声表面波装置的制作方法

1.本实用新型涉及声表面波装置。


背景技术：

2.在像saw(surface acoustic wave，声表面波)滤波器那样的配置于移动通信设备的前端部的声表面波装置中，为了应对各种各样的通带宽度以及陡峭性，有时可有效地调整机电耦合系数。作为有效地调整机电耦合系数的手段，可列举在压电基板与idt(interdigital transducer，叉指换能器)电极之间配置电介质膜。
3.在专利文献1中公开了如下的弹性波装置，即，在压电基板与idt 电极之间形成了以氧化硅为主成分的第1电介质膜，并形成了第2电介质膜以使得覆盖idt电极。由此，能够提供一种能够调整有效的机电耦合系数并且耐湿性优异的弹性波装置。
4.在先技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2002-151997号公报


技术实现要素：

7.实用新型要解决的课题
8.然而，在专利文献1公开的弹性波装置的情况下，在形成idt电极的工序中，例如通过蒸镀法等形成idt电极时，由于反射电子的影响，负电荷向第1电介质膜或idt电极的蓄积变大。该负电荷蓄积在压电基板的表面，从而产生如下的问题，即，在压电基板的晶体产生形变从而在压电基板产生裂纹，或者弹性波装置的特性劣化。
9.因此，本实用新型是为了解决上述课题而完成的，其目的在于，提供一种抑制了压电基板的裂纹产生以及弹性波装置的特性劣化的声表面波装置。
10.用于解决课题的技术方案
11.为了达到上述目的，本实用新型的一个方式涉及的声表面波装置具备：压电基板，具有相互对置的第1主面以及第2主面；和idt(interdigitaltransducer，叉指换能器)电极，配置在所述第1主面以及所述第2主面之中的所述第1主面侧，所述第1主面是所述压电基板的极化正电位面。
12.实用新型效果
13.根据本实用新型，能够提供一种抑制了压电基板的裂纹产生以及弹性波装置的特性劣化的声表面波装置。
附图说明
14.图1a是实施方式涉及的声表面波装置的概略剖视图。
15.图1b是实施方式的变形例涉及的声表面波装置的概略剖视图。
16.图2是表示实施方式的变形例涉及的声表面波装置的电极结构的俯视图以及剖视
图。
17.图3是示出实施方式涉及的声表面波装置的电极布局的一个例子的俯视图。
18.图4是示出实施方式的变形例涉及的声表面波装置的制造方法的一个例子的工序流程图。
19.图5是对压电基板的极化电位进行测定的系统的结构图。
20.图6是根据电介质膜的有无对谐振器的端子间电压进行了比较的曲线图。
21.图7是对实施例以及比较例涉及的声表面波装置的压电基板表面的极化电位分布进行了比较的图。
22.图8是对实施例以及比较例涉及的声表面波装置的通过特性进行了比较的曲线图。
具体实施方式
23.以下，使用附图对本实用新型的实施方式进行详细地说明。另外，以下说明的实施方式均示出总括性或具体的例子。在以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。关于以下的实施方式中的构成要素之中未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素来进行说明。此外，附图所示的构成要素的大小或大小之比未必严谨。此外，在各图中，对于实质上相同的结构标注相同的附图标记，有时省略或简化重复的说明。
24.(实施方式)
25.[1.声表面波装置的结构]
[0026]
图1a是实施方式涉及的声表面波装置1的概略剖视图。如同图所示，声表面波装置1具备压电基板20、idt(interdigital transducer，叉指换能器)电极40、以及电介质膜30。
[0027]
压电基板20具有主面20a(第1主面)以及与主面20a夹着基板主体处于相反侧的主面20b(第2主面)，例如由litao3(钽酸锂)的压电单晶、linbo3(铌酸锂)的压电单晶、knbo3(铌酸钾)的压电单晶、或石英构成。主面20a是压电基板20的介电极化中的正电位面(极化正电位面)，主面20b是压电基板20的介电极化中的负电位面(极化负电位面)。
[0028]
idt电极40由具有导电性的金属构成，包含在俯视压电基板20的情况下相互对置的一对梳齿状电极。关于idt电极40的详细的结构，使用图2在后面进行叙述。
[0029]
