一种全频段透明电磁屏蔽结构的制作方法

本实用新型涉及电磁屏蔽技术领域，特别是涉及一种全频段透明电磁屏蔽结构。

背景技术：

随着信息化社会的快速发展，与信息相关联的电子设备急速发展，电子信号尤为复杂，如高铁飞机、军用电脑、军用装甲车、军用仪器仪表等可视设备的电磁屏蔽要求越来越高，不仅要求较强的电磁屏蔽能力，同时还要保证良好的可视透过性能。目前主流是采用透明屏蔽膜，现有的屏蔽膜大多采用金属网格透明屏蔽膜或其他导电聚合物形式的透明屏蔽膜，导电性良好的屏蔽膜只能在某一段频段实现emi电磁屏蔽，而单纯的金属类网格或金属线类屏蔽膜，其网格格栅的透空部位及金属线搭接的透空部位无法屏蔽电磁信号，导致信号泄露。

技术实现要素：

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种全频段透明电磁屏蔽结构，能够实现高透明，高屏蔽性能，在视觉效果上提升体验感。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的一个技术方案是：提供一种全频段透明电磁屏蔽结构，包括：电磁屏蔽膜和包覆在电磁屏蔽膜边缘的引线包边结构；所述电磁屏蔽膜包括透明基材层、透明屏蔽层和光学镀膜层；所述透明屏蔽层设置在透明基材层一侧或两侧；当透明基材层一侧设置透明屏蔽层时，光学镀膜层设置在透明基材层另一侧；当透明基材层两侧均设置透明屏蔽层时，光学镀膜层设置在透明基材层两侧的透明屏蔽层上；所述透明屏蔽层包括第一透明屏蔽层和第二透明屏蔽层，第一透明屏蔽层紧贴所述透明基材层设置，第二透明屏蔽层设在第一透明屏蔽层上远离透明基材层的一侧；所述第一透明屏蔽层为透明导电金属网格层、透明导电金属线层或者透明导电金属层；所述第二透明屏蔽层为金属氧化物镀膜层，金属氧化物镀膜层是氧化铟锡、氧化锌的一种或多种组合；所述光学镀膜层为ar镀膜层、ag镀膜层、hc镀膜层中的一种或多种组合镀膜层，也可以是其多功能复合镀膜层。

进一步，所述第一透明屏蔽层为透明导电金属网格层时，透明导电金属网格层是通过使用凹凸的金属模具在透明基材层表面uv压印出连续的凹陷网格线，在其连续的凹陷网格线中填充金属浆料，形成导电面；所述凹陷网格线的形状为四边形、六边形、圆形或无规则形等等。

进一步，所述第一透明屏蔽层为透明导电金属线层时，透明导电金属线层使用蚀刻的方式在透明基材表面形成连续凸起的导电金属线网格。

进一步，所述第一透明屏蔽层为透明导电金属层时，透明导电金属层是使用针状的导电金属线随机搭接形成的透明导电金属层。

进一步，所述第二透明屏蔽层的厚度为10nm-50nm。

进一步，所述引线包边结构包括印刷银引线和u型的铜箔包边，印刷银引线位于所述电磁屏蔽膜的外围，印刷银引线内侧与所述第二透明屏蔽层的交叠宽度大于10um，印刷银引线外侧连接铜箔包边，所述铜箔包边包覆所述电磁屏蔽膜边缘处的上、下、侧三面。

本实用新型的有益效果是：本实用新型能够在200hz-50ghz的宽频段范围内，实现高透明，高屏蔽性能，且搭配适宜的光学镀膜层，能够使客户在视觉效果上体验感上升。

附图说明

图1是本实用新型一种全频段透明电磁屏蔽结构实施例一的结构示意图；

图2是所示一种全频段透明电磁屏蔽结构实施例二的结构示意图；

图3是所示一种全频段透明电磁屏蔽结构实施例三的结构示意图；

附图中各部件的标记如下：10、透明基材层；20、第一透明屏蔽层；30、第二透明屏蔽层；40、光学镀膜层；21、第一油墨层；22、第二油墨层；100、银引线框；200、铜箔包边。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的较佳实施例进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。

