用于存储器操作的事件计数器的制作方法

1.本发明大体上涉及电子设备，且更特定来说，本发明涉及用于存储器操作的事件计数器。


背景技术：

2.电子系统(例如存储器系统)可经历数个事件，例如电压变化、切换事件及其类似者。例如，总线(例如存储器系统的数据总线)的在线的电压可改变。寄存器(例如存储器系统的数据寄存器)的电压可由于寄存器中的数据值改变而改变。在一些实例中，存储器系统可经历与感测(例如，读取)经编程为特定状态的存储器单元相关联的切换事件。
3.存储器系统可实施于电子系统(例如计算机、蜂窝式电话、手持式电子装置等等)中。一些存储器系统(例如固态硬盘(ssd)、嵌入式多媒体控制器(emmc)装置、通用快闪存储(ufs)装置及其类似者)可包含用于存储来自主机的主机(例如用户)数据的非易失性存储存储器。非易失性存储存储器通过在未经供电时保存所存储的数据来提供持久数据，且可包含nand(“与非”)闪存、nor(“或非”)闪存、只读存储器(rom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、可擦除可编程rom(eprom)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(pcram)、三维交叉点存储器(例如3d xpoint)、电阻随机存取存储器(rram)、铁电随机存取存储器(feram)、磁阻随机存取存储器(mram)及可编程导电存储器)及其它类型的存储器。
4.存储器单元可布置成阵列架构，且具有一组寄存器的缓冲器可耦合到阵列，使得数据可从阵列读取到寄存器以随后传输到主机或主机数据可接收于寄存器处且随后写入(例如编程)到阵列。
5.存储器单元可编程为对应于一或多个数据单元(例如位)的数个不同数据状态。作为实例，一些存储器单元(例如一些电阻可变存储器单元)可经编程为对应于低阈值电压(vt)状态的低电阻状态或对应于高vt状态的高电阻状态。在一些实例中，低电阻状态中的电阻可变单元可称作处于对应于设置vt分布(例如，经编码为逻辑1)的设置状态中，且高电阻状态中的电阻可变单元可称作处于对应于复位vt分布(例如，经编码为逻辑0)的复位状态中。
6.可通过(例如)响应于施加感测电压(其可称为读取电压或定界电压)到存储器单元(例如，跨存储器单元)而确定单元是否改变其电阻状态(例如，经历切换事件)来感测单元的状态。例如，具有小于感测电压的vt的存储器单元可经历切换事件，而具有大于感测电压的vt的存储器单元可不经历切换事件。因而，感测电压可经选择为大于对应于设置vt分布的vt且小于对应于复位vt分布的vt，使得设置状态中的存储器单元响应于感应电压而经历切换事件。
附图说明
7.图1说明根据本发明的数个实施例的计数器。
8.图2说明根据本发明的数个实施例的另一计数器。
9.图3a到3c说明根据本发明的数个实施例的对应于计数器的特定操作阶段的计数器的各种配置。
10.图4说明根据本发明的数个实施例的对应于计数器的操作的各种波形。
11.图5说明根据本发明的数个实施例的存储器单元阵列的一部分。
12.图6是根据本发明的数个实施例的设备的框图。
具体实施方式
13.本发明是针对可用于确定何时达到电子系统(例如存储器及存储器系统)中的事件的阈值数量的计数器的技术改进。例如，事件的阈值数量可对应于数据模式中1的特定数目，其可对应于数据模式的特定权重。
14.在实例中，计数器可具有数个感测组件。每一相应感测组件可经配置以感测相应事件且可包含相应第一电容器，相应第一电容器经配置以响应于相应感测组件感测到相应事件而选择性耦合到第二电容器。第二电容器可经配置以由选择性耦合到第二电容器的每一相应第一电容器充电到一电压。计数器可具有比较器，其具有耦合到第二电容器的第一输入及耦合到对应于事件的阈值数量的参考电压的第二输入。比较器可经配置以响应于第二电容器的电压大于或等于参考电压而输出指示感测到阈值数量事件的信号。
15.在一些实例中，计数器可有利地感测数个并发独立事件。可被感测的事件可包含与使用感测电压来感测设置状态中的电阻可变存储器单元(例如3d xpoint存储器)相关联的切换事件、与切换电路耦合到具有特定值的静态电压相关联的切换事件、与改变一组数据寄存器中的数据值相关联的事件等等。
16.在一些实例中，事件的阈值数量可为响应于增大感测电压(例如增大感测电压斜坡)用于感测存储器单元群组而经历切换事件的存储器单元群组中的存储器单元的数量的一半。例如，使切换事件发生于一半单元的最高感测电压可对应于单元群组的vt分布的中位值。
17.图1说明根据本发明的数个实施例的计数器100，例如事件计数器。例如，计数器100可用于计数切换事件，例如本文中所论述的各种切换。