电介质膜30是配置在压电基板20与idt电极40之间并与主面20a 以及20b中的主面20a相接的第1电介质膜。电介质膜30例如由sio2(二氧化硅)、si3n4(氮化硅)、al2o3(矾土)、ta2o5(tantalum pentoxide，五氧化二钽)、以及aln(氮化铝)中的至少一者构成。通过使电介质膜 30介于压电基板20与idt电极40之间，从而能够对声表面波装置1的有效的机电耦合系数进行调整。
[0030]
例如，电介质膜30越薄，声表面波装置1的有效的机电耦合系数变得越大，电介质膜30越厚，声表面波装置1的有效的机电耦合系数变得越小。
[0031]
图1b是实施方式的变形例涉及的声表面波装置1a的概略剖视图。如同图所示，声表面波装置1a具备压电基板20、idt电极40、和电介质膜30、50以及60。本变形例涉及的声表面波装置1a与实施方式涉及的声表面波装置1相比较，不同点在于，附加了电介质膜50以及60。
[0032]
电介质膜50以及60是被覆idt电极40的第2电介质膜。电介质膜 50主要具有保护idt电极40不受外部环境(湿度等)的影响以及改善声表面波装置1a的频率温度特性的功能。此外，电介质膜60主要具有保护idt电极40不受外部环境(湿度等)的影响以及调整声表面波装置1a 的频率的功能。
[0033]
此外，在本实施方式涉及的声表面波装置1以及本变形例涉及的声表面波装置1a中，也可以没有电介质膜30。
[0034]
本实施方式涉及的声表面波装置1以及本变形例涉及的声表面波装置1a分别具有如上述那样的构造，由此构成了声表面波谐振器。以下，对声表面波装置1以及1a所具有的声表面波谐振器的结构以及作用进行详细地说明。
[0035]
[2.声表面波谐振器的构造]
[0036]
图2是表示实施方式的变形例涉及的声表面波装置1a的电极结构的俯视图以及剖视图。图2的(b)是(a)所示的单点划线处的剖视图。在图2中，例示了表示构成声表面波装置1a的一个以上的声表面波谐振器之中的一个声表面波谐振器100的构造的俯视示意图以及剖视示意图。另外，图2所示的声表面波谐振器100用于说明上述一个以上的声表面波谐振器的典型的构造，构成电极的电极指的根数以及长度等并不限定于此。
[0037]
声表面波谐振器100包含压电基板20和梳齿状电极100a以及100b。
[0038]
如图2的(a)所示，在压电基板20上形成有相互对置的一对梳齿状电极100a以及100b。梳齿状电极100a包含相互平行的多个电极指150a 和将多个电极指150a连接的汇流条电极160a。此外，梳齿状电极100b 包含相互平行的多个电极指150b和将多个电极指150b连接的汇流条电极 160b。多个电极指150a以及150b沿着与弹性波传播方向(x轴方向)正交的方向形成。
[0039]
此外，如图2的(b)所示，包含多个电极指150a以及150b和汇流条电极160a以及160b的idt电极40例如成为密接层401和主电极层402 的层叠构造。
[0040]
密接层401是用于使压电基板20和主电极层402的密接性提高的层，作为材料，例如可使用ti、nicr等。
[0041]
主电极层402作为材料，例如可使用alcu、au、cu、pt。
[0042]
另外，构成密接层401以及主电极层402的材料并不限定于上述的材料。进而，idt电极40也可以不是上述层叠构造。idt电极40例如可以由ti、al、cu、pt、au、ag、pd、mo、w等金属或合金构成，此外，也可以由上述的金属或合金所构成的多个层叠体构成。另外，构成idt 电极40的金属材料最好与构成电介质膜30的电介质材料相比为高密度，由此能够增大声表面波的反射系数。
[0043]
例如，如图2所示，压电基板20由θ
°
y切割x传播litao3压电单晶或压电陶瓷(是用将以x轴为中心轴而从y轴旋转了θ
°
的轴作为法线的面进行了切断的钽酸锂单晶或陶瓷，并且是声表面波在x轴方向上传播的单晶或陶瓷)构成。另外，可根据声表面波装置1a的要求规格来适当选择压电基板20的材料以及切割角。
[0044]
另外，压电基板20也可以具备高声速支承基板、低声速膜以及压电膜，并具有依次层叠了高声速支承基板、低声速膜以及压电膜的构造。高声速支承基板是对低声速膜、压电膜和idt电极40进行支承的基板。进而，高声速支承基板是与在压电膜传播的表面波以及边界波等弹性波相比高声速支承基板中的体波(bulk wave)的声速成为高速的基板，其发挥
