不良发光二极管去除装置的制作方法

本发明涉及不良发光二极管去除装置，更详细地，涉及可以执行在发光二极管修理工序中必须包括的不良发光二极管的去除工序的不良发光二极管去除装置。

背景技术：

发光二极管(lightemittingdiode)由电子多的n型半导体与空穴多的p型半导体相接而成，若向上述半导体施加顺方向电压，则电子和空穴将会进行移动来在接合部再结合，这种再结合能量变成光并被释放。

发光二极管具有低的消耗电力、长的寿命、高效率、极小的尺寸、瞬间点亮、大的工作温度范围、高的耐冲击及耐振动特性、不发生紫外线及红外线、在没有滤波器的情况下体现高的色彩度、不发生水银等的固有优点，并且，在生产方面，与以往的液晶显示器、有机发光二极管显示器(display)相比，结构方面得到很多简化。

以往，这种发光二极管仅用成分辨率并不高的户外广告牌或照明，通过工序技术及超精密装置可以生产极小的迷你(mini)或微米(micro)单位的超小型发光二极管芯片(chip)，改善了质量问题且比以往使用的液晶显示器或有机发光二极管显示器具有更多优点，从而，除显示器之外，开发了更多应用产品。

虽然超小型发光二极管与有机发光二极管类似，却使用无机质材料，且由于是自发光器件，因此，无需额外的背面光或液晶层、偏光板。并且，光变换效率高，从而，对于低电力显示器的使用可能性高，与有机发光二极管的有机成分或传统液晶显示器的液晶层相比，无需担心老化(burn-in)现象。并且，画面的转换速度也比以往的液晶显示器、有机发光二极管显示器卓越，小尺寸与超高分辨率、超高速转换速度相结合的超小型发光二极管适合于vr及ar耳机。

但是，即使存在上述优点，作为现有技术，如以往显示器尺寸，为了生产多种产品而需要花费比以往显示器更昂贵的费用。这是因为大量生产的工序或工厂尚未最优化。

在发光二极管板发生不良发光二极管的情况下，为了对其进行修理(repair)而必须伴随去除相应不良发光二极管的工序。

但是，在以往的去除方法中，当进行不良发光二极管去除工序时，将热风用为加热源，由此，除不良发光二极管之外，热损伤还施加到样品发光二极管及印刷电路板(pcb，printedcircuitboard)等不必要的部分，从而引发追加工序质量问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于，提供如下的不良发光二极管去除装置，即，将激光使用为加热源，由此，可以缩减工序时间以及将热损伤最小化。

并且，本发明的再一目的在于，提供如下的不良发光二极管去除装置，即，在激光照射部与发光二极管去除部之间设置具有柔韧性的连接管，由此，当发光二极管去除部的位置变动时，可以维持密封状态。

并且，本发明的另一目的在于，提供如下的不良发光二极管去除装置，即，可利用图像传感器来整列激光照射部和发光二极管去除部。

本发明的不良发光二极管去除装置用于在配置于发光二极管基板的多个发光二极管中去除不良发光二极管，上述不良发光二极管去除装置可包括：主载物台，用于设置上述发光二极管基板；激光照射部，用于向存在于上述发光二极管基板的不良发光二极管照射激光；发光二极管去除部，位于上述发光二极管基板与上述激光照射部之间，用于吸附去除通过上述激光加热的不良发光二极管；以及连接管，连接在上述激光照射部与上述发光二极管去除部之间，用于密封上述激照射部与上述发光二极管去除部之间的空间，具有柔韧性。

并且，本发明的特征在于，上述发光二极管去除部可包括：本体部，包括上端开口部及下端开口部；以及吸附喷嘴，与上述本体部的下端开口部相连接来吸附上述不良发光二极管，通过上述激光照射部照射的激光通过上述连接管的内部、上述本体部的上端开口部、下端开口部、吸附喷嘴到达上述不良发光二极管。

并且，上述发光二极管去除部还可包括透过部，上述透过部由上述激光能够透过的物质形成，位于上述上端开口部。

并且，本发明的特征在于，上述不良发光二极管去除装置还可包括图像传感器，上述图像传感器位于上述发光二极管去除部的下侧，用于整列上述激光照射部和上述发光二极管去除部，上述发光二极管去除部为了与上述激光照射部整列而移动。