18.在一些实例中，计数器100的输入102
‑
1到102
‑
n可分别接收电压信号104
‑
1到104
‑
n。例如，相应电压信号104
‑
1到104
‑
n中的每一者可最初处于对应于逻辑低(例如逻辑0)的电压vlow(例如零(0)伏特)。接着，相应电压信号104可响应于切换事件而转到对应于逻辑高(例如逻辑1)的电压vhigh(例如电源供应电压vcc)。例如，响应于电阻可变存储器单元(例如，在设置状态中)响应于感测电压经施加到存储器单元而经历切换事件，相应信号104可转到vhigh。当存储器单元(例如，在复位状态中)不响应于感测电压经施加到存储器单元而经历切换事件时，相应信号104可保持于vlow处。例如，电压vhigh可指示切换事件，且电压vlow可指示无切换事件。
19.计数器100包含数个感测组件106，例如分别具有输入102
‑
1到102
‑
n的感测组件106
‑
1到106
‑
n。相应感测组件106
‑
1到106
‑
n中的每一者包含晶体管108(例如p沟道晶体管)及晶体管109(例如n沟道晶体管)。相应输入102
‑
1到102
‑
n中的每一者耦合到相应感测组件106
‑
1到106
‑
n中的每一者的晶体管108及109。感测组件106
‑
1到106
‑
n中的每一者还包含具有电容ca的电容器110。
20.每一相应感测组件106的电容器110耦合到相应感测组件106的晶体管108及109。例如，电容器110可耦合于接地(0伏特)与晶体管108及109之间。晶体管108耦合于充电电压(其可为vcc)与电容器110之间。例如，可响应于vlow而激活(例如，接通)晶体管108以将vcc选择性耦合到电容器110以将电容器110充电到vcc。例如，电容器110可耦合到vcc，只要相应输入102处的电压是vlow。
21.感测组件106
‑
1到106
‑
n分别可耦合到并联耦合到节点113的分支111
‑
1到111
‑
n。计数器100包含比较器112，其具有耦合到节点113的输入114及经耦合以接收参考电压vref的输入116，参考电压vref对应于由阈值数量个感测组件106分别独立感测的阈值数量个事件。比较器112可比较vref与节点113上的电压vcount，电压vcount对应于分别独立感测独立事件的数个感测组件106。例如，比较器112可响应于vcount大于或等于vref而输出指示由计数器100感测到阈值数量个事件的电压vout。
22.相应感测组件106的晶体管109经配置以响应于相应电压信号104转到vhigh而将相应感测组件106选择性耦合到相应分支111。晶体管109可在电压信号104处于vlow时被撤销激活(例如，关断)，且可响应于vhigh而激活以将相应感测组件106选择性耦合到相应分支111。例如，晶体管109可响应于vhigh而将相应感测组件106的电容器110与分支111中的每一者(例如所有)选择性并联耦合。应注意，晶体管108可响应于vhigh而关断。
23.具有电容cw的相应电容器115可耦合于接地与分支111
‑
1到111
‑
n中的相应者之间。n个电容器115并联耦合到节点113且可最初经放电到接地。尽管在图1的实例中，电容器115耦合到分支111
‑
1到111
‑
n中的每一者，但电容器115可耦合至少于n个分支。例如，电容器115一般可耦合到分支111
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1到111
‑
m中的m者，使得总计m个电容器115并联耦合到节点113。例如，m可为从(1)到n的任何整数。例如，可在节点113与接地之间耦合单一电容器115。
24.晶体管116(例如n沟道晶体管)可耦合于节点113与接地之间。例如，晶体管116可经激活以最初将节点113及电容器115放电到接地。随后，可在节点113及电容器115放电到接地之后撤销激活晶体管116。
25.在一些实例中，可响应于相应感测组件106感测到事件(例如，当撤销激活晶体管116时)而将每一相应感测组件106的电容器110与所有m个最初放电的电容器115选择性并联耦合。例如，可响应于晶体管接收到vhigh而将相应感测组件106的电容器110与所有m个电容器115选择性并联耦合。在一些实例中，每一相应感测组件106的电容器110可与耦合于节点113与接地之间的单一电容器115选择性并联耦合。
26.当感测组件106
‑
1到106
‑
n的子集(例如k个感测组件106
‑
1到106
‑
k)感测到事件时，感测组件106
‑
1到106
‑