功能，使得将声表面波封闭在层叠有压电膜以及低声速膜的部分而不会泄漏到比高声速支承基板更靠下方。高声速支承基板例如是硅基板。低声速膜是与在压电膜传播的体波相比低声速膜中的体波的声速成为低速的膜，配置在压电膜与高声速支承基板之间。通过该构造和弹性波在本质上能量集中于低声速的介质这样的性质，可抑制声表面波能量向idt电极40外的泄漏。低声速膜例如是以二氧化硅为主成分的膜。通过将压电基板20 设为这样的层叠构造，从而能够提高谐振频率以及反谐振频率下的q值。即，能够构成q值高的声表面波谐振器，因此使用该声表面波谐振器能够构成插入损耗小的滤波器。
[0045]
另外，高声速支承基板也可以具有层叠了支承基板和高声速膜的构造，在该高声速膜传播的体波的声速与在压电膜传播的表面波以及边界波等弹性波相比成为高速。在该情况下，支承基板能够使用蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化镁、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、多铝红柱石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、玻璃等电介质或硅、氮化镓等半导体以及树脂基板等。此外，高声速膜能够使用氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、dlc膜或金刚石、以上述材料为主成分的介质、以上述材料的混合物为主成分的介质等各种各样的高声速材料。
[0046]
在此，预先对构成声表面波谐振器的idt电极的电极参数的一个例子进行说明。
[0047]
声表面波谐振器的波长由图2所示的作为构成idt电极40的多个电极指150a或150b的重复周期的波长λ规定。此外，电极间距为波长λ的1/2，在将构成梳齿状电极100a以及100b的电极指150a以及150b的线宽度设为w并将相邻的电极指150a与电极指150b之间的间隔宽度设为s的情况下，由(w+s)来定义。此外，如图2的(a)所示，一对梳齿状电极100a以及100b的交叉宽度l是电极指150a和电极指150b的从弹性波传播方向(x轴方向)观察的情况下的重复的电极指长度。此外，各声表面波谐振器的电极占空比是多个电极指150a以及150b的线宽度占有率，由w/(w+s)来定义。此外，将梳齿状电极100a以及100b的高度设为h。
[0048]
另外，在图2中示出了本变形例涉及的声表面波装置1a的电极结构，但本实施方式涉及的声表面波装置1的电极结构与在图2中未配置电介质膜50以及60的情况下的电极结构相同。
[0049]
在具有上述构造的声表面波装置中，若在梳齿状电极100a与100b 之间施加高频信号，则在梳齿状电极100a与梳齿状电极100b之间产生电位差，由此，压电基板20的主面20a形变从而产生在x方向上传播的声表面波。在此，根据通带对idt电极40的波长λ进行调整，从而仅具有欲使其通过的频率分量的高频信号通过该声表面波装置。
[0050]
[3.声表面波装置的电极结构以及制造方法]
[0051]
图3是示出实施方式涉及的声表面波装置1a的电极布局的一个例子的俯视图。声表面波装置1a例如是包含两个串联臂谐振器和两个并联臂谐振器的梯型的声表面波滤波器。如同图所示，在本例子中的声表面波装置1a中，在压电基板20上隔着电介质膜30(未图示)配置有idt电极101、102、201以及202、连接电极70、输入输出电极110以及120、和接地电极130。此外，虽然未图示，但是在idt电极101、102、201以及 202上形成有电介质膜50以及60。
[0052]
两个串联臂谐振器中的一个串联臂谐振器是包含idt电极101和压电基板20的声表面波谐振器，另一个串联臂谐振器是包含idt电极102 和压电基板20的声表面波谐振器。idt电极101以及102串联地配置在将输入输出电极110以及120连结的路径上。
[0053]
两个并联臂谐振器中的一个并联臂谐振器是包含idt电极201和压电基板20的声表面波谐振器，另一个并联臂谐振器是包含idt电极202 和压电基板20的声表面波谐振器。idt电极201配置在输入输出电极110 和idt电极101的连接节点与接地电极130之间。idt电极202配置在 idt电极101和idt电极102的连接节点与接地电极130之间。
[0054]
构成idt电极101、102、201以及202各自的多个电极指的延伸方向一致，与该多个电极指的延伸方向正交的方向成为声表面波的传播方向。