并且，本发明的特征在于，上述图像传感器可位于上述主载物台或者位于额外的独立空间。

并且，本发明的特征在于，上述不良发光二极管去除装置还可包括一对基板支撑部，上述一对基板支撑部形成于上述主载物台，用于放置上述发光二极管基板，在上述基板支撑部设置用于检测是否放置有上述发光二极管基板的基板检测传感器。

并且，本发明的特征在于，上述一对基板支撑部的间隔可根据上述发光二极管基板的尺寸改变，设置有用于吸附固定所放置的发光二极管基板的吸附孔。

并且，本发明还可包括用于测定上述不良发光二极管的高度的高度测定传感器。

并且，本发明还可包括排气罩，上述排气罩用于捕集当进行上述不良发光二极管的去除工序时所产生的气体及粉尘来排出。

并且，本发明还可包括用于调节上述发光二极管去除部的位置的位置调节部。

根据本发明，本发明可提供如下的不良发光二极管去除装置，即，将激光使用为加热源，由此，可以缩减工序时间以及将热损伤最小化。

并且，根据本发明，本发明可提供如下的不良发光二极管去除装置，即，在激光照射部与发光二极管去除部之间设置具有柔韧性的连接管，由此，当发光二极管去除部的位置变动时，可以维持密封状态。

并且，根据本发明，本发明可提供如下的不良发光二极管去除装置，即，可利用图像传感器来整列激光照射部和发光二极管去除部。

附图说明

图1为示出本发明一实施例的发光二极管基板的图。

图2为示出本发明一实施例的不良发光二极管去除装置的图。

图3为示出本发明一实施例的激光照射部、连接管及发光二极管去除部的图。

图4为示出图3的剖面的图。

图5为示出本发明另一实施例的发光二极管去除部的图。

图6为示出本发明一实施例的主载物台及基板支撑部的图。

图7为示出本发明一实施例的激光照射区域和吸附区域的图。

图8为示出本发明一实施例的位置调节部的图。

图9为示出本发明另一实施例的不良发光二极管去除装置的图。

图10为示出本发明另一实施例的发光二极管去除部的图。

图11为示出本发明又一实施例的不良发光二极管去除装置的图。

具体实施方式

以下，在图中例示与本发明有关的实施例并通过详细的说明对其进行具体说明。但是，本发明并不局限于以下揭示的实施例，而是可以体现为多种不同形态，且包括在本发明的思想及技术范围中的所有变更、等同技术方案或代替技术方案。

在说明本发明的结构要素的过程中，可以使用第一、第二、a、b、(a)、(b)等的术语。这种术语仅用于区分两种结构要素，对应结构要素的本质或顺次或顺序等并不局限于这种术语。并且，在本说明书中，在记载为一个结构要素与其他结构要素“连接”、“结合”或“联接”的情况下，这种结构要素与其他结构要素直接连接或联接，也可以在各个结构要素之间“连接”、“结合”或“联接”其他结构要素。在“连接”、“结合”或“联接”的情况下，可以为物理“连接”、“结合”或“联接”，根据需要，也可以为电“连接”、“结合”或“联接”。

在本说明书中记载的“-部(单元)、“-器”、“件”、“-模块”等的术语意味着处理至少一个功能的单位，这可以体现为硬件、软件或硬件及软件的结合。并且，只要没有特殊相反的记载，则在本说明书中记载的“包括”、“构成”或“具有”等的术语可以内置对应结构要素，因此，并非排除其他结构要素，而是可以包括其他结构要素。

而且，对于在本说明书中的结构部的区分只不过是按各个结构部所担当的主要功能区分。即，以下说明的2个以上的结构部合并为一个结构部或者一个结构部按更加细分的功能分为2个以上。而且，以下说明的结构部除自己担当的主要功能之外还可以追加执行其他结构部担当的功能中的一部分或全部功能，结构部所担当的主要功能中的一部分功能也可以由其他结构部负责执行。

以下，参照与本发明的实施例有关的图，说明本发明实施例的不良发光二极管去除装置。

图1为示出本发明一实施例的发光二极管基板的图。

参照图1，在发光二极管基板50可配置多个发光二极管51。多个发光二极管51分别体现为芯片(chip)形态，可通过导电性焊接材料52附着于发光二极管基板50。

导电性焊接材料52可由具有导电性的焊接材料形成，例如，可以将各向异性导电膜(acf，anisotropicallyconductivefilm)、各向异性导电胶(aca，anisotropicallyconductiveadhesive)、焊料(solder)、糊剂(paste)、树脂(resin)等用为导电性焊接材料52。

