1.一种声表面波滤波器，应用于2ghz～3ghz频段，其特征在于，包括：
晶片，具有相对设置的第一面和第二面；所述第一面被配置为：粗糙度(ra)介于2～10μm，且所述粗糙度按照ramax-ramin≤0.05分布；所述第一面的平坦度(ttv)<5um；
叉指换能器，设置在所述晶片的第二面上；所述叉指换能器包括作为输入端的第一叉指换能器和作为输出端的第二叉指换能器；所述第一叉指换能器和第二叉指换能器的电极条的宽度介于0.2～0.35μm。
2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一面被配置为凹凸结构，所述凹凸结构的最大高度(rt)与粗糙度(ra)的比值介于3～9。
3.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶片包括压电晶片，该压电晶片包括钽酸锂晶片、铌酸锂晶片。
4.根据权利要求3所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶片为36°y～46°y钽酸锂单晶。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述晶片的厚度介于150～250μm。
6.一种声表面波滤波器用晶片的加工方法，所述晶片包括相对设置的第一面和第二面，其特征在于，所述加工方法包括：
使所述晶片的第一面与研磨面接触，固定所述第二面；
驱动所述晶片移动并使所述研磨面对所述第一面进行研磨；所述晶片沿正弦曲线轨迹运动；在所述第一面的研磨量达到预定值后，停止对所述晶片的驱动。
7.根据权利要求6所述的晶片的加工方法，其特征在于，所述驱动所述晶片移动并使所述研磨面对所述第一面进行研磨，所述晶片沿正弦曲线轨迹运动包括：
引入相对于所述研磨面运动的支撑机构，所述支撑机构按照预定第一路径相对于所述研磨面运动；
在所述支撑机构运动过程中，驱动所述支撑机构自转；
将所述晶片设置在所述支撑机构上，且所述晶片与所述支撑机构偏心设置；在所述晶片随所述支撑机构自转一周的过程中，所述晶片圆心的运动轨迹在所述第一路径的两侧形成正弦曲线。
8.根据权利要求7所述的晶片的加工方法，其特征在于，所述晶片的圆心与所述支撑机构的圆心之间的距离介于1～3cm。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述驱动所述晶片移动并使所述研磨面对所述第一面进行研磨之前，所述固定所述第二面之后，还包括：
调节所述晶片与所述研磨面之间的摩擦力，以控制所述研磨面对所述第一面的研磨速度。
10.根据权利要求9所述的晶片的加工方法，其特征在于，所述晶片沿正弦曲线轨迹运动包括：
整个所述正弦曲线轨迹为封闭环状。
11.根据权利要求9所述的晶片的加工方法，其特征在于，所述晶片沿正弦曲线轨迹运动包括：
整个所述正弦曲线轨迹为直线形。
12.根据权利要求9所述的晶片的加工方法，其特征在于，在所述第一面的研磨量达到预定值，且停止对所述晶片的驱动之后，还包括：
对所述第二面进行抛光处理。