谐振器(例如，类似于图7a至图7c)，和/或(ii)将一个或多个并联谐振器连接到lbaw滤波器(例如，图9a至图9b)。
[0082]
可以通过选择谐振器的质量负荷来调谐谐振器的频率。可以通过在谐振器的一个或两个电极上施加一个或多个质量负荷层来实现质量负荷。质量负荷层可以由与下面的电极不同或相同的材料构成。在后一种情况中，两个谐振器可以被视为具有不同厚度的电极。
[0083]
可以通过以下方式实现两个谐振器之间的不同质量负荷：i)在一个谐振器的电极上而非在另一个谐振器的电极上施加质量负荷层，ii)在两个谐振器的两个相应电极上施加不同厚度的相同材料，和/或iii)在两个谐振器的两个相应电极上施加不同材料的层。另外，通过使两个谐振器的电极具有不同的厚度，可以实现两个谐振器之间的不同质量负荷。
[0084]
在具有由相同材料构成的质量负荷层的两个谐振器之间，具有较厚质量负荷层的谐振器比具有较薄电极的谐振器具有更大的质量，因此谐振频率更低。因此，可以通过添加或去除谐振器的电极顶部上的负荷来调整谐振频率。
[0085]
并联谐振器(即，与lbaw并联的谐振器)可以被设计为具有在一个或多个将被抑制的边带的频率范围(例如，边带520a的频率范围)内的谐振频率。此外，具有不同谐振频率的多个并联谐振器可以被设计为抑制更宽范围的频率内的边带(与具有相同谐振频率的并联谐振器相比)或抑制多个边带。
[0086]
图7a至图7c例示了包括与lbaw 100并联的声谐振器的示例带通滤波器。图7a至图7c分别例示了带通滤波器700、710和720的俯视图和剖视图。滤波器700、710和720通常可以是相同的，不同之处在于，它们在其并联谐振器(在本文中也被称为“谐振器”)中的一个或多个中的一个或多个质量负荷层方面可以不同。除了所描述的之外，滤波器700、710、720可以与滤波器组件600大体相同。例如，滤波器700、710、720可以可选地省略串联谐振器613、615，尽管这样的串联谐振器仍可以被包括在lbaw滤波器之间。
[0087]
滤波器700包括并联谐振器702、704，滤波器710包括并联谐振器702、712，并且滤波器720包括并联谐振器722、724、726和728。谐振器702、704、712、722、724、726和728中的每个具有谐振器电极(在本文中也被称为“电极”)和谐振器反电极。可以使用谐振器电极和反电极来施加驱动电信号。一个或多个谐振器可以具有与lbaw 100公共的电极(例如，电极150或170)，使得lbaw 100的延伸部从公共电极伸出。谐振器中的一个或多个可以具有与lbaw 100公共的反电极(例如，反电极120)。在一些实施例中，公共反电极连续地跨lbaw和与lbaw共享公共反电极的相应谐振器。在一些示例中，公共反电极接地。并联谐振器702、704、712、722、724、726和728中的每个可以由与lbaw 100相同或不同的材料制成。并联谐振器可以由多晶硅、金属、二氧化硅或氮化硅构成。
[0088]
参照图7a，滤波器700包括分别与lbaw 100的输入电极和输出电极耦合的两个并联谐振器702、704。特别地，各并联谐振器702、704包括一起夹住压电层110的作为谐振器电极以及反电极的相应导电层732、734。各导电层732、734电耦合到相应的输入电极和输出电极的延伸部716。特别地，导电层732、734中的每个可以提供针对相应的输入电极和输出电极的公共电极(例如，图1a中的电极150、170)，相应的延伸部716(例如，延伸部150a、170a)从该公共电极伸出。公共电极是lbaw 100和相应的并联谐振器之间公共的。例如，导电层732、734和lbaw延伸部中的一者或二者可以由压电层的顶表面上的相同电极层的单独部分