k的k个电容器110与m个电容器115并联耦合。因而，k个电容器110可对m个经放电电容器115充电，直到k个电容器110及m个电容器115达到等于vcount的平衡电压。例如，k个电容器110可从vcc放电到m个电容器115中，直到达到vcount。
27.因此，分支111
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1到111
‑
n中的每一者及因此节点113可达到vcount＝(vcc)(kca)/(kca+mcw)＝vcc/(1+mr/k)，其中r＝cw/ca，在cw＝ca时得出vcc/(1+m/k)。
28.vref可为串联耦合的电容器119(具有电容c)与电容器120(具有电容αc)之间的节点118处的电压。例如，电容器119可耦合于节点118与等于用于对电容器110充电的充电电压的电压(例如vcc)之间，且电容器120可耦合于节点118与接地之间。因而，电容器119及120可串联耦合于vcc与接地之间。例如，vref＝vcc/(1+α)。
29.每一感测组件可感测一个事件，使得其采用感测组件106的阈值数量kth来感测事件的阈值数量kth。因此，对于kth个事件，vcountth＝vcc/(1+mr/kth)＝vcc/(1+α)，其中α＝mr/kth。此允许根据电容器的特定数目m、事件的特定阈值数量kth及特定比率r＝cw/ca来指定α及因此vref。应注意，计数器100可感测并发事件，例如由一个以上感测组件106同时感测的事件。
30.计数器100的导线及晶体管108及109可引入寄生电容。在一些实例中，这些寄生电容可包含于电容cw及/或ca中。
31.图2说明根据本发明的数个实施例的计数器225，例如事件计数器。例如，计数器225可用于计数切换事件，例如本文中所论述的各种切换。
32.在一些实例中，计数器225的输入202
‑
1到202
‑
n可分别接收电压信号204
‑
1到204
‑
n。相应电压信号204
‑
1到204
‑
n中的每一者可如先前结合图1针对电压信号104
‑
1到104
‑
n所描述。例如，相应电压信号204
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1到204
‑
n中的每一者可最初处于电压vlow(例如零(0)伏特)。接着，相应电压信号204可响应于切换事件而转到电压vhigh(例如vcc)。
33.计数器225包含数个感测组件226，例如分别具有输入202
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1到202
‑
n的感测组件226
‑
1到226
‑
n。感测组件226
‑
1到226
‑
n分别耦合到可为p沟道晶体管的晶体管228
‑
1到228
‑
n。例如，晶体管228
‑
1到228
‑
n可并联耦合到节点229，节点229耦合到具有电容ce的电容器232的端子230，使得晶体管228
‑
1到228
‑
n并联耦合到端子230。
34.晶体管228
‑
1到228
‑
n经配置以将感测组件226
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1到226
‑
n分别选择性耦合到节点229且因此耦合到电容器230的端子230。开关234(例如开关sw5)经配置以(例如)将节点229及因此端子230选择性耦合到接地。例如，开关sw5可响应于控制信号由开关sw5接收而打开及闭合以分别选择性将节点229耦合到接地及使节点229与接地解耦。在一些实例中，电容器232的端子233可耦合到接地。
35.计数器225包含比较器212，其具有耦合到节点229的输入236及经耦合以接收参考电压vref的输入238，参考电压vref对应于由阈值数量个感测组件226分别独立感测的阈值数量个事件。比较器212可响应于数个感测组件226分别独立感测到独立事件而比较vref与节点229上的电压ve，电压ve对应于选择性放置电容器232的电荷。例如，由相应感测组件226感测到事件所致的电荷可累加于节点229上且可将电容器ce充电到电压ve。比较器212可响应于ve大于或等于vref而输出指示由计数器225感测到阈值数量个事件的电压vout。
36.感测组件226
‑
1到226
‑
n中的每一者包含具有电容cb的电容器245。感测组件226
‑
1到226
‑
n中的每一者包含开关247，例如开关sw1。开关sw1可经配置以将相应感测组件226的电容器245的端子248选择性耦合到充电电压，例如vcc+ov，“ov”是可为(例如)约100毫伏特的过电压。例如，开关sw1可响应于控制信号由开关sw1接收而打开及闭合以分别选择性将充电电压耦合到端子248及使充电电压与端子248解耦。