在此情况下，可通过额外的工序，在多个发光二极管51中的一部分可以被检测为不良发光二极管54，为了对发生不良的发光二极管基板50进行修理而需要必须伴随去除相应不良发光二极管54的工序。

例如，与正常发光二极管相比，不良发光二极管54有可能具有异常亮度。在此情况下，异常亮度可以为低于基准亮度的亮度，也包括发光二极管不发光而呈现出暗点的情况。

图2为示出本发明一实施例的不良发光二极管去除装置的图。图3为示出本发明一实施例的激光照射部、连接管及发光二极管去除部的图。图4为示出图3的剖面的图。

不良发光二极管去除装置100用于去除在配置于发光二极管基板50的多个发光二极管51中的不良发光二极管54。

参照图2至图4，本发明一实施例的不良发光二极管去除装置100可包括主载物台110、激光照射部120、发光二极管去除部130、连接管150、高度测定传感器160、图像传感器201、202及排气罩210。

主载物台110可设置于第一本体部101，以便可以沿着第一方向(例如，x轴方向)及第二方向(例如，y轴方向)移动，并且，可在维持水平状态的情况下进行旋转。

在上述主载物台110上可设置发光二极管基板50。

例如，发光二极管基板50可通过额外的移送机器人(未图示)等从执行不良发光二极管54的检测的额外的检查装置(未图示)被移送到不良发光二极管去除装置100的主载物台110。

并且，在主载物台110上可形成用于帮助发光二极管基板50的放置及固定的一对基板支撑部121、122。

基板支撑部121、122以规定距离隔开而成，以使发光二极管基板50的两末端可分别放置及固定。

若发光二极管基板50位于主载物台110，则激光照射部120可以向存在于发光二极管基板50的不良发光二极管54照射激光。

在此情况下，从激光照射部120发生的激光通过位于下侧的连接管150及发光二极管去除部130向不良发光二极管54的上部面入射。

由此，不良发光二极管54可通过激光的热能被加热，位于不良发光二极管54的下侧的导电性焊接材料52可通过从不良发光二极管54传递的热量熔融。即，不良发光二极管54的导电性焊接材料52通过基于激光照射部120的加热工序处于消除固化的状态，因此，发光二极管去除部130可轻松去除不良发光二极管54。

根据介质，激光的种类可分为固体(红宝石激光(rubylaser、nd：yag激光、ti：sapphire激光及光纤维激光灯)、气体(碳酸气体激光、氦氖激光、氩离子激光、准分子激光等)、其他(色素激光、自由电子激光)，根据振荡种类，可分为连续波激光、脉冲波激光。并且，根据波长的种类、可分为可视光线、紫外线、红外线及x射线。

在基于激光照射部120的加热工序中，根据对象的特性及必要能量的量，可选择具有特定波长范围及能量的激光来使用。

并且，激光照射部120可包括发生激光的光源，还可包括用于向不良发生区域局部照射在上述光源中发生的激光的光学头部。在光学头部的情况下，根据不良发生区域或产品的形状、工序的特殊性，可以将激光束(laserbeam)的形状变形成圆形或矩形等多种形状，由此，可以防止不必要的部分受损，将能量的使用极大化并提高工序效率。并且，根据不良发生区域、产品的形状或工序的特殊性，光学头部可设置一个或多个来与多种工序条件对应。

发光二极管去除部130位于发光二极管基板50与激光照射部120之间，从而可以吸附并去除通过激光照射部120的激光加热的不良发光二极管54。

例如，发光二极管去除部130可利用从检查装置接收的不良发光二极管54的位置信息来把握不良发光二极管54的位置，由此，可以向不良发光二极管54的上侧移动。并且，发光二极管去除部130向不良发光二极管54侧下降来与不良发光二极管54的上部面相接触，并可以向不良发光二极管54提供吸附力。之后，发光二极管去除部130在吸附不良发光二极管54的状态下上升，由此，可以从发光二极管基板50去除上述不良发光二极管54。

这种发光二极管去除部130可包括本体部131及吸附喷嘴132。

本体部131可呈包括端开口部310和下端开口部320的桶形状。

在本体部131形成真空配管133，从而可以形成用于向吸附喷嘴132赋予吸附力的真空压。并且，在本体部131可追加形成用于去除真空的额外的配管，真空的去除或吹扫(pudge)可以使用阀开闭方式或压缩空气方式。