提供。并联谐振器702和/或704可以电耦合到lbaw 100的输入和/或输出电极或端口(例如，端口160、180)。谐振器702、704和lbaw 100共享公共反电极120，例如，各谐振器702、704的反电极可以由反电极120的相应部分提供。谐振器702、704和lbaw 100还共享公共压电层110。反电极120可以接地。
[0089]
如先前说明的，可以通过向相应的导电层732、734添加质量负荷或者从相应的导电层732、734去除质量负荷来调谐并联谐振器702和704中的任一者或二者的谐振频率。为了降低谐振器702、704的谐振频率，可以在相应谐振器的导电层732、734的顶部上沉积提供质量负荷的层。为了增加谐振器702、704的谐振频率，可以例如通过蚀刻部分地去除相应谐振器的导电层732、734。
[0090]
图7b例示了具有并联谐振器702和并联谐振器712的带通滤波器710。特别地，两个谐振器702、712的质量负荷是不同的，使得两个谐振器702、704具有不同的谐振频率。两个谐振频率可以在lbaw 100的边带520的频率范围内。
[0091]
并联谐振器712是通过在谐振器704的导电层734(或电极)的顶部上添加质量负荷层708来形成的。在一些实施例中，导电层734由铝(al)或铜(cu)构成，并且层708由氧化硅(sio2)和/或氮化硅(sin)构成。由于添加了质量负荷层708，谐振器712的频率可以低于谐振器704的频率。
[0092]
层708的厚度可以被选定为提供所期望的谐振器712的谐振频率。例如，如果谐振器704的谐振频率原本将高于边带520a的频率范围，则层708的厚度可以被选定为使得谐振频率偏移，以在针对谐振器712的边带520a内提供谐振频率。还可以通过进一步增厚(例如，通过沉积更多材料)或减薄(例如，通过蚀刻)层708来调整厚度。
[0093]
谐振器702可以具有与谐振器712不同的厚度。该厚度差可能是由于两个导电层732、734的厚度不同，或者是由于谐振器712中存在以及谐振器702中不存在的质量负荷层，或者是由于两个导电层732、734上的质量负荷层的不同厚度。
[0094]
谐振器712可以由谐振器702中不包括的一种或更多种材料构成。例如，谐振器702的质量负荷层708电极可以由与导电层732、734的材料(例如，铝、铜等)不同的材料(例如，氧化硅、氮化硅等)构成。
[0095]
层708可以由与导电层734相同或不同的材料构成。例如，导体层734可以由铝(al)构成，并且层708可以由al、氧化硅和/或氮化硅构成。在层708是导体(例如，与导电层734相同的导电材料)的情况下，谐振器712可以被视为具有比谐振器702更厚的电极。
[0096]
尽管图7b例示了通过在谐振器712中包括质量负荷层708而在谐振器702中不包括质量负荷层来实现不同的质量负荷，但其它技术也是可能的。例如，两个谐振器可以包括不同厚度和/或材料的质量负荷层。例如，两个谐振器702、704的质量负荷层可以由相同的但不同厚度的材料构成。作为另一示例，两个谐振器702、704的质量负荷层可以由不同的可选地相同厚度的材料构成。可替换地或另外地，谐振器702的谐振器电极(即，导体层732)的厚度可以不同于谐振器712的电极(即，导电层734)的厚度。
[0097]
如先前所述，具有边带内的不同谐振频率的多个谐振器可以与lbaw并联连接，以抑制lbaw的边带的更宽范围的频率(与具有单个并联谐振器或单个谐振频率的配置相比)。具有不同谐振频率的多个并联谐振器在各谐振频率下将驱动电信号分流到地。例如，当滤波器710的两个谐振器702和712具有落入lbaw 100的边带频率(例如，边带520a)内的不同
谐振频率时，与当两个谐振器具有相同的谐振频率时相比，抑制了更宽范围的频率上的边带。
[0098]