37.感测组件226
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1到226
‑
n中的每一者包含开关250，例如开关sw2。例如，开关sw2可经配置以响应于事件而将相应感测组件226的电容器245的端子252选择性耦合到相应输入202。例如，开关sw2可响应于相应电压信号204转到vhigh而闭合以将端子252选择性耦合到输入202且可响应于电压信号204转到vlow而打开以使端子252与输入202选择性解耦。
38.感测组件226
‑
1到226
‑
n中的每一者包含开关255，例如开关sw3。例如，开关sw3可经配置以将相应感测组件226的电容器245的端子252选择性耦合到电压，例如接地。例如，
开关sw3可响应于相应电压信号204转到vlow而闭合以将端子252选择性耦合到接地且可响应于电压信号204转到vhigh而打开以使端子252与接地选择性解耦。
39.感测组件226
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1到226
‑
n中的每一者包含开关260，例如开关sw4。例如，开关sw4可经配置以将相应感测组件226的电容器245的端子248选择性耦合到相应晶体管228，例如相应晶体管228的源极/漏极(例如源极)262。例如，开关sw4可响应于控制信号由开关sw4接收而打开及闭合以分别选择性将端子248耦合到源极262及使端子248与源极262解耦。相应晶体管228
‑
1到228
‑
n中的每一者的源极/漏极(例如漏极)264耦合到节点229。应注意，相应感测组件226的开关sw4及相应晶体管228经配置以将相应感测组件226的电容器245的端子248选择性耦合到节点229且因此耦合到电容器232。
40.电容器265可耦合于(例如)接地与相应晶体管228
‑
1到228
‑
n中的每一者之间。例如，电容器265可经充电到偏压电压vbias，使得相应晶体管228
‑
1到228
‑
n经偏压到vbias。
41.vbias可为约vcc减去晶体管228
‑
1到228
‑
n的vt。在计数器225的操作条件(例如操作温度)范围内，晶体管228
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1到228
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n的vt可小于vcc且小于漏极264的电压。在一些实例中，过电压ov可补偿晶体管228
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1到228
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n的vt的失配。应注意，计数器225可感测并发事件，例如由一个以上感测组件226同时感测的事件。
42.图3a到3c说明根据本发明的数个实施例的对应于计数器325的特定操作阶段的计数器325的各种配置。图4说明根据本发明的数个实施例的对应于计数器325的操作的各种波形。
43.图3a说明根据本发明的数个实施例的经选择性配置以初始化感测组件326
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1到326
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n的计数器325。在图3a中，例如，响应于每一相应感测组件326的开关sw1将vcc+ov选择性耦合到电容器345的端子348，同时开关sw3将电容器345的端子352选择性耦合到接地，同时开关sw5将节点329、电容器332的端子330及比较器312的输入336选择性耦合到接地，同时开关sw2及sw4打开，且同时输入302
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1到302
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n中的每一者处的电压处于vlow，将相应感测组件326
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1到326
‑
n中的每一者的电容器345预充电到充电电压，例如vcc+ov。
44.图4说明相应感测组件326
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1到326
