技术特征：
1.一种功率mos的被动快速关断电路，其特征在于，包括：pwr电源；mos晶体管q1，所述pwr电源的驱动电压端v pwr+与mos晶体管q1的输入端连接；快速泄放电路，其中，所述快速泄放电路包括：正反馈泄放电路，用以快速泄放mos晶体管q1的电容，所述正反馈泄放电路包括三极管q2和三极管q3，所述三极管q2的集电极与三极管q3的基极连接，所述三极管q2的基极与三极管q3的集电极连接，所述mos晶体管q1的g极与三极管q2的发射极连接，所述三极管q3的发射极与mos晶体管q1的s极连接；以及泄放电阻r1，为正反馈泄放电路启动提供初始偏置电流，所述三极管q2的基极还与泄放电阻r1的输入端连接，所述泄放电阻r1的输出端与mos晶体管q1的s级连接；二极管d1，提供一个反向截止使得快速泄放电路在正常驱动时不动作，所述三极管q2的基极还与二极管d1的正极端连接，所述二极管d1的负极端分别与三极管q2的发射极和mos晶体管q1的g极连接；以及开关，所述三极管q2的基极还与开关的输入端连接，所述开关的输出端与pwr电源的驱动电压端v pwr+连接。2.根据权利要求1所述的一种功率mos的被动快速关断电路，其特征在于，所述三极管q2为pnp三极管。3.根据权利要求1所述的一种功率mos的被动快速关断电路，其特征在于，所述三极管q3为npn三极管。4.根据权利要求1所述的一种功率mos的被动快速关断电路，其特征在于，所述pwr电源的负极端连接gnd端。5.根据权利要求1-4任意一项所述的一种功率mos的被动快速关断电路，其特征在于，所述pwr电源的驱动电压端v pwr+的驱动电压为12v。
技术总结
本发明公开了一种功率MOS的被动快速关断电路，属于MOSFET驱动技术领域，包括：PWR电源；MOS晶体管Q1，PWR电源的驱动电压端V_PWR+与MOS晶体管Q1的输入端连接；快速泄放电路，其中，快速泄放电路包括：正反馈泄放电路，用以快速泄放MOS晶体管Q1的电容，正反馈泄放电路包括三极管Q2和三极管Q3，三极管Q2的集电极与三极管Q3的基极连接，三极管Q2的基极与三极管Q3的集电极连接，MOS晶体管Q1的G极与三极管Q2的发射极连接，三极管Q3的发射极与MOS晶体管Q1的S极连接；以及泄放电阻R1，为正反馈泄放电路启动提供初始偏置电流。本发明实现了不受Vgs电压高低而限制，在关断过程中都拥有快速泄放能力，同时拥有开启时低功耗，保护时快速泄放的优势的电路。的优势的电路。的优势的电路。
技术研发人员：张许峰
受保护的技术使用者：福州市瓦涵新能源科技有限公司
技术研发日：2020.10.12
技术公布日：2022/4/15