图8描绘了具有两个并联谐振器的lbaw滤波器的插入损耗的实验图线800以及两个并联谐振器的阻抗的模拟图线810。例如，两个谐振器可以是图7c中的谐振器722、728。如图线810中描绘的，两个谐振器具有两个不同的谐振频率804和808。图线800中的实线对应于lbaw的插入损耗。图线800中的虚线描绘了与两个谐振器并联连接的同一lbaw的插入损耗，在图线810中描绘了该两个谐振器的阻抗。例如，图线800中的实线可以表示lbaw 100的插入损耗，并且虚线可以表示与谐振器702和712并联的lbaw 100，如图7b中所示。
[0099]
如图线800中例示的，两个并联谐振器在其谐振频率下的低阻抗减少了通过滤波器的传输，并造成在并联谐振器的谐振频率804和808处有边带520a中的两个谷值802。两个谷值降低了边带的整体插入损耗，还抑制了边带的峰值。两个谐振频率可以具有相对于其中心频率的约0.1％至3％的频率差。这两个谐振频率中的任一个可以具有相对于裙缘806的频率的至少3％(例如，至少10％)的频率差。
[0100]
除了抑制边带以外，还可以在lbaw中添加一个或多个并联谐振器，以更改lbaw的通带边缘的陡度。在通带边缘处具有谐振频率的并联谐振器在边缘处提供陡峭的谷值，并造成te1通带的裙边更陡。关于特定滤波器布置以及对通带边缘的影响的其它细节在美国专利no.9,893,712中公开，该美国专利的全部内容通过引用合并于本文。例如，可以在对应于图8的滤波器中添加第三并联谐振器，以使裙缘806的陡度锐化。作为另一示例，并联谐振器702的谐振频率可以被调谐为裙缘806的频率并使裙缘806的陡度锐化。
[0101]
可以根据本文中描述的技术来实现具有不止两个并联谐振器的配置。图7c描绘了示例带通滤波器720，带通滤波器720包括四个并联的谐振器722、724、726和728。滤波器720的这四个谐振器与lbaw 100并联。与谐振器702、704、712类似，谐振器722
‑
728中的每个包括夹在谐振器电极和谐振器反电极之间的压电层。压电层(例如，压电部110)、反电极(例如，反电极120)和/或谐振器的电极可以是谐振器和lbaw 100之间公共的。
[0102]
谐振器724、726包括可以与lbaw 100的输入电极或输出电极耦合的导电层732、734。谐振器722和728包括在其相应的导电层732、734的顶部上的一个或多个的质量负荷层。谐振器728包括在导电层734的顶部上的质量负荷层708。谐振器722包括在导电层732的顶部上的多个质量负荷层732和738。
[0103]
层732、734、708、736和738可以由相同或不同的材料构成。例如，层732、734可以由al或铜组成，并且层708、736、738可以由氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)和/或一种或更多种金属构成。层732、734、708、736和738可以具有不同的厚度。在一些示例中，导电层732在谐振器722中的厚度可以与在谐振器724中的不同。在一些示例中，导电层734在谐振器726中的厚度可以与在谐振器728中的不同。
[0104]
根据四个并联谐振器722
‑
728的性质(例如，厚度、材料)，带通滤波器720可以作为与四个或少于四个的谐振器并联的lbaw作用于插入损耗。当四个谐振器具有四个不同的谐振频率时，在四个不同的谐振频率下抑制了滤波器720的插入损耗。当谐振器中的两个具有相同的谐振频率时，因为谐振器仅提供三个不同的谐振频率，所以抑制了三个不同频率下的滤波器720的插入损耗。类似地，如果谐振器中的三个或四个具有相同的谐振频率，则对插入损耗的抑制分别仅在两个频率或一个频率下发生。
[0105]
例如，如果谐振器724和726具有相同的谐振频率，则带通滤波器720作为具有三个并联谐振器(a)、(b)和(c)的lbaw作用于插入损耗。并联谐振器(a)由谐振器724和726形成，并联谐振器(b)由谐振器728形成，并且并联谐振器(c)由谐振器722形成。由于两个并联谐振器724和726共享相同的谐振频率，因此它们用作一个谐振器(即，并联谐振器(a))以便抑制边带。例如，如果谐振器724和726具有相同的尺寸(例如，相同的厚度)并由相同的材料构成，则它们可以具有相同的谐振频率。