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n中的每一者的电容器345的端子348处的电压信号qv1的波形。例如，在时间t1，每一相应感测组件326的开关sw1及开关sw5可同时闭合。闭合开关sw1引起qv1的电压从0伏特增大到vcc+ov。此将电容器345充电到vcc+ov(例如，vcc+ov横跨电容器345)。例如，在图3a中，通过将相应感测组件326
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1到326
‑
n中的每一者的电容器345充电到vcc+ov来初始化相应感测组件326
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1到326
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n中的每一者。
45.图3b说明根据本发明的数个实施例的经选择性配置以初始化计数器325的晶体管328
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1到328
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n的计数器325。例如，在图3b中，晶体管328
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1到328
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n处于相同导电状态(例如非导电状态)中，使得晶体管328
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1到328
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n关断。在图3b中，开关sw1打开且使相应感测组件326
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1到326
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n中的每一者的电容器345的端子348与充电电压vcc+ov解耦，同时开关sw4闭合以将相应感测组件326
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1到326
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n中的每一者的电容器345的端子348处的电压信号qv1选择性耦合到相应晶体管328
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1到328
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n中的每一者的源极362。开关sw2保持打开，且开关sw3及sw5保持闭合。
46.图4说明相应晶体管328
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1到328
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n中的每一者的源极362处的电压信号qv2的波形。例如，在时间t2，每一相应感测组件326的开关sw4闭合以将qv2选择性耦合到qv1。将qv2选择性耦合到qv1且因此将电容器345的端子348选择性耦合到相应晶体管328的源极362引
起电压信号qv2的电压从0伏特转到vcc+ov。此引起相应晶体管328
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1到328
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n导通且电流从相应感测组件326
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1到326
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n中的每一者的电容器345经由节点329流动到接地。
47.例如，电容器345从vcc+ov到vbias+vt放电到节点329中，vbias是晶体管328
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1到328