[0055]
连接电极70是对idt电极101、102、201以及202、输入输出电极 110以及120、和接地电极130进行连接的布线。特别是，连接电极70 与idt电极101、102、201以及202的汇流条电极连接。
[0056]
在此，对具有上述电极布局的声表面波装置1a的制造工序进行说明。
[0057]
图4是示出实施方式的变形例涉及的声表面波装置1a的制造方法的一个例子的工序流程图。
[0058]
首先，如图4的(a)所示，准备压电基板20。作为压电基板20的材料，例如是linbo3(铌酸锂)的压电单晶。在准备压电基板20时，预先掌握作为压电基板20的集合体的压电晶片的两个主面之中哪个主面是极化正电位面。压电晶片的极化正电位面例如可通过图5所示的测定系统来判定。
[0059]
图5是对压电晶片200(压电基板20)的极化电位进行测定的系统的结构图。如同图所示，对压电晶片200(压电基板20)的极化电位进行测定的系统包含金属板80、测定探针81、以及示波器82。在上述系统中，将想要测定极化电位的压电晶片200接触配置在与示波器82的接地端子连接的金属板80上。在该状态下，观测用测定探针81的前端敲击压电晶片200的不与金属板80接触的主面时的测定探针81的电位变化，根据测定探针81与该主面接触时的电位的上升波形，能够判断该主面的极化电位。例如，在测定探针81与上述主面接触时的上升电位为负的情况下，判断为该主面是极化正电位(图5的(a))，在测定探针81与上述主面接触时的上升电位为正的情况下，判断为该主面是极化负电位(图5的(b))。
[0060]
接着，如图4的(b)所示，在相当于压电晶片的两个主面中的极化正电位面的压电基板20的第1主面上形成电介质膜30。更具体地，例如，通过溅射法形成由sio2构成的电介质膜30。
[0061]
接着，如图4的(c)所示，在电介质膜30上形成idt电极40以及下层连接电极70a。更具体地，例如，在电介质膜30上形成抗蚀剂，将该抗蚀剂图案化，通过蒸镀法形成nicr/pt/ti/alcu的层叠体，通过剥离法将该层叠体图案化，由此形成idt电极40以及下层连接电极70a。
[0062]
接着，如图4的(d)所示，在电介质膜30、idt电极40以及下层连接电极70a上形成电介质膜50。更具体地，例如，通过溅射法形成由 sio2构成的电介质膜50。
[0063]
接着，如图4的(e)所示，在下层连接电极70a的表面形成未形成电介质膜50的开口部。更具体地，例如，在电介质膜50上形成抗蚀剂，在下层连接电极70a的上方形成抗蚀剂开口部，通过反应性离子蚀刻法对该抗蚀剂开口部的电介质膜50进行蚀刻，由此形成未形成电介质膜50 的开口部。另外，将残余的抗蚀剂剥离。
[0064]
接着，如图4的(f)所示，在下层连接电极70a的上方形成上层连接电极70b。更具体地，例如，在电介质膜50以及下层连接电极70a上形成抗蚀剂，将该抗蚀剂图案化，通过蒸镀
法形成ti/alcu的层叠体，通过剥离法将该层叠体图案化，由此在下层连接电极70a的上方形成上层连接电极70b。
[0065]
由此，作为下层连接电极70a以及上层连接电极70b的层叠体的连接电极70成为与idt电极40相比膜厚大的低电阻的布线。因而，能够降低声表面波装置1a的传播损耗。
[0066]
最后，如图4的(g)所示，在电介质膜50上形成电介质膜60。更具体地，例如，通过溅射法形成由si3n4构成的电介质膜，通过抗蚀剂形成以及反应性离子蚀刻法在电介质膜50上形成电介质膜60。
[0067]
另外，虽然在图4中未明示，但是在图4的(g)的工序的结束时间点，在压电晶片上形成有声表面波装置的集合体，通过切割(dicing)等将该集合体单片化，由此形成声表面波装置的单体。
[0068]
[4.声表面波装置的电介质膜]
[0069]
如上所述，通过在压电基板20与idt电极40之间配置电介质膜30，从而能够对声表面波装置1以及1a的有效的机电耦合系数进行调整。
[0070]
作为其相反的方面，若形成电介质膜30，则在idt电极40以及连接电极70等的形成工序中产生的负电荷变得容易蓄积在压电基板20的主面 20a上。
[0071]