[0106]
图7a至图7c的层732、734、708、736、738中的每个可以由于lbaw延伸部(例如，延伸部150a或170a)相同或不同的材料制成。在一些实施例中，电极732、734和/或lbaw延伸部由铝(al)构成，并且层708和736由氧化硅(sio2)和/或氮化硅(sin)构成。例如，层708可以由sio2构成并且层736可以由sin构成。在一些示例中，由sio2构成的层小于500nm厚，并且由sin构成的层小于100nm厚。在一些示例中，由sio2构成的层为50至250nm厚，并且由sin构成的层为5
‑
50nm厚。
[0107]
在一些实施例中，一个或多个谐振器电极是相应谐振器的最上层。例如，可以使用层708作为谐振器712的电极。
[0108]
图9a至图9b描绘了通过一个或多个连接件集成到lbaw滤波器的示例谐振器。图9a中描绘的滤波器900通常可以是滤波器700、710或720中的任一个，不同的是它具有与lbaw 100并联的附加谐振器914、916。谐振器914和916分别包括分别通过公共边缘910和912连接到电极908的电极904和906。电极908可以是lbaw 100的电极，或者可以是与lbaw 100并联的一个或多个谐振器(例如，谐振器702、704、712、722、724、726、728)的电极。谐振器914和916可以电耦合到lbaw 100的输入电极或输出电极，或者电耦合到与lbaw 100并联的一个或多个谐振器的电极。例如，电极908可以是导电层734，并且可以通过共享公共边缘912而电耦合到谐振器电极906。谐振器914和916与lbaw 100共享公共反电极120(参见图1a)。谐振器914和916也可以与lbaw 100共享公共压电层110。反电极120可以接地。在图9a中还描绘了接地通孔(或接触件)902。
[0109]
一个或多个并联谐振器还可以通过一根或更多根导线连接到lbaw或一个或多个其它并联谐振器。图9b描绘了将第一并联谐振器932连接到第二并联谐振器934的导线936。第一并联谐振器932具有第一电极942，并且第二并联谐振器具有第二电极944。第一电极942具有面对lbaw滤波器100的第一边缘922、更远离lbaw滤波器的第二边缘924以及连接第一边缘和第二边缘的第三边缘。第二电极944可以连接到第一电极942的任一侧、边缘或拐角。在所描绘的示例中，第二电极944与第一电极942的第三边缘926相邻地设置。在一些示例(未示出)中，第二电极944可以与第一电极942的第二边缘924相邻地设置。在所描绘的示例中，在第一电极942和第二电极944之间存在间隙；并且，间隙是由导线936桥接的。在一些实施例中，第一电极和第二电极共享公共边缘(类似于图9a中的电极908和904之间的公共边缘910)。第一并联谐振器932和第二并联谐振器934例如通过共享公共边缘或导线而通过第一电极942和第二电极944电耦合。
[0110]
第一并联谐振器932和/或第二并联谐振器934的电极可以负载有一个或多个质量负荷层(例如，层708、736、738)。一个或多个质量负荷层可以被选定为使得相应并联谐振器的谐振频率落入lbaw 100的边带内。第一电极942、第二电极944和/或导线936的尺寸(例如，厚度)可以被调整，以调谐lbaw 100的边带中的相应谐振器的谐振频率。
[0111]
图10描绘了包括与多个谐振器并联的lbaw 100的滤波器1000的另一示例。在图10中还描绘了接地通孔1002。
[0112]