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n的栅极上的电压且vt是相应晶体管328的阈值电压。例如，电压信号qv1及qv2的电压从vcc+ov减小到vbias+vt，如图4中所展示。相应晶体管328可响应于qv2达到vbias+vt而关断且因此处于相同非导电状态中。
48.应注意，相应晶体管328的vt可不同，使得相应晶体管328
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1到328
‑
n中的每一者的源极362上的vbias+vt可不同。在一些实例中，流动通过相应晶体管328的电流可随着电容器345放电而变得相等。
49.图3c说明根据本发明的数个实施例的感测操作期间的计数器325。在图3c中，n个感测组件326
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1到326
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n中的每一者在感测引起相应输入302
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1到302
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n中的每一者处的电压从vlow转到vcc的独立事件。
50.响应于vcc，每一相应感测组件326的开关sw3打开以使每一相应感测组件326的电容器345的端子352与接地选择性解耦，且每一相应感测组件326的开关sw2在时间t3闭合以将每一相应感测组件326的电容器345的端子352选择性耦合到vcc，同时开关sw1保持打开。应注意，可在qv2达到vbias+vt之后打开开关sw5，使得节点329、比较器312的输入336及电容器332的端子330耦合到晶体管328
‑
1到328
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n的漏极364。
51.从时间t3开始，电压信号qv1及qv2响应于开关sw2将vcc选择性耦合到电容器345的端子352而从vbias+vt增大到vcc+vbias+vt，如图4中所展示。例如，跨电容器345的电压可保持为vbias+vt。响应于vcc+vbias+vt而激活每一相应晶体管328，使得节点329、比较器312的输入336及电容器332的端子330通过相应感测组件326的开关s4及相应经激活晶体管328来选择性耦合到每一相应感测组件326的电容器345的端子348。
52.响应于激活每一相应晶体管328，每一相应感测组件326的电容器345放电到节点329中且因此放电到电容器332中。如图4中所展示，每一电容器345放电，直到电压信号qv1及qv2的电压减小vcc而返回到vbias+vt，在所述电压处撤销激活相应晶体管328。因而，在放电期间将cbvcc量的电荷从每一电容器345转移到电容器332。
53.电容器332的端子330上的电压信号qve响应于电荷从每一电容器345转移而从0伏特转到电压ve(如图4中所展示)，使得电容器332经充电到电压ve。经转移到电容器的电荷是ceve且等于来自电容器345的电荷cbvcc的总和。例如，针对分别感测n个独立事件的n个感测组件，电荷cbvcc的总和是ncbvcc。
54.应注意，可由k个感测组件分别独立感测少于n个独立事件，例如k个独立事件，在所述情况中，k个电荷的总和是kcbvcc，且因此将kcbvcc的电荷转移到电容器332以产生电容器332的电荷ceve。例如，ceve＝kcbvcc以得出ve＝(kcbvcc)/ce。应注意，ve与k成正比，且ve是k的线性函数。这是电荷cbvcc从k个感测组件中的每一者转移到电容器332的结果。例如，每一感测事件引起相同量的电荷转移到电容器332，且因此可使电容器332上的电荷增加相同量。此至少部分归因于先前结合图3b所描述的晶体管228的初始化。
55.每一感测组件326可感测一个事件，使得其采用感测组件326的阈值数量kth来感测事件的阈值数量kth。例如，vref可对应于由感测组件326的kth者感测的事件的阈值数量kth。因此，vref＝veth＝(kthcbvcc)/ce。例如，如图4中所展示，响应于ve大于或等于vref，
比较器312的输出处的电压信号qvout可从0伏特转到vout。
