本发明涉及射线源技术领域,特别是涉及一种x射线源。
背景技术:
1895年,德国科学家伦琴(wilhelmk.
x射线源分为普通x射线管和基于加速器的x射线源。基于加速器的x射线源产生方式有两种,电子束打靶和同步辐射。电子束打靶产生x射线的原理同普通x光管相同,都是电子束和物质相互作用产生的韧致辐射。加速器系统用以产生打靶所需的电子束。电子束打靶产生的x射线脉冲长度和电子束脉冲长度相同。常规的常温射频加速器系统无法提供长脉冲宽度(微秒到毫秒,甚至几百毫秒或者连续时间状态)的电子束,同理基于该方案x射线源也无法提供相同长时间脉冲宽度的x射线。
针对上述问题,特提出本发明。
技术实现要素:
本发明的目的是提供一种x射线源,该x射线源克服了现有x射线源无法提供长脉冲的x射线的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种x射线源,包括用于产生长脉冲低能电子束的电子源、用于加速低能电子束的超导直线加速器以及用于通过电子束作用产生x射线的x射线靶,所述电子源通过第一束流传输线与超导直线加速器连接,所述超导直线加速器通过第二束流传输线与x射线靶连接。
优选的,所述电子源产生的长脉冲低能电子束的时间长度可调,调节范围为10微秒到1秒。
优选的,所述电子源包括驱动激光器、光阴极和阳极,所述驱动激光器发出激光入射到所述光阴极上产生电子,所述光阴极和阳极之间的引出电场将电子束团引出所述光阴极入射到第一束流传输线中。
优选的,所述驱动激光器发出的激光为脉冲长度可调节激光,以实现电子源产生电子束的脉冲时间长度可调,所述驱动激光器通过调整电压信号的长度来调节激光脉冲的长度。
优选的,所述电子源为由直流高压电子枪形成的直流高压电子源或由射频电子枪形成的射频电子源,所述直流高压电子源形成的引出电场为静态高压电场,所述射频电子源形成的引出电场为射频电磁场。
优选的,所述电子源产生的低能电子束的横向发射度低于10mm*mrad。
优选的,所述超导直线加速器包括沿着轴线分布的射频谐振腔,所述射频谐振腔由射频功率源驱动。
优选的,所述射频谐振腔置于4k或2k的低温环境中。
优选的,所述x射线靶包含高原子序数材料。与现有技术相比,本发明的有益效果如下:
本发明提供了一种x射线源,该x射线源可以提供长脉冲宽度的x射线,并且该x射线源可以通过调节电子束脉冲的长度来控制x射线的脉冲时间长度。
附图说明
为了更清楚地说明本新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为x射线源形成的结构示意图。
图中:1—电子源,2—第一束流传输线,3—超导直线加速器,4—第二束流传输线,5—x射线靶。
具体实施方式
本发明的核心在于提供一种x射线源,该x射线源克服了现有x射线源无法提供长脉冲x射线的问题。
为了使本领域的人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合本发明的附图,对本发明的技术方案进行清楚、完整的描述。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的其它类同实施例,都应当属于本申请保护的范围。
如图1所示,本具体实施例中提供的x射线源包括电子源1、超导直线加速器3以及x射线靶5,电子源1通过第一束流传输线2与超导直线加速器3连接,超导直线加速器3通过第二束流传输线4与x射线靶5连接,电子源1和超导直线加速器3一起操作能够产生相对论性电子束。
电子源1产生具有第一能量e1的长脉冲低能电子束be1,低能电子束be1的能量约为300kv,电子源1产生的低能电子束的脉冲时间长度可调,调节范围从10微秒到1秒。电子源1包含有驱动激光器、光阴极和阳极,驱动激光器发出激光入射到光阴极上产生电子,阴极和阳极之间的引出电场将电子束团引出光阴极,入射到第一束流传输线2中,第一束流传输线2将电子源1产生的低能电子束be1传递到超导直线加速器3。
低能电子束be1是由驱动激光器经光阴极作用产生,低能电子束be1和驱动激光器具有相同的时间结构,驱动激光器发出的激光为脉冲长度可调节激光,以实现电子源1产生电子束的脉冲时间长度可调,驱动激光器通过调整电压信号的长度来调节激光脉冲的长度。
电子源1为由直流高压电子枪形成的直流高压电子源或由射频电子枪形成的射频电子源,直流高压电子源形成的引出电场为静态高压电场,射频电子源形成的引出电场为射频电磁场。在本具体实施例中,电子源1采用直流高压电子枪,直流高压电子枪产生能量约为300kv的低能电子束be1,直流高压电子枪的引出电场是由直流高压电源在阴极和阳极之间形成的静态高压电场。
作为本具体实施例的优选,低能电子束be1具有相对较低的横向发射度,优选的,横向发射度低于10mm*mrad。
超导直线加速器3的超导腔表面电阻比常温腔小约6个数量级,即使考虑制冷机的损耗,总的损耗也比常温腔小几百倍。超导直线加速器3可以在更高的加速梯度和束流电流下以连续波运行或者在脉冲运行下,其允许运行的脉冲更长。超导直线加速器3可以对长脉冲电子束进行加速,其能够满足本发明的需求。超导直线加速器3包含沿着轴线分布的射频谐振腔,射频谐振腔由多个射频功率源驱动,超导直线加速器3的射频谐振腔置于4k或2k低温槽的低温环境中,以确保射频谐振器的超导状态。低能电子束be1在超导直线加速器3中获得能量增益δe,得到高能电子束be2,高能电子束be2和低能电子束be1具有相同的时间结构,通过调节低能电子束be1的长度来调节高能电子束be2的时间长度,低能电子束be1的时间长度的调节通过驱动激光器发出的激光脉冲的长度的调节实现。δe由超导直线加速器3的规模和性能决定,射频谐振腔的数量越多,场梯度越大,能量增益δe也越大。理论上,δe可以从几兆电子伏特到几千兆电子伏特甚至到无限大。本实施例中,δe约为8mev。
高能电子束be2沿第二束流传输线4轰击到x射线靶5上。x射线靶5要具有冷却功能,避免高能电子束be2沉积的能量烧坏x射线靶5,x射线靶5的核心部件选为高原子序数材料,高能电子束be2和高原子序数材料相互作用产生x射线,在本具体实施例中,高原子序数材料选用钨。
对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。