另一方面，在发光二极管去除部130中所使用的真空压可通过中央吸尘系统(housevacuum)或真空发生器(vacuumejector)体现。

吸附喷嘴132可以与本体部131的下端开口部320相连接来具有基于真空的吸附力，由此可以吸附不良发光二极管54。

吸附喷嘴132的形状及大小可根据产品的形状、激光束的形状等改变，可以具有用于避免与激光发生干扰的结构。

作为一例，从激光照射部120提供的激光通过本体部131的上端开口部310、内部空间330及下端开口部320，并经过吸附喷嘴132的内部最终到达不良发光二极管54。

连接管150可以与激光照射部120和发光二极管去除部130之间连接来对激光照射部120与发光二极管去除部130之间的空间进行密封。

即，在激光照射部120与发光二极管去除部130之间不具有连接管150的情况下，不会实现发光二极管去除部130的真空状态，因此，为了正常的发光二极管去除部130的驱动，优选地，需要设置用于对激光照射部120与发光二极管去除部130之间的空间进行密封的连接管150。

并且，发光二极管去除部130为了与激光照射部120的整列(alignment)而可以微细调节位置，优选地，连接管150具有柔韧性(flexibility)。

作为一例，连接管150可以由合成树脂或金属(metal)材质形成，并且，可体现为具有皱纹的皱纹管形态或风箱(bellows)形态。

因此，从激光照射部120提供的激光可通过连接管150的内部来向发光二极管去除部130提供，如上所述，对应激光可通过发光二极管去除部130到达不良发光二极管54。

激光照射部120和发光二极管去除部130可设置于第二本体部102，以可向第一方向(例如，x轴方向)及第三方向(例如，z轴方向)移动，以便可以向发光二极管基板50上移动来执行对应工序。

例如，在第二本体部102可设置能够沿着第一方向移动的第一移动部104，第一移动部104可以与第一连接部106相结合。并且，在第一连接部106可设置能够沿着第三方向移动的第二移动部108，在上述第二移动部108可设置激光照射部120和发光二极管去除部130。

在激光照射部120与第二移动部108之间可设置用于固定设置激光照射部120的第一托架220。

并且，在发光二极管去除部130与位置调节部250之间可设置第二托架230。

位置调节部250可用于调节发光二极管去除部130的位置，作为一例，可以执行第一方向(例如，x轴方向)、第二方向(例如，y轴方向)及旋转移动。

第二托架230可以与位置调节部250的移动对应地移动，由此，发光二极管去除部130的位置得到调节。

例如，位置调节部250可设置于第一托架220和/或第二移动部108。

高度测定传感器106可用于测定发光二极管基板50和/或不良发光二极管54的高度。

在激光照射部120的情况下，向不良发光二极管54的上侧移动来照射激光，由此可以执行加热工序。在此情况下，在基于激光照射部120的加热工序中，激光照射部120与不良发光二极管54之间的垂直距离极为重要。只有准确控制激光照射部120与不良发光二极管54之间的垂直距离，才可以防止除不良发光二极管54之外的其他发光二极管51受损。

为此，高度测定传感器160可以测定不良发光二极管54的高度，激光照射部120可以在位于从通过高度测定传感器160测定的不良发光二极管54的高度相隔已设定的基准距离的位置的状态下执行加热动作。

并且，发光二极管去除部130也可以参照通过高度测定传感器160测定的不良发光二极管54的高度来下降，由此可以准确地吸附不良发光二极管54。

并且，上述高度测定传感器160可设置于第二本体部102，以向第一方向(例如，x轴方向)及第三方向(例如，z轴方向)移动，以便高度测定传感器160向发光二极管基板50上移动来测定发光二极管基板50的高度。在此情况下，高度测定传感器160的设置方式可以与激光照射部120及发光二极管去除部130相同。

