1.一种超低功耗施密特触发器，其特征在于：包括第一pmos管(p1)、电流源(4)、第一倒相器(1)、第二倒相器(2)和电平转换电路(3)；
所述第一pmos管(p1)的s极连接于电源端(vdd)，第一pmos管(p1)的g极接地，第一pmos管(p1)的d极连接于电流源(4)的高压端；
所述第一倒相器(1)的电压输入端连接于电流源(4)的低压端，第一倒相器(1)的接地端接地，第一倒相器(1)的信号输出端连接于第二倒相器(2)的信号输入端；
所述第二倒相器(2)的电压输入端连接于电流源(4)的低压端，第二倒相器(2)的接地端接地，第二倒相器(2)的信号输出端连接于电平转换电路(3)的信号输入端；
所述第二pmos管(p2)的s极连接于电流源(4)的低压端，第二pmos管(p2)的d极连接于第一倒相器(1)的信号输出端，第二pmos管(p2)的g极连接于第二倒相器(2)的信号输出端；
所述电平转换电路(3)的电压输入端连接于电源端(vdd)，电平转换电路(3)的接地端接地，电平转换电路(3)的反馈信号输出端连接于第二倒相器(2)的信号输入端。
2.根据权利要求1所述的一种超低功耗施密特触发器，其特征在于：所述第一倒相器(1)包括第三pmos管(p3)和第二nmos管(n2)；
第三pmos管(p3)的g极连接于第一倒相器(1)的信号输入端，第三pmos管(p3)的s极连接于第一倒相器(1)的电压输入端，第三pmos管(p3)的d极连接于第一倒相器(1)的信号输出端；
第二nmos管(n2)的g极连接于第一倒相器(1)的信号输入端，第二nmos管(n2)的d极连接于第一倒相器(1)的信号输出端，第二nmos管(n2)的s极接地。
3.根据权利要求1所述的一种超低功耗施密特触发器，其特征在于：所述第二倒相器(2)包括第四pmos管(p4)和第三nmos管(n3)；
第四pmos管(p4)的g极连接于第二倒相器(2)的信号输入端，第四pmos管(p4)的s极连接于第二倒相器(2)的电压输入端，第四pmos管(p4)的d极连接于第二倒相器(2)的信号输出端；
第三nmos管(n3)的g极连接于第二倒相器(2)的信号输入端，第三nmos管(n3)的d极连接于第二倒相器(2)的信号输出端，第三nmos管(n3)的s极接地。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种超低功耗施密特触发器，其特征在于：所述电平转换电路(3)包括第四nmos管(n4)、第五nmos管(n5)、第五pmos管(p5)和第六pmos管(p6)；
所述第四nmos管(n4)的g极连接在电平转换电路(3)的信号输入端，第四nmos管(n4)的d极连接于第六pmos管(p6)的g极，第四nmos管(n4)的s极接地；
所述第五nmos管(n5)的g极连接于电平转换电路(3)的反馈信号输出端，第五nmos管(n5)的d极连接于第五pmos管(p5)的g极，第五nmos管(n5)的s极接地；
所述第五pmos管(p5)的s极连接于电平转换电路(3)的电压输入端，第五pmos管(p5)的d极连接于第六pmos管(p6)的g极；
所述第六pmos管(p6)的s极连接于电平转换电路(3)的电压输入端，第六pmos管(p6)的d极连接于第五pmos管(p5)的g极；
所述第五pmos管(p5)的g极连接于电平转换电路(3)的信号输出端。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的一种超低功耗施密特触发器，其特征在于：所述电流源(4)由第一nmos管(n1)组成，第一nmos管(n1)的d极连接于电流源(4)的高压端，第一nmos管(n1)的s极连接于电流源(4)的低压端，第一nmos管(n1)的g极连接于电流源(4)的电压输入端，电流源(4)的电压输入端由其他结构提供偏置电压。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的一种超低功耗施密特触发器，其特征在于：所述电流源(4)由第七pmos管(p7)组成，第七pmos管(p7)的s极连接于电流源(4)的高压端，第七pmos管(p7)的d极连接于电流源(4)的低压端，第七pmos管(p7)的g极连接于电流源(4)的电压输入端，电流源(4)的电压输入端由其他结构提供偏置电压。