谐振器1004、1006、1008和1010与lbaw 100并联。谐振器与lbaw 100共享反电极120(参见图1a)。反电极120可以接地。谐振器1004和1006共享导电电极层1018，并且谐振器1008和1010共享导电电极层1026。层1018和1026中的任一者或二者可以与lbaw 100的输入电极和/或输出电极电耦合。在一些示例中，层1018和1026中的一者或二者可以提供lbaw和一个或多个谐振器之间公共的电极。lbaw 100的延伸部从公共电极伸出。层1018和1026中的每个都可以由金属(例如，al)构成。
[0113]
谐振器1004包括在导电电极层1018的顶部上的质量负荷层1016。层1016覆盖层1018的一部分。层1016可以覆盖谐振器1004内的电极层1018的基本上全部。
[0114]
谐振器1006包括在电极层1018的顶部上的质量负荷层1014。层1014可以是框架(例如，与由壁包围的区域相比相对薄的壁)的形式。框架可以形成中空多边形。框架可以沿着谐振器1006的周边延伸。例如，在图9b中，框架938形成(例如，通过沉积或蚀刻)在电极932的顶部上，并可以提供框架形状的谐振器。关于框架形状的谐振器的更多细节可以见于名称为“resonator structure and a filter comprising such a resonator structure(谐振器结构和包括这种谐振器结构的滤波器)”的pct申请no.pct/fi00/00591中，其全部内容通过引用并入本文。
[0115]
谐振器1008包括在电极层1026的顶部上的质量负荷层1020。类似于层1014，层1020可以是框架的形式。
[0116]
谐振器1010包括在层电极1026的顶部上的两个质量负荷层1022和1024。质量负荷层1022和1024中的每个可以覆盖谐振器1010内的电极层1026的基本上全部。层1022可以覆盖层1024的全部或部分表面。
[0117]
质量负荷层1014、1016、1020、1022和1024(各自也可以称为“负荷”)中的每个可以由金属或半导体材料构成。在示例滤波器1000中，层1014、1016、1020和1024由sio2构成，并且层1022由sin构成。在一些实施例中，sio2层的厚度小于500nm，并且sin层的厚度小于100nm。例如，sio2层的厚度可以为50至250nm，并且sin层的厚度可以为5至50nm。
[0118]
在具有多个并联谐振器的实施例中，谐振器中的两个或更多个可以具有相同形状的电极，或者可以具有不同形状(或尺寸)的电极。例如，图7a中的导电层732可以是圆形的，并且导电层734可以是矩形的。谐振器(例如，谐振器的电极中的一者或二者)也可以具有梯度厚度，以在频率范围内延伸分流效应。
[0119]
也可以通过调整谐振器的横向形状来调谐谐振器的谐振频率。较大的谐振器(例如，具有大电极表面的谐振器)在其谐振频率处具有较低的电阻，并提供较强的分流效果。因此，为了具有强的分流效果，具有高q(尖锐响应峰值和低电阻)的大谐振器可以是抑制lbaw边带所期望的谐振器。
[0120]
如果谐振器的宽度(例如，谐振器电极的宽度)比阈值宽度窄，则其谐振频率开始取决于谐振器的宽度。对于这种窄谐振器，谐振频率取决于谐振器的宽度，并且谐振器越窄，其谐振频率变得越高(假定2型频散，即，频率随着横向波长的减小而增加)。
[0121]
谐振器可以具有诸如圆形、矩形、环形等之类的任何形状。例如，lbaw的电极可以是环形的形式并形成环形形状的并联谐振器。窄的环形谐振器的阻抗可以在不止一个谐振
频率处达到峰值，从而在比单谐振频率谐振器(例如，矩形谐振器)更宽的频率范围内抑制了插入损耗。应该注意，在决定了谐振器的形式时，应该考虑谐振频率和谐振器在该谐振频率处的电阻。例如，与矩形谐振器相比，环形谐振器可以具有多个谐振频率，但在各谐振频率处有更高的谐振，从而导致在谐振频率处有更温和的分流效果。
[0122]
已经描述了多种实现方式。但是，应当理解，可在不脱离本公开的精神和范围的情况下进行各种修改。因此，其它实现方式在随附权利要求书的范围内。
[0123]
要求保护权利要求。