56.应注意，响应于每一感测事件的电压阶跃是δve＝(vcccb/ce)。例如，cb/ce可经选择以得出较大δve。从vref＝(kthcbvcc)/ce得出cb/ce＝vref/kthvcc。然而，vref应小于vcc。在一些实例中，vref可为vcc
‑
vm以得出cb/ce＝(vcc
‑
vm)/kthvcc。例如，电压vm可提供电压容限，其可用作防止饱和效应，所述饱和效应可用于在高k值于特定位准时更改ve对k的相依性。
57.在一些实例中，vref可经选择为介于对应于阈值数量kth处的ve的电压(veth＝(kthcbvcc)/ce)与对应于kth
‑
1(比kth小1个计数)处的ve的电压(veth＝[(kth
‑
1)cbvcc]/ce)之间，例如其之间的中间值。例如，vref可为[(kth
‑
(1/2))cbvcc]/ce，使得在事件数目达到kth之前，ve不超过vref。
[0058]
计数器325的导线及晶体管328可引入寄生电容。在一些实例中，这些寄生电容可包含于电容cb及/或ce中。
[0059]
图5说明根据本发明的数个实施例的电阻可变存储器单元552的阵列550的一部分。在一些实例中，阵列550可为3d xpoint阵列的阶层，3d xpoint阵列可包含此类阶层的堆叠。
[0060]
阵列550包含电阻可变存储器单元552
‑
1到552
‑
n的相应群组，其共同耦合到可称为字线的存取线554
‑
1到554
‑
l中的每一者。相应存储器单元552
‑
1到552
‑
n分别耦合到可称为位线的相应数据线556
‑
1到556
‑
n。例如，存储器单元552存在于每一数据线与存取线交叉处。感测放大器558
‑
1到558
‑
n分别耦合到数据线556
‑
1到556
‑
n。感测放大器558
‑
1到558
‑
n可分别耦合到计数器100的输入102
‑
1到102
‑
n、计数器225的输入202
‑
1到202
‑
n或计数器325的输入302
‑
1到302
‑
n。
[0061]
在一些实例中，每一群组的存储器单元552
‑
1到552
‑
n可存储数据模式，例如0及1的模式。可通过将读取电压vread施加到存取线554
‑
1同时将可为0伏特的电压施加到数据线556
‑
1到556
‑
n以跨存储器单元552
‑
1到552
‑
n产生电压vread减去0伏特来读取数据模式，例如存储于耦合到存取线554
‑
1的存储器单元552
‑
1到552
‑
n的群组中的数据模式。在一些实例中，vread可为斜升电压。
[0062]
在一些实例中，存储1的存储器单元552
‑
1到552
‑
n的群组的存储器单元可响应于vread而经历切换事件(其可引起对应感测放大器从vlow转到vhigh)，而存储0的存储器单元552
‑
1到552
‑
n的群组的存储器单元可不响应于vread而经历切换事件。应注意，例如，归因于单元间变化，并非所有存储1的单元均同时经历切换事件，例如，vt的变化导致相应单元在斜升电压vread期间的不同时间切换。通过感测切换事件，计数器100、225及325可确定切换事件的数量及因此数据模式中1的的数量是否大于或等于阈值数量kth。
[0063]
数据模式中1的数量可称为数据模式的权重，例如汉明(hamming)权重。例如，kth可对应于所读取的数据模式的权重，且计数器100、225及325可确定数据模式是否具有特定权重。因而，计数器100、225及325可称为衡重器。
[0064]
图6是根据本发明的数个实施例的呈运算系统660的形式的设备的框图。运算系统660包含存储器系统662，其可为(例如)存储系统，例如ssd、ufs装置、emmc装置等等。然而，实施例不受限于特定类型的存储器系统。例如，存储器系统622可用作系统660的主存储器。
[0065]
如图6中所展示，存储器系统662可包含控制器663，其可称为存储器系统控制器，
因为控制器663可控制存储器664。控制器663耦合到主机665及存储器664。例如，存储器664可包含数个存储器装置(例如裸片、芯片等等)且可用作存储器(例如主存储器)及/或运算系统660的存储容量。
[0066]
存储器664可经由接口666(例如存储器接口)耦合到控制器663，接口666可包含数据总线且可支持各种标准及/或符合各种接口类型，例如双倍数据速率(ddr)等等。控制器663可从主机665接收命令，例如读取及写入命令。控制器663可(例如)从主机665经由主机接口667接收写入到存储器664的主机数据。如本文中所使用，存储器系统662、控制器663、存储器664、控制器672或计数器680还可被单独视作“设备”。
[0067]