高度测定传感器160可通过能够测定距离的多种方式体现，例如，可使用如红外线等的光学方式、超声波方式等，可使用通常的距离测定传感器或高度测定传感器等。

另一方面，不良发光二极管去除装置100还可包括排气罩210，排气罩210通过捕集当进行不良发光二极管54的去除工序时所产生的气体及粉尘来排出。

排气罩210可覆盖激光照射部120、连接管150及发光二极管去除部130的至少一部分，可以包括用于排出气体及粉尘等的排气配管220。

图5为示出本发明另一实施例的发光二极管去除部的图。

参照图5，本发明另一实施例的发光二极管去除部130还可追加包括透过部340。

透过部340可设置于本体部131的上端开口部310来执行对上端开口部310的密封。

只是，优选地，在此情况下，从激光照射部120释放的激光需要透过透过部340到达不良发光二极管54，因此，上述透过部340由激光可透过的物质形成。

例如，透过部340可以由玻璃或石英(quartz)材质形成，但并不局限于此。即，透过部340可以由激光可透过的具有规定的透明度的多种材质形成。

在发光二极管去除部130追加包括透过部340的情况下，可具有与连接管150一同双重密封的效果，根据需要，可以省略连接管150的设置，从而可将不良发光二极管去除装置100的结构更加简化。

图6为示出本发明一实施例的主载物台及基板支撑部的图。

参照图6，基板支撑部121、122可具有根据发光二极管基板50的大小改变基板支撑部121、122之间的间隔d的结构，以可放置多种大小的发光二极管基板50。

例如，随着在基板支撑部121、122中的至少一个进行移动，上述间隔d可以改变。

并且，在基板支撑部121、122的各个上端部可追加设置用于检测是否放置有发光二极管基板50的基板检测传感器123及用于吸附固定发光二极管基板50的吸附孔125。

即，不良发光二极管去除装置100可通过基板检测传感器123检测在基板支撑部121、122上是否存在发光二极管基板50，在检测到发光二极管基板50的情况下，可通过吸附孔125吸入空气来吸附固定发光二极管基板50。

在基板检测传感器123的情况下，可设置于一对基板支撑部121、122或者仅设置于一对基板支撑部121、122中的一个。

并且，基板检测传感器123可通过多种方式体现，可使用机械方式、光学方式、声波方式、电磁方式等，可使用通常的接近传感器或接触传感器等。

优选地，在吸附孔125的情况下，为了全部固定发光二极管基板50的两端而设置于基板支撑部121、122，根据发光二极管基板50的大小，在基板支撑部121、122可形成多个吸附孔125。

并且，在不良发光二极管去除装置100可设置用于通过吸附孔125吸入空气的额外的空气泵或真空泵。

图7为示出本发明一实施例的激光照射区域和吸附区域的图。图8为示出本发明一实施例的位置调节部的图。

参照图7，通过激光照射部120释放的激光可向不良发光二极管54的激光照射区域r1照射。

在此情况下，激光照射区域r1的形态可以呈圆形(参照图7的(a)部分)或矩形(参照图7的(b)部分)。

发光二极管去除部130的吸附喷嘴132可以向不良发光二极管54的吸附区域r2提供规定的吸附力。在此情况下，吸附区域r2的形态可以根据吸附喷嘴132的末端形状不同地体现，可以呈圆形(参照图7的(a)部分)或矩形(图7的(b)部分)等多种形状。

并且，与激光照射区域r1相比，吸附区域r2的尺寸更大。

通过激光弱化导电性焊接材料52的粘结力之后，再次复原的时间相当短，因此，同时进行激光照射工序和发光二极管去除工序来更加稳定地去除不良发光二极管54。

另一方面，激光照射区域r1与吸附区域r2的中心相同，从而可以提高不良发光二极管去除工序的准确度。

为此，优选地，进行用于激光照射部120和发光二极管去除部130的整列的对准工序，用于对应工序的至少一个图像传感器201、202可设置于发光二极管去除部130的下侧。

例如，第一图像传感器201可设置于主载物台110上，在发光二极管基板50不位于主载物台110的状态下拍摄发光二极管去除部130的吸附喷嘴132，由此，可以检测从激光照射部120释放的激光是否位于吸附喷嘴132的中心。

并且，第二图像传感器202可设置于额外的独立空间，而并非设置于主载物台110，在激光照射部120和发光二极管去除部130向第二图像传感器202的上侧移动的状态下拍摄发光二极管去除部130的吸附喷嘴132，由此，可检测从激光照射部120释放的激光是否位于吸附喷嘴132的中心。

可通过图像传感器201、202测定激光的中心与吸附喷嘴132的中心之间的误差，因此，不良发光二极管去除装置100为了去除对应误差而可通过控制位置调节部250的移动量来调节发光二极管去除部130的位置。

