技术特征：
1.一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；压电层，所述压电层为包括掺杂元素的压电层，所述掺杂元素具有对应的掺杂浓度；和顶电极，其中：所述谐振器的谐振频率低于2.5ghz，且具有层厚比e/p；所述谐振器具有机电耦合系数kt2，所述掺杂浓度不小于a1，a1为层厚比e/p＝1.5时所述机电耦合系数kt2对应的掺杂浓度。2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：所述压电层为掺杂有钪元素的氮化铝层，a1由如下公式确定：kt2＝0.2845a12+0.2791a1+0.0488。3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：所述谐振器的谐振频率低于2.0ghz；所述掺杂浓度不小于a2，a2为谐振器层厚比e/p＝1.7时所述机电耦合系数kt2对应的掺杂浓度。4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：所述压电层为掺杂有钪元素的氮化铝层，a2由如下公式确定：kt2＝0.2315a22+0.283a2+0.0451。5.根据权利要求3所述的谐振器，其中：所述谐振器的谐振频率低于1.5ghz；所述掺杂浓度不小于a3，a3为谐振器层厚比e/p＝1.85时所述机电耦合系数kt2对应的掺杂浓度。6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：所述压电层为掺杂有钪元素的氮化铝层，a3由如下公式确定：kt2＝0.2196a32+0.2771a3+0.0434。7.根据权利要求5所述的谐振器，其中：所述谐振器的谐振频率低于1.0ghz；所述掺杂浓度不小于a4，a4为谐振器层厚比e/p＝2.0时所述机电耦合系数kt2对应的掺杂浓度。8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：所述压电层为掺杂有钪元素的氮化铝层，a4由如下公式确定：kt2＝0.407a42+0.2315a4+0.0421。9.一种滤波器，包括多个根据权利要求1-8中任一项所述的体声波谐振器。10.根据权利要求9所述的滤波器，其中：所述滤波器为band5频段的滤波器；且所述滤波器中的谐振器的所述掺杂浓度不小于15％。11.根据权利要求9所述的滤波器，其中：
所述滤波器为band8频段的滤波器；且所述滤波器中的谐振器的所述掺杂浓度不小于14.5％。12.根据权利要求9所述的滤波器，其中：所述滤波器为band3频段的滤波器；且所述滤波器中的谐振器的所述掺杂浓度不小于12％。13.根据权利要求9所述的滤波器，其中：所述滤波器为band1频段的滤波器；且所述滤波器中的谐振器的所述掺杂浓度不小于11.5％。14.一种掺杂浓度确定方法，所述掺杂浓度为体声波谐振器的压电层的掺杂元素的掺杂浓度，所述谐振器具有机电耦合系数kt2，所述谐振器的谐振频率低于2.5ghz且具有层厚比e/p，所述方法包括步骤：基于层厚比e/p，选择所述掺杂浓度不小于a1，a1为谐振器层厚比e/p＝1.5时所述机电耦合系数kt2对应的掺杂浓度。15.根据权利要求14所述的方法，其中：所述压电层为掺杂有钪元素的氮化铝层，a1由如下公式确定：kt2＝0.2845a12+0.2791a1+0.0488。16.一种电子设备，包括根据权利要求9-13中任一项所述的滤波器，或根据权利要求1-8中任一项所述的体声波谐振器。
技术总结
本发明涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极；压电层；和顶电极，其中：所述谐振器的谐振频率低于2.5GHz，且具有层厚比E/P；所述谐振器具有机电耦合系数Kt2，所述掺杂浓度不小于a1，a1为层厚比E/P＝1.5时所述机电耦合系数Kt2对应的掺杂浓度。本发明还涉及一种掺杂浓度确定方法，所述掺杂浓度为体声波谐振器的压电层的掺杂元素的掺杂浓度，所述谐振器具有机电耦合系数Kt2，所述谐振器的谐振频率低于2.5GHz且具有层厚比E/P，所述方法包括步骤：基于层厚比E/P，选择所述掺杂浓度不小于a1，a1为谐振器层厚比E/P＝1.5时所述机电耦合系数Kt2对应的掺杂浓度。本发明也涉及一种滤波器和一种电子设备。波器和一种电子设备。波器和一种电子设备。
技术研发人员：庞慰 徐洋 杨清瑞 张孟伦
受保护的技术使用者：诺思（天津）微系统有限责任公司
技术研发日：2020.09.30
技术公布日：2022/4/12