图6是根据电介质膜30的有无对声表面波谐振器的端子间电压进行了比较的曲线图。在同图中，示出了在压电基板20与idt电极40之间配置了电介质膜30的声表面波谐振器(图6中有电介质膜30)和在压电基板20与idt电极40之间未配置电介质膜30的声表面波谐振器(图6 中无电介质膜30)的、输入输出端子间的电压的时间变化。更具体地，在图6中，示出了在从电流源向上述两个声表面波谐振器的idt电极供给了电荷的情况下产生的输入输出端子间电压对电流供给时间的依赖性。
[0072]
如图6所示可知，通过在压电基板20与idt电极40之间配置电介质膜30，从而变得容易蓄积负电荷。即可知，为了调整有效的机电耦合系数而配置了电介质膜30的声表面波装置更容易在压电基板的主面上蓄积负电荷，因此在配置了电介质膜30的声表面波装置中，采取不易产生压电基板的极化反转的构造是非常重要的。
[0073]
相对于此，像本实施方式涉及的声表面波装置1以及变形例涉及的声表面波装置1a那样，预先将形成电介质膜30、idt电极40以及连接电极70的压电基板20的主面20a设为极化正电位面。由此，即使在电介质膜30、idt电极40以及连接电极70等的形成工序中负电荷蓄积在主面20a上，也能够抑制极化反转的产生。
[0074]
[5.总结]
[0075]
本实施方式涉及的声表面波装置1具备：压电基板20，具有主面20a 以及主面20b；和idt电极40，配置在主面20a以及主面20b之中的主面20a侧，主面20a是压电基板20的极化正电位面。
[0076]
可设想如下情况，即，在idt电极40的形成过程中产生的电子蓄积在idt电极40上，该蓄积的负电荷和主面20a上的负电荷相互排斥，产生压电基板20的极化轴反转的区域。由于产生该极化轴的反转区域，在主面20a上产生晶体的形变，从而在压电基板20产生裂纹，或者声表面波装置的特性劣化。相对于此，根据上述结构，通过在压电基板20的极化正电位面侧形成idt电极40，从而能够抑制idt电极40的形成过程中的压电基板20的极化轴的反转。因而，能够抑制由压电基板20的晶体的形变造成的压电基板20的裂纹产生所造成的元
件的破裂、以及声表面波装置1的特性劣化。
[0077]
此外，声表面波装置1也可以还具备：电介质膜30，配置在压电基板20与idt电极40之间，并与主面20a相接。
[0078]
由此，通过在压电基板20与idt电极40之间配置电介质膜30，从而能够将声表面波装置1的有效的机电耦合系数调整为所希望的大小。然而，若假设在压电基板20的极化负电位面形成电介质膜30，则在电介质膜30以及idt电极40的形成过程中产生的电子蓄积在idt电极40上，该蓄积的负电荷和主面20a上的负电荷相互排斥，产生压电基板20的极化轴反转的区域。由于产生该极化轴的反转区域，在主面20a上产生晶体的形变，从而在压电基板20产生裂纹，或者声表面波装置1的特性劣化。
[0079]
相对于此，根据上述结构，通过在压电基板20的极化正电位面侧形成电介质膜30以及idt电极40，从而能够抑制电介质膜30以及idt电极40的形成过程中的压电基板20的极化轴的反转。因而，能够在将有效的机电耦合系数调整为所希望的大小的同时，抑制由压电基板20的晶体的形变造成的压电基板20的裂纹产生所造成的元件的破裂、以及声表面波装置1的特性劣化。
[0080]
此外，主面20b是压电基板20的极化负电位面。由此，因为压电基板的主面20a是极化正电位面，所以即使在形成电介质膜30以及idt电极40时产生的电子流入，主面20a中的极化轴也不反转。
[0081]
此外，本变形例涉及的声表面波装置1a还具备被覆idt电极40的电介质膜50。由此，能够调整声表面波装置1a的频率温度特性以及保护 idt电极40不受外部环境的影响。
[0082]
[6.基于压电基板的极化电位的特性比较]
[0083]
接着，对实施例涉及的声表面波装置和比较例涉及的声表面波装置的特性进行比较。实施例涉及的声表面波装置具有在压电基板20的极化正电位面形成了电介质膜30、50以及60、idt电极40和连接电极70的结构。另一方面，比较例涉及的声表面波装置具有在压电基板20的极化负电位面形成了电介质膜30、50以及60、idt电极40和连接电极70的结构。
[0084]
表1中示出实施例以及比较例涉及的声表面波装置的构造参数。
[0085]
[表1]
[0086]
[0087]
另外，在实施例以及比较例的双方，压电晶片均设为4英寸的linbo
3 (铌酸锂)的压电单晶晶片。
[0088]