图2中，为了说明的便利，同时显示了2个图像传感器201、202，第一图像传感器201和第二图像传感器202并非必须设置，根据需要，仅可以设置一个图像传感器。

如上所述，位置调节部250可以调节发光二极管去除部130的位置。参照图8，位置调节部250可体现为精密驱动载物台。

精密驱动载物台250为对引线框(leadframe)、掩膜(mask)、半导体电路等的半导体部件和光学设备、电器、电子设备、各种机械要素精密地微细调节倾斜角度或移动位置来确定位置的装置。

例如，精密驱动载物台250可包括：第一载物台251，可以沿着第一方向(例如，x轴方向)移动；第二载物台252，可沿着第二方向(例如，y轴方向)移动；以及可旋转的旋转部253。

与发光二极管去除部130相连接的第二托架230可通过这种精密驱动载物台250向第一方向、第二方向及旋转移动，由此，可以精密地调节发光二极管去除部130的位置。

图9为示出本发明另一实施例的不良发光二极管去除装置的图。图10为示出本发明另一实施例的发光二极管去除部的图。

以下，说明本发明实施例的不良发光二极管去除装置100'，以与上述实施例不同的结构为中心进行说明。

参照图9及图10，本发明另一实施例的不良发光二极管去除装置100'可包括夹子(gripper)方式的发光二极管去除部500。

发光二极管去除部500可包括体部510和指状部520。在此情况下，主体部510可以与位置调节部450相连接，位置调节部450可固定设置于第三托架430。

第三托架430可以具有从第二移动部108向下侧方向倾斜的形态并延伸，在上述第三托架430的末端部可设置位置调节部450。

位置调节部450用于调节发光二极管去除部500的位置，可具有与上述说明的位置调节部250相同的功能及结构。

主体部510可以与位置调节部450相连接，并可执行对指状部520进行支撑的本体的作用。

在本实施例中，第三托架430、位置调节部450及主体部510呈倾斜的形态，并且，从主体部510延伸的指状部520也可呈倾斜的形态。

指状部520执行夹住(clamping)不良发光二极管54来举起的作用，一对指状部520分别紧贴于不良发光二极管54的两侧。

若向不良发光二极管54上的激光照射区域r1照射激光而导致不良发光二极管54的导电性焊接材料52的粘结力弱化，则发光二极管去除部500通过指状部520把持不良发光二极管54，在把持不良发光二极管54的状态下将会上升，由此，可以从发光二极管基板50去除不良发光二极管54。

并且，指状部520可分别由第一指状部521和第二指状部522形成，上述第一指状部521和第二指状部522具有不同宽度。

第一指状部521为与不良发光二极管54相接触的部分，其宽度d1可小于配置于发光二极管基板50的发光二极管51的间隔，第二指状部522为用于对第一指状部521进行支撑的部分，其宽度d2大于第一指状部521的宽度。

虽然省略了额外的图示，在本实施例中，也可以设置排气罩210，通过捕集当进行不良发光二极管54的去除工序时所产生的气体及粉尘来排出。

图11为示出本发明又一实施例的不良发光二极管去除装置的图。

参照图11，在本发明又一实施例的不良发光二极管去除装置100”中，第三托架430'可以从第二移动部108沿着水平方向延伸。由此，位置调节部450'和发光二极管去除部500'的主体部510'也可以沿着水平方向设置。

并且，第二指状部522'也可以从主体部510'沿着水平方向延伸，第一指状部521'可以从第二指状部522'沿着下侧方向延伸。

由此，发光二极管去除部500通过在不良发光二极管54的两侧沿着水平方向配置的一对第一指状部521'对不良发光二极管54进行把持，且在把持不良发光二极管54的状态下上升，由此，可以从发光二极管基板50去除不良发光二极管54。

在本实施例中，第一指状部521'和第二指状部522'的宽度可不同，作为一例，第一指状部521'的宽度小于配置于发光二极管基板50的发光二极管51的间隔，第二指状部522的宽度可大于第一指状部521'的宽度。

在上述说明的实施例中，在第一托架220和第三托架430、430'中的一个或全部可以上下移动，在此情况下，可以调节激光照射部120与发光二极管去除部500、500'的位置，从而可以一直稳定地进行工序。

本发明所属技术领域的普通技术人员在不变更技术思想或必要特征的情况下可将本发明实施成其他具体形态。因此，以上记述的实施例在所有方面均是例示性实施例，而并非用于限定本发明。本发明的范围通过后述的发明要求保护范围体现，而并非通过上述详细说明体现，发明要求保护范围的含义及范围以及从其等同概念导出的所有变更或变形的形态属于本发明的范围。