1.一种装置，包括：
放大器，具有预定义的线性范围；以及
偏置网络，被连接到所述放大器的输入，其中所述偏置网络包括线性化器电路，所述线性化器电路被配置为基于参考偏置电流生成偏置信号，以提供增益扩展并且将所述放大器的线性度扩展到所述预定义的线性范围之外。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述放大器和所述偏置网络使用砷化镓(gaas)赝高电子迁移率晶体管(phemt)技术来实现。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述放大器和所述偏置网络被实现为一个或多个单片微波集成电路(mmic)。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述偏置网络还包括：
栅极偏置电路，被配置为响应于所述参考偏置电流而生成栅极偏置信号，并将所述栅极偏置信号呈现给所述线性化器电路；以及
电流镜电路，被配置为将来自所述栅极偏置电路的第一电流与来自所述线性化器电路的第二电流进行镜像。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述电流镜电路还被配置为用于失配减少。
6.根据权利要求4所述的装置，其中所述偏置网络还包括偏置电流温度补偿电路，所述偏置电流温度补偿电路被配置为：(i)接收所述参考偏置电流；(ii)响应于所述参考偏置电流而生成第一温度补偿参考电流和第二温度补偿参考电流，其中所述第一温度补偿参考电流被呈现给所述栅极偏置电路的输入，并且所述第二温度补偿参考电流被呈现给所述线性化器电路的输入。
7.根据权利要求6所述的装置，其中所述偏置电流温度补偿电路包括多个pn结二极管。
8.根据权利要求6所述的装置，其中所述偏置网络还包括待机控制电路，所述待机控制电路被配置为在待机模式下关断所述偏置网络的所述参考偏置电流，并将来自所述线性化器电路的所述偏置信号连结到电路接地电位。
9.根据权利要求1所述的装置，其中所述线性化器电路包括增强模式赝高电子迁移率晶体管，所述增强模式赝高电子迁移率晶体管通过被连接在所述增强模式赝高电子迁移率晶体管的栅极端子与电路接地电位之间的堆叠式金属-绝缘体-金属电容器而被配置作为公共栅极放大器。
10.根据权利要求1所述的装置，其中所述偏置电路还包括偏置电流设置电路，所述偏置电流设置电路被配置为确定所述偏置网络的所述参考偏置电流。
11.根据权利要求10所述的装置，其中所述偏置电流设置电路包括集成电阻器，所述集成电阻器被配置为响应于温度变化而改变所述参考偏置电流。
12.根据权利要求11所述的装置，其中所述集成电阻器包括负温度系数电阻器。
13.根据权利要求1所述的装置，其中所述放大器包括以下各项中的至少一项：射频放大器、低噪声放大器、驱动器放大器和功率放大器。
14.根据权利要求1所述的装置，其中所述偏置网络还包括被连接在所述线性化器电路的输出与所述放大器的所述输入之间的感测增益调整电路，并且所述感测增益调整电路被配置为调整所述线性化器电路的公共栅极放大器的增益。
15.根据权利要求14所述的装置，其中所述感测增益调整电路包括电阻器，所述电阻器提供所述线性化器电路的所述公共栅极放大器的感测增益调整。
16.一种扩展放大器增益线性度的方法，包括：
将偏置网络耦合到放大器的输入，其中所述放大器具有预定义的线性范围，所述偏置网络包括线性化器电路，所述线性化器电路被配置为基于参考偏置电流生成放大器偏置信号，以提供增益扩展并且将所述放大器的线性度扩展到所述预定义的线性范围之外，并且所述放大器和所述偏置网络通过砷化镓(gaas)赝高电子迁移率晶体管(phemt)技术来实现。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
生成所述参考偏置电流；
响应于通过栅极偏置电路的、所述参考偏置电流的第一部分，生成栅极偏置信号；
响应于所述栅极偏置信号和通过所述线性化器电路的、所述参考偏置电流的第二部分，生成所述放大器偏置信号；以及
对通过所述栅极偏置电路的、所述参考偏置电流的所述第一部分和通过所述线性化器电路的、所述参考偏置电流的所述第二部分进行镜像。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括：
通过使所述参考偏置电流的所述第一部分通过第一pn结二极管、并使所述参考偏置电流的所述第二部分通过第二pn结二极管，来补偿所述参考偏置电流以用于高温变化。
19.根据权利要求16所述的方法，其中所述线性化器电路包括：增强模式赝高电子迁移率晶体管，被配置作为公共栅极放大器；以及堆叠式金属-绝缘体-金属电容器，被连接在所述增强模式赝高电子迁移率晶体管的栅极端子与电路接地电位之间。
20.根据权利要求16所述的方法，还包括通过以下操作实现待机模式：
响应于第一控制信号来切换所述参考偏置电流；以及
响应于第二控制信号，将所述放大器偏置信号设置为电路接地电位。