试制了4片比较例涉及的声表面波装置的集合体(压电晶片状态)，并试制了8片实施例涉及的声表面波装置的集合体(压电晶片状态)。在比较例涉及的4片声表面波装置的集合体中全部确认到在压电晶片面内的一部分产生了裂纹。另一方面，在实施例涉及的8片声表面波装置的集合体中全部未确认到压电晶片中的裂纹的产生。
[0089]
图7是对实施例以及比较例涉及的声表面波装置的压电基板20的主面20a的极化电位分布进行了比较的图。在同图的(a)中，示出了比较例涉及的声表面波装置的压电基板20的主面20a中的电位分布，具体地，示出了在作为极化负电位面的主面20a上形成了idt电极40之后将该 idt电极40剥离后的主面20a中的电位分布。此外，在同图的(b)中，示出了实施例涉及的声表面波装置的压电基板20的主面20a中的电位分布，具体地，示出了在作为极化正电位面的主面20a上形成了idt电极 40之后将该idt电极40剥离后的主面20a中的电位分布。另外，图7的 (a)以及(b)的电位分布通过扫描型探针显微镜的prm(piezo responsemicroscope，压电响应显微镜)模式进行了测定。
[0090]
如图7的(a)所示，在比较例涉及的声表面波装置中，在主面20a 中，混合分布有负电位区域和反转为正电位的反转区域。特别是，负电位区域和正电位区域的边界对应于idt电极40的非形成区域和形成区域的边界。
[0091]
相对于此，在实施例涉及的声表面波装置中，在主面20a中，仅确认到正电位区域，未发现反转为负电位的区域。推测这是由于，在电介质膜 30以及idt电极40的形成工序中，即使电子流入到电介质膜30以及idt 电极40并蓄积，因为形成了电介质膜30以及idt电极40的主面20a是正电位，所以蓄积的负电荷和主面20a的正电荷相互吸引，从而也没有产生主面20a的极化反转。
[0092]
根据实施例涉及的声表面波装置，通过将形成idt电极40的压电基板20的主面20a设为极化正电位面，从而能够抑制制造工序中的压电基板20的极化反转以及与此相伴的裂纹的产生，能够提高生产稳定性。
[0093]
图8是对实施例以及比较例涉及的声表面波装置的通过特性进行了比较的曲线图。如同图所示，在将1710～1785mhz作为通带的滤波器通过特性中，与实施例涉及的声表面波装置的通带中的插入损耗相比较，比较例涉及的声表面波装置的通带中的插入损耗劣化了。
[0094]
也就是说，根据实施例涉及的声表面波装置，通过抑制制造工序中的压电基板20的极化反转以及与此相伴的裂纹的产生，从而能够抑制声表面波装置的通过特性等的特性劣化。
[0095]
(其它实施方式)
[0096]
以上，虽然列举实施方式以及变形例对本实用新型涉及的声表面波装置进行了说明，但是本实用新型并不限定于上述实施方式以及变形例。将上述实施方式以及变形例中的任意的构成要素进行组合而实现的其它实施方式、在不脱离本实用新型的主旨的范围内对上述实施方式以及变形例实施本领域技术人员想到的各种变形而得到的变形例也包含于本实用新型。
[0097]
此外，虽然在上述实施方式涉及的声表面波装置中例示了梯型的声表面波滤波
器，但是本实用新型涉及的声表面波装置也可以是纵向耦合型的声表面波滤波器等，此外，还可以是具有声表面波谐振器的谐振装置等。也就是说，本实用新型涉及的声表面波装置只要是具有包含压电基板以及 idt电极的声表面波谐振器的弹性波器件即可。
[0098]
产业上的可利用性
[0099]
本实用新型作为低损耗且生产稳定性优异的声表面波滤波器，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
[0100]
附图标记说明
[0101]
1、1a：声表面波装置；
[0102]
20：压电基板；
[0103]
20a、20b：主面；
[0104]
30、50、60：电介质膜；
[0105]
40、101、102、201、202：idt电极；
[0106]
70：连接电极；
[0107]
70a：下层连接电极；
[0108]
70b：上层连接电极；
[0109]
80：金属板；
[0110]
81：测定探针；
[0111]
82：示波器；
[0112]
100：声表面波谐振器；
[0113]
100a、100b：梳齿状电极；
[0114]
110、120：输入输出电极；
[0115]
130：接地电极；
[0116]
150a、150b：电极指；
[0117]
160a、160b：汇流条电极；
[0118]
200：压电晶片；
[0119]
401：密接层；
[0120]
402：主电极层。