技术特征：
1.一种功率放大器系统，包括：驱动级，被配置为放大射频输入信号并且在包含硅的基板中实现；功率级，包括载波放大器和峰值放大器，所述载波放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的基础信号，所述峰值放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的峰值信号，所述功率级在包含砷化镓的基板中实现；以及相位补偿电路，被配置为改变所述射频输入信号的相位，其中，所述载波放大器或所述峰值放大器连接到所述相位补偿电路。2.根据权利要求1所述的功率放大器系统，所述功率放大器系统还包括：第一集成电路，所述驱动级在所述第一集成电路中实现；以及第二集成电路，所述功率级独立于所述第一集成电路在所述第二集成电路中实现。3.根据权利要求2所述的功率放大器系统，所述功率放大器系统还包括：四分之一波长电路，连接到所述载波放大器的输出级并且被配置为改变放大的基础信号的相位。4.根据权利要求1所述的功率放大器系统，所述功率放大器系统还包括：级间匹配器，包括所述相位补偿电路，并且被配置为匹配所述驱动级与所述功率级之间的信号传输路径的阻抗。5.根据权利要求1所述的功率放大器系统，所述功率放大器系统还包括：输入匹配器，包括所述相位补偿电路，并且被配置为匹配用于接收所述射频输入信号的端子与所述驱动级之间的信号传输路径的阻抗。6.根据权利要求5所述的功率放大器系统，其中，所述驱动级包括：另一载波放大器，被配置为放大来自所述射频输入信号的基础信号；以及另一峰值放大器，被配置为放大来自所述射频输入信号的峰值信号。7.根据权利要求1所述的功率放大器系统，其中，所述射频输入信号包括反相射频输入信号和非反相射频输入信号，并且所述驱动级还被配置为放大所述反相射频输入信号与所述非反相射频输入信号之间的差。8.根据权利要求1所述的功率放大器系统，其中，所述驱动级包括：第一驱动放大器，被配置为接收并放大所述射频输入信号中的非反相射频输入信号；以及第二驱动放大器，被配置为接收并放大所述射频输入信号中的反相射频输入信号。9.根据权利要求8所述的功率放大器系统，其中，所述载波放大器包括：第一载波放大器，被配置为放大来自所述非反相射频输入信号的由所述第一驱动放大器放大的基础信号；以及第二载波放大器，被配置为放大来自所述反相射频输入信号的由所述第二驱动放大器放大的基础信号，并且其中，所述峰值放大器包括：第一峰值放大器，被配置为放大来自所述非反相射频输入信号的由所述第一驱动放大器放大的峰值信号；以及第二峰值放大器，被配置为放大来自所述反相射频输入信号的由所述第二驱动放大器放大的峰值信号。
10.根据权利要求1所述的功率放大器系统，其中，所述驱动级包括：第一载波放大器，被配置为放大来自所述射频输入信号中的非反相射频输入信号的基础信号；第二载波放大器，被配置为放大来自所述射频输入信号中的反相射频输入信号的基础信号；第一峰值放大器，被配置为放大来自所述射频输入信号中的所述非反相射频输入信号的峰值信号；以及第二峰值放大器，被配置为放大来自所述射频输入信号中的所述反相射频输入信号的峰值信号。11.根据权利要求10所述的功率放大器系统，其中，所述载波放大器包括：第三载波放大器，被配置为进一步放大来自所述非反相射频输入信号的放大的基础信号；以及第四载波放大器，被配置为进一步放大来自所述反相射频输入信号的放大的基础信号，并且其中，所述峰值放大器包括：第三峰值放大器，被配置为进一步放大来自所述非反相射频输入信号的放大的峰值信号；以及第四峰值放大器，被配置为进一步放大来自所述反相射频输入信号的放大的峰值信号。12.一种功率放大器系统，包括：驱动级，被配置为放大射频输入信号并且在包含硅的基板中实现；功率级，包括载波放大器和峰值放大器，所述载波放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的基础信号，所述峰值放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的峰值信号，所述功率级在包含砷化镓的基板中实现；以及输出匹配器，包括四分之一波长电路，所述输出匹配器被配置为匹配所述功率级与用于输出射频输出信号的端子之间的信号传输路径的阻抗，并且改变放大的基础信号的相位。13.根据权利要求12所述的功率放大器系统，所述功率放大器系统还包括：级间匹配器，包括相位补偿电路，所述级间匹配器被配置为匹配所述驱动级与所述功率级之间的信号传输路径的阻抗，并且改变所述射频输入信号的相位。14.根据权利要求12所述的功率放大器系统，所述功率放大器系统还包括：输入匹配器，包括相位补偿电路，所述输入匹配器被配置为匹配用于接收所述射频输入信号的端子与所述驱动级之间的信号传输路径的阻抗，并且改变所述射频输入信号的相位。15.根据权利要求14所述的功率放大器系统，其中，所述驱动级包括：另一载波放大器，被配置为放大来自所述射频输入信号的基础信号；以及另一峰值放大器，被配置为放大来自所述射频输入信号的峰值信号。16.根据权利要求12所述的功率放大器系统，其中，所述射频输入信号包括反相射频输入信号和非反相射频输入信号，并且所述驱动级还被配置为放大所述反相射频输入信号与
所述非反相射频输入信号之间的差。17.一种功率放大器系统，包括：第一集成电路，形成在利用第一材料制成的第一基板上，所述第一集成电路包括被配置为放大射频输入信号的驱动级；第二集成电路，形成在第二基板上，所述第二基板利用与所述第一材料不同的第二材料制成，所述第二集成电路包括功率级，所述功率级被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的基础信号，并且被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的峰值信号；以及相位补偿电路，被配置为改变所述射频输入信号的相位。18.根据权利要求17所述的功率放大器系统，其中，所述相位补偿电路设置在所述第一集成电路中或所述第二集成电路中。19.根据权利要求17所述的功率放大器系统，其中，所述相位补偿电路设置在基础基板中，在所述基础基板上安装有所述第一集成电路和所述第二集成电路。20.根据权利要求17所述的功率放大器系统，其中，所述相位补偿电路设置在级间匹配器和输入匹配器中的任一者中，所述级间匹配器被配置为匹配所述驱动级与所述功率级之间的信号传输路径的阻抗，所述输入匹配器被配置为匹配用于所述射频输入信号的输入端子与所述驱动级之间的信号传输路径的阻抗。
技术总结
本公开提供一种功率放大器系统，所述功率放大器系统包括：驱动级，被配置为放大射频输入信号并且在包含硅的基板中实现；功率级，包括载波放大器和峰值放大器，所述载波放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的基础信号，所述峰值放大器被配置为放大来自所述射频输入信号的由所述驱动级放大的峰值信号，所述功率级在包含砷化镓的基板中实现；以及相位补偿电路，被配置为改变所述射频输入信号的相位，其中，所述载波放大器或所述峰值放大器连接到所述相位补偿电路。所述峰值放大器连接到所述相位补偿电路。所述峰值放大器连接到所述相位补偿电路。
技术研发人员：李建龙 韩秀沇 表昇彻 许荣植
受保护的技术使用者：三星电机株式会社
技术研发日：2021.03.30
技术公布日：2022/3/15