请参阅图1，本实用新型实施例一：

全频段透明电磁屏蔽结构包括透明基材层10，在透明基材层10的一侧依次设置第一透明屏蔽层20、第二透明屏蔽层30，在透明基材层10的另一侧设置光学镀膜层40。其中第一透明屏蔽层20是使用凹凸的金属模具在透明基材层表面形成透明的凹陷树脂网格，截面如图1，然后通过印刷方式在第一透明屏蔽层20上凹陷区域填入第一油墨层21和第二油墨层22，第一油墨层21有两层，第二油墨层22夹在两层第一油墨层21之间；第二油墨层22层为纳米银油墨层，第一油墨层21为50-500nm的纳米晶粉体或导磁纯铁粉体混合炭黑粉及分散树脂的混合油墨，其中纳米晶粉体或导磁纯铁粉粉体的质量比约占20-50%，炭黑粉5-10%。此混合油墨不仅能够增强10mhz以下的低频段的屏蔽性能，同时能够减弱第二油墨层22的反光，提供更舒适的视觉体验。

第二透明屏蔽层30覆盖在第一透明屏蔽层20未凹陷网格部分以及凹陷部分内最外侧的第一油墨层21上；第二透明屏蔽层30为磁控溅射法的氧化铟锡或氧化锌镀膜层，镀膜层厚度<50nm，高于此值时，镀膜层结合力不足且透过率损失较大。

如图1所示的全频段透明电磁屏蔽结构还包括设置在透明屏蔽层30最外侧边缘处的银引线，引线宽度20-30um，高度10-30um，银引线绕透明屏蔽层30边缘一圈形成闭合的银引线框100，闭合的银引线框与u型的铜箔包边200复合，能够形成导电性良好的屏蔽环，确保电磁信号不泄露。

请参阅图2，本实用新型实施例二：

全频段透明电磁屏蔽结构包括透明基材层10，在透明基材层10的一侧依次设置第一透明屏蔽层20、第二透明屏蔽层30，在透明基材层10的另一侧设置光学镀膜层40。其中第一透明屏蔽层20是使用黄光蚀刻技术的金属网格层，直接设置在透明基材层10表面，通常金属网格材质为铜，截面如图2。第二透明屏蔽层30覆盖在第一透明屏蔽层20上；第二透明屏蔽层30为磁控溅射法的氧化铟锡或氧化锌镀膜层，镀膜层厚度<50nm，高于此值时，镀膜层结合力不足且透过率损失较大。

如图2所示的全频段透明电磁屏蔽结构还包括设置在透明屏蔽层30最外侧边缘处的银引线，银引线银宽度20-30um，高度10-30um，银引线绕透明屏蔽层30边缘一圈形成闭合的银引线框100，银引线框与u型的铜箔包边200复合，能够形成导电性良好的屏蔽环，确保电磁信号不泄露。

请参阅图3，本实用新型实施例三：

全频段透明电磁屏蔽结构包括透明基材层10，在透明基材层10的一侧依次设置第一透明屏蔽层20、第二透明屏蔽层30，在透明基材层10的另一侧设置光学镀膜层40。其中第一透明屏蔽层20是通过涂布方式形成的纳米银线薄膜层，直接设置在透明基材层10表面，截面如图3。第二透明屏蔽层30覆盖在第一透明屏蔽层20上；第二透明屏蔽层30为磁控溅射法的氧化铟锡或氧化锌镀膜层，镀膜层厚度<50nm。

如图3所示的全频段透明电磁屏蔽结构还包括设置在透明屏蔽层30最外侧边缘处的银引线，银引线绕透明屏蔽层30边缘一圈形成闭合的银引线框100，银引线框与u型的铜箔包边200复合，能够形成导电性良好的屏蔽环，确保电磁信号不泄露。

本实用新型三个实施例展示的均是单侧设置屏蔽膜层方案，若两侧同时设置屏蔽膜层，则光学镀膜层设置在两侧第二透明屏蔽层30的最外侧。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。