主机665可为(例如)主机系统，例如个人膝上型计算机、桌上型计算机、数字相机、移动装置(例如蜂窝式电话)、网络服务器、物联网(iot)启用装置或存储器卡读取器及各种其它类型的主机。例如，主机665可包含能够通过可包含总线的接口667来存取存储器664(例如，经由控制器663)的一或多个处理器。接口667可为标准化接口，例如串行先进技术附件(sata)、外围组件互连快速(pcie)或通用串行总线(usb)及各种其它接口。
[0068]
存储器664可包含数个存储器阵列650(例如，统称为阵列650)及可称为嵌入式控制器的控制器672。在一些实例中，阵列650可包含2d及/或3d阵列结构，例如交叉点(例如3d xpoint)阵列结构。阵列650可包含(例如)非易失性电阻可变存储器单元，例如采用3d xpoint技术的非易失性电阻可变存储器单元。例如，阵列650可为阵列550。
[0069]
控制器672可位于存储器664内部，且可从控制器663经由存储器接口666接收命令(例如写入命令、读取命令等等)。控制器662可包含状态机及/或序列发生器。控制器672可经配置以控制存储器664的操作。数据缓冲器674可耦合到阵列650。例如，数据可从阵列650读取到缓冲器674中，或主机数据可从控制器663接收于缓冲器674处且随后写入到阵列650。
[0070]
存储器664可包含可为计数器100、225或325的计数器680。计数器680可感测发生于存储器664中的数个事件。例如，计数器680可确定阵列650中的存储器单元群组的阈值数量个存储器单元是否响应于读取电压而经历切换事件且因此确定存储于存储器单元群组中的数据模式是否具有特定权重。
[0071]
在一些实例中，计数器680的输入可分别耦合到数据总线的导线。例如，计数器680的相应输入可耦合到缓冲器674的一组寄存器675
‑
1到675
‑
n的相应寄存器，使得计数器680可感测与在读操作期间从阵列650或在写入操作期间从主机接收寄存器组中的数据模式相关联的切换事件。在一些实例中，寄存器675
‑
1到675
‑
n可分别耦合到计数器680的输入。在一些实例中，寄存器组可最初存储全0模式，且计数器680可感测对应于寄存器的切换事件，寄存器的值由于在读取或写入期间在寄存器组处接收数据模式而变成1。因此，计数器680可确定缓冲器674处所接收的数据模式是否具有阈值数量个1且因此确定数据模式是否具有特定权重。
[0072]
在一些实例中，计数器680的每一相应输入可包含相应切换电路，其可响应于耦合到静态电压(例如vhigh)而经历切换事件且响应于耦合到不同静态电压(例如vlow)而不经历切换事件。接着，计数器680可感测由切换电路经历的切换事件。
[0073]
在一些实例中，相应输入可以对应于由相应寄存器(例如缓冲器674的寄存器)存储的数据值的静态电压耦合到相应寄存器。例如，vhigh可对应于逻辑1，且vlow可对应于逻
辑0。接着，计数器680可感测对应于寄存器存储逻辑1的切换事件。因而，计数器680可确定由寄存器存储的数据模式是否具有阈值数量个1且因此确定数据模式是否具有特定权重。
[0074]
在以上详细描述中，参考构成本发明的一部分的附图且附图中以说明方式展示特定实例。在图式中，相同元件符号描述所有若干视图中的大体上类似组件。可在不背离本发明的范围的情况下利用其它实例且作出结构、逻辑及/或电改变。
[0075]
本文中的图遵循编号惯例，其中首位或前几位数字对应于图式图号且剩余数字识别图式中的元件或组件。可通过使用类似数字来识别不同图之间的类似元件或组件。例如，202可指代图2中的元件“02”且图3a到3c中的类似元件可称为302。应了解，可添加、交换及/或消除本文各种实施例中所展示的元件以提供本发明的数个额外实施例。另外，应了解，图中所提供元件的比例及相对尺度希望说明本发明的实施例且不应被视为意在限制。
[0076]
如本文中所使用，“数个”或“一定数量个”某物可指代一或多个此类事物。例如，数个或一定数量个存储器单元可指代一或多个存储器单元。多个某物意指两个或更多个。如本文中所使用，同时执行的多个动作是指在特定时段内至少部分重迭的动作。如本文中所使用，术语“耦合”可包含无介入元件(例如，通过直接物理接触)的电耦合、直接耦合及/或直接连接、具有介入元件之间接耦合及/或连接或无线耦合。术语“耦合”可进一步包含彼此配合或相互作用(例如，成因果关系)的两个或更多个元件。
[0077]
尽管已在本文中说明及描述特定实例，但所属领域的一般技术人员应了解，经计算以实现相同结果的布置可取代所展示的特定实施例。本发明希望涵盖本发明的一或多个实施例的调适或变化。应了解，已以说明性方式而非限制性方式进行以上描述。应参考所附权利要求书及此类权利要求书所授权的等效物的全范围来确定本发明的一或